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    三极管介绍(1).pdf

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    三极管介绍(1).pdf

    三极管介绍三极管介绍(1)(1)、三极管、三极管三极管又叫晶体管,使用半导体材料,它是由三极管又叫晶体管,使用半导体材料,它是由P P、N N 型半导体(两个型半导体(两个 P P夹夹 N N,或两个,或两个 N N 夹夹 P P)两个)两个 PNPN 结构成。根据结构成。根据 PNPN 结的组合不同,又可分成结的组合不同,又可分成PNPPNP 型和型和 NPNNPN 型,如下图所示。以材料分有硅材料和锗材料两种。型,如下图所示。以材料分有硅材料和锗材料两种。如何真确分辨不同封装的三极管的各个管脚很重要,下图所示是各种不同如何真确分辨不同封装的三极管的各个管脚很重要,下图所示是各种不同形式封装的三极管的管脚图:形式封装的三极管的管脚图:我们常用的三极管是下图所示的直插和贴片两种:我们常用的三极管是下图所示的直插和贴片两种:1 1、发射级、发射级 e e2 2、基级、基级 b b3 3、集电极、集电极 c c上图是上图是 90129012(PNPPNP)三极管的管脚图,我们用的直插三极管一般都是这种)三极管的管脚图,我们用的直插三极管一般都是这种封装(头部是半圆柱,下有三个同样长的脚)。拿到这种封装的三极管时,封装(头部是半圆柱,下有三个同样长的脚)。拿到这种封装的三极管时,不管它是不管它是 NPNNPN 还是还是 PNPPNP,首先把半圆柱的方形平面对着自己,下面的管,首先把半圆柱的方形平面对着自己,下面的管脚从左至右依次是脚从左至右依次是e e、b b、c c。然后把三极管按管脚插入数字万用表对应的。然后把三极管按管脚插入数字万用表对应的孔内,如果屏上示数是两位或三位正数(非孔内,如果屏上示数是两位或三位正数(非1 1 和负数),那么此三极管的和负数),那么此三极管的管型就是你插入孔所对应的管型就是你插入孔所对应的PNPPNP(或(或 NPNNPN)。或者用标有二极管的档,把)。或者用标有二极管的档,把三极管当作两个二极管,然后根据二极管的单向导电性就可确定。三极管当作两个二极管,然后根据二极管的单向导电性就可确定。1 1、基级、基级 b b2 2、发射级、发射级 e e3 3、集电极、集电极 c c工作原理:工作原理:对于对于 NPNNPN 管,它是由管,它是由 2 2 块块 N N 型半导体中间夹着一块型半导体中间夹着一块P P 型半导体所型半导体所组成,发射区与基区之间形成的组成,发射区与基区之间形成的PNPN 结称为发射结结称为发射结,而集电区与基区形成的而集电区与基区形成的PNPN 结称为集电结结称为集电结,三条引线分别称为发射极三条引线分别称为发射极e e、基极、基极 b b 和集电极和集电极 c c。当当 b b 点电位高于点电位高于 e e 点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C C点电位高于点电位高于 b b 点电位几伏时,点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电结处于反偏状态,集电极电源集电极电源 EcEc 要高于要高于基极电源基极电源 EbEb。在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正确,发射区的多数载流子(电子)极基区的多数载流子(空由于发射结正确,发射区的多数载流子(电子)极基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流IeIe。由于基区很薄由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流进入集电区而形成集电集电流IcIc,只剩下很少(,只剩下很少(1-10%1-10%)的电子在基区的)的电子在基区的空穴进行复合,空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源被复合掉的基区空穴由基极电源EbEb 重新补给,重新补给,从而形成了从而形成了基极电流基极电流 Ibo.Ibo.根据电流连续性原理得:根据电流连续性原理得:Ie=Ib+IcIe=Ib+Ic这就是说,在基极补充一个很小的这就是说,在基极补充一个很小的IbIb,就可以在集电极上得到一个较,就可以在集电极上得到一个较大的大的 IcIc,这就是所谓电流放大作用,这就是所谓电流放大作用,IcIc 与与 IbIb 是维持一定的比例关系,即:是维持一定的比例关系,即:1=Ic/Ib1=Ic/Ib式中:式中:-称为直流放大倍数,称为直流放大倍数,集电极电流的变化量集电极电流的变化量 IcIc 与基极电流的变化量与基极电流的变化量 IbIb 之比为:之比为:=Ic/Ic/IbIb式中式中 -称为交流电流放大倍数,称为交流电流放大倍数,由于低频时由于低频时 11 和和 的数值相差不大,的数值相差不大,带孔薄板“逸出”从而把挡板撞开,此时带孔薄板“逸出”从而把挡板撞开,此时3000W3000W 的强大动力会使更多的红的强大动力会使更多的红豆“流动”(豆“流动”(和和 IcIc 作联想作联想)。)。三极管中小电流带动大电流就是这个原理。(三极管中小电流带动大电流就是这个原理。(注:这只是一个简单的类比,注:这只是一个简单的类比,但不能把三极管所有的都和这个系统进行比较但不能把三极管所有的都和这个系统进行比较)三极管的符号:三极管的符号:有箭头的那端是发射极有箭头的那端是发射极e e,和,和 e e 在一边的另一端是集电极在一边的另一端是集电极c c,与,与 e e、c c 相反相反那那端是基级那那端是基级 b b。NPNNPN 型的箭头向外,型的箭头向外,PNPPNP 型的向内。这个很好记,把它型的向内。这个很好记,把它和二极管联系在一起,箭头指向的那端一定是和二极管联系在一起,箭头指向的那端一定是N N。三极管的主要参数:三极管的主要参数:特征频率特征频率 Ft:Ft:当当 F=FtF=Ft 时,时,三极管完全失去电流放大功能。如果工作频率三极管完全失去电流放大功能。如果工作频率大于大于 Ft,Ft,电路将不正常工作。电路将不正常工作。工作电压工作电压/电流电流:用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。hFE:hFE:电流放大倍数。电流放大倍数。VCEO:VCEO:集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压。集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压。PCM:PCM:最大允许耗散功率。最大允许耗散功率。封装形式:指定该管的外观形状,如果其它参数都正确,封装不同将导封装形式:指定该管的外观形状,如果其它参数都正确,封装不同将导致组件无法在应运场合下安装。致组件无法在应运场合下安装。在这里我们只需要掌握和应运工作电压在这里我们只需要掌握和应运工作电压/电流即可,把电流即可,把 b b、e e 结基级电压控结基级电压控制在制在 0.70.75V5V,c c、e e 集电极电压集电极电压 3V3V 以上(但不能太大),即可正常导通。以上(但不能太大),即可正常导通。电子制作中常用的三极管有电子制作中常用的三极管有90*90*系列,包括低频小功率硅管系列,包括低频小功率硅管90139013(NPNNPN)、)、90129012(PNPPNP),低噪声管),低噪声管 90149014(NPNNPN),高频小功率管),高频小功率管90189018(NPNNPN)等,它们都是)等,它们都是 T0T09292 标准封装(半圆柱头)。标准封装(半圆柱头)。

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