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    电力电子器件总结.pdf

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    电力电子器件总结.pdf

    电力电子器件总结:名称优缺点应用场合整流,续流,电压隔离、钳位或保护|电力二极管整流二极管SBD(肖特基)FRD(快恢复FST(快速)TRIAC(双向)RCT(逆向)LTT(光控)优:结构简单、工作可靠缺:不可控优:承受电压和电流容量在所有器件中最高缺:半控SCR晶闸管可控硅优:开关速度快(利用电场感应控制反型层导电沟道,不存在正偏 PN 结所固有的载流子存储效应),输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率(Metal-Oxide-Semiconductor Field-小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击Effect Transistor)穿问题。金属-氧化物-半导体-场效应晶体管缺:电流容量小,耐压低。电力 MOSFET(单极型)%一般只适用于功率不超过10kW 的电力电子装置兆瓦以上的大功率GTO(双极型)GTR(双极型)电力二极管IGBT(混合型)绝缘栅门极晶体管(Insulated-GateBipolar Translator)结合了 GTR 和 MOSFET 的优点优点:电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强;缺:电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低优:耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低;缺:开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题优:开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小缺:开关速度低于电力 MOSFET,电压,电流容量不及 GTO基本淘汰广泛应用,指望一统天下(主要兆瓦以下)几种不可替代的场合:FRD(Fast Recovery Diode)在中、高频整流和逆变;SBD(Schottky Barrier Diode)在低压高频整流;(开关速度非常快,开关损耗也特别小,耐压比较低)LTT(Light Triggered Thyristor)高电压大功率;(光触发保证住电路与控制电路之间的绝缘和电气隔离,可以避免电磁干扰的影响)GTO(Gate-Turn-Off Thyristor)兆瓦以上的大功率。

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