二极管特性精.ppt

二极管特性第1页，本讲稿共11页二极管导电原因导电原因：当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。不导电原因:当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。第2页，本讲稿共11页二极管种类 按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。第3页，本讲稿共11页正向特性 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能真正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。第4页，本讲稿共11页反向特性 在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。第5页，本讲稿共11页二极管的主要参数 额定正向工作电流 正向电压压降最高反向工作电压 反向电流 最高工作频率第6页，本讲稿共11页二极管的应用 整流二极管 开关元件 稳压二极管限幅元件 继流二极管 第7页，本讲稿共11页肖特基二极管结构肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N-外延层（砷材料）、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成，如图所示。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。第8页，本讲稿共11页主要优点 1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。第9页，本讲稿共11页发光二极管LED的发光机理是基于PN结的能带理论来解释。制作LED的材料是重掺杂的，热平衡时P区有较多的迁移率低的空穴，N区有较多的迁移率很高的电子。由于PN结阻挡层的限制，常态下，二者不能发生自然复合，而当外加电压时，沟区导带中的电子可越过PN结的势垒进入到P区一侧。于是在PN结附近稍偏于P区一边的地方，处于高能态的电子向价带跃迁时，便发生光复合。这种光复合发出的光属于自发辐射，辐射光的波长取决于材料的禁带宽度Eg，即=1.24umev/Eg 由于不同材料制成的LED具有不同的禁带宽度，故可发出不同波长的光。第10页，本讲稿共11页LED测试中的一些参数定义 正向电压：通过LED的正向电流为确定值时，在两极间产生的电压降。光谱半宽度：它表示LED的光谱纯度。是指光谱图中1/2峰值光强所对应两波长之间隔。光通亮：人眼所能感觉到的辐射能量，它等于单位时间内某一波段的辐射能量和该波段的相对视见率的乘积。发光强度：单位立体角内的光通量为发光强度。第11页，本讲稿共11页