微电子工艺课件第一章精.ppt

微电子工艺课件第一章1第1页，本讲稿共43页Si晶体结构晶体结构晶向、晶面晶向、晶面缺陷、杂质缺陷、杂质本章重点本章重点2第2页，本讲稿共43页3第3页，本讲稿共43页1.1 1.1 硅晶体结构的特点硅晶体结构的特点1.1.11.1.1 晶胞晶胞一、基本概念一、基本概念晶格：晶格：晶体中原子的周期性排列称为晶格。晶胞：晶胞：晶体中的原子周期性排列的最小单元，用来代表整 个晶格，将此晶胞向晶体的四面八方连续延伸，即 可产生整个晶格。4第4页，本讲稿共43页晶晶 格格 常常 数数：晶 胞 与 晶 格 的 关 系可 用 三 个 向 量a、b及c来 表 示，它们 彼 此 之 间不不 需需 要要 正正 交交，而 且 在长 度 上不不 一一 定定 相相 同同，称为晶格常数。每 个 三 维 空 间 晶 体 中 的 等 效格点可用下面的向量组表示：Rma+nb+pc 其中m、n及p是整数。单晶体：单晶体：整个晶体由单一的晶格连续组成的晶体。多晶体：多晶体：由相同结构的很多小晶粒无规则地堆积而成的晶 体。5第5页，本讲稿共43页简单立方晶格简单立方晶格：在立方晶格的每一个角落，都有一个原子，且 每个原子都有六个等距的邻近原子。长度a称为晶格常数。在周 期表中只有钚(polonium)属于简单立方晶格。体心立方晶格体心立方晶格：除了角落的八个原子外,在晶体中心还有一个 原子。在体心立方晶格中，每一个原子有八个最邻近原子。钠(sodium)及钨(tungsten)属于体心立方结构。xzyxz二、三种立方晶体原胞二、三种立方晶体原胞6第6页，本讲稿共43页面心立方晶格面心立方晶格:除了八个角落的原子外，另外还有六个原子在 六个面的中心。在此结构中，每个原子有12个最邻近原子。很多元素具有面心立方结构，包括铝(aluminum)、铜(copper)、金(gold)及铂(platinum)。z7第7页，本讲稿共43页1.1.21.1.2 共价四面体共价四面体一、硅的晶胞一、硅的晶胞 处在立方体顶角和面心的原子构成一套面心立方格子，处在体对角线上的原子也构成一套面心立方格子。因此可以认为硅晶体是由两套面心立方格子沿体对角线位移四分之一长度套构而成的。这种晶胞称为金刚石型结构金刚石型结构的立方晶胞，如下图所示。8第8页，本讲稿共43页金刚石型结构特点：金刚石型结构特点：每个原子周围都有四个最近邻的原子，组成一个正四面体结构。这四个原子分别处在正四面体的顶角上，任一顶角上 的 原 子 和 中 心 原 子 各 贡 献 一 个 价 电 子 为 该 两 个 原 子 所 共有，组成四个共价键，它们之间具有相同的夹角（键 角）10928。二、共价四面体二、共价四面体9第9页，本讲稿共43页金刚石型结构的结晶学原胞金刚石型结构的结晶学原胞是立方对称的晶胞，可以看成是两个面心立方晶胞沿立方体的空间对角线互相位移了14的空间对角线长度套构而成 的。原 子 在 晶 胞 中排排 列列的 情 况 是：八 个 原 子 位 于 立 方 体 的八个角顶上，六个原子位于六个面中心上，晶胞内部有四个原子。立方体顶角和面心上的原子与这四个原子周围情况不同，所以它是由相同原子构成的复式晶格。晶格常数晶格常数Si：a=5.65754 Ge：a=5.43089 10第10页，本讲稿共43页例例题：题：硅 在300K时 的 晶 格 常 数a为5.43。请计算出每立方厘米体积中的硅原子数及常温下的硅原子密度。解：每个晶胞中有8个原子，晶胞体积为a3，每个原子所占的空间体积为a3/8，因此每立方厘米体积中的硅原子数为：8/a3=8/(5.43108)3=51022（个原子/cm3）密度=每立方厘米中的原子数每摩尔原子质量/阿伏伽德罗常数=5102228.09/(6.021023)g/cm3=2.33g/cm31.1.31.1.3 原子密度原子密度11第11页，本讲稿共43页例例题题:假使将圆球放入一体心立方晶格中，并使中心圆球与立方体八个角落的圆球紧密接触，试计算出这些圆球占此体心立方晶胞的空间比率。圆球半径定义为晶体中最小原子间距的一半，即 。yxz1.1.41.1.4 晶体内部的空隙晶体内部的空隙解：球的体积为：每个硅原子在晶体内所占的空间体积为：则空间利用率为：空隙为66%12第12页，本讲稿共43页1.2 1.2 晶向、晶面和晶向、晶面和堆积模型堆积模型1.2.11.2.1 晶向晶向一、晶列一、晶列 晶体晶格中的原子被看作是处在一系列方向相同的平行直线系上，这种直线系称为晶列。同一晶体中存在许多取向不同的晶列，在不同取向的晶列上原子排列情况一般是不同的。二、晶向二、晶向1.定义定义：表示一族晶列所指的方向。13第13页，本讲稿共43页2.晶向指数晶向指数 以简单立方晶格原胞的三个边作为基矢x，y，z，并以任一格点作为原点，则其它所有格点的位置位置可由矢量：给出，其中l1、l2、l3为任意整数。而任何一个晶列的方向晶列的方向可由连接晶列中相邻格点的矢量：的方向来标记，其中m1、m2、m3必为互质的整数。若m1、m2、m3不为互质，那么这两个格点之间一定还包含有格点。对于任何一个确定的晶格来说，x，y，z是确定的，实际上只用这三个互质的整数m1、m2、m3来标记晶向，一般写作m1、m2、m3，称为晶向指数。14第14页，本讲稿共43页3.硅晶体不同晶向上的原子分布情况硅晶体不同晶向上的原子分布情况15第15页，本讲稿共43页1.2.21.2.2 晶面晶面一、定义一、定义 晶体晶格中的原子被看作是处在一系列彼此平行的平面系上，这种平面系称为晶面。通过任何一个晶列都存在许多取向不同的晶面，不同晶面上的原子排列情况一般是不同的。二、米勒指数二、米勒指数用相邻的两个平行晶面在矢量x，y，z的截距来标记，它们可以表示为x/h1、y/h2、z/h3，h1、h2、h3为互质的整数或负整数。通常就用 h1、h2、h3来 标 记 晶 面，称 它 们 为 晶 面 指 数(或米勒指数)。16第16页，本讲稿共43页关于米勒指数的一些其他规定：l()：代表在x轴上截距为负的平面，如lhkl：代表相对称的平面群，如在立方对称平面中，可用100表示(100)，(010)，(001)，六个平面。lhkl：代表一晶体的方向，如100方向定义为垂直于(100)平面的方向，即表示x轴方向。而111则表示垂直于(111)平面的方向。l：代表等效方向的所有方向组，如代表100、010、001、六个等效方向的族群。17第17页，本讲稿共43页三、立方晶系的几种主要晶面三、立方晶系的几种主要晶面18第18页，本讲稿共43页四、硅的常用晶面上的原子分布四、硅的常用晶面上的原子分布19第19页，本讲稿共43页1.3 1.3 硅晶体中的缺陷硅晶体中的缺陷20第20页，本讲稿共43页1.3.11.3.1 点缺陷点缺陷一、自间隙原子一、自间隙原子 存在于硅晶格间隙中的硅原子，是晶体中最简单的点缺陷。21第21页，本讲稿共43页二、空位和间隙原子二、空位和间隙原子 在一定温度下，晶格原子不仅在平衡位置附近做振动运动，而且有一部分原子会获得足够的能量，克服周围原子对它的束缚，挤入晶格原子间的间隙，形成间隙原子间隙原子，原来的位置便成为空位空位：这时间隙原子和空位是成对出现的，称为弗仑克耳缺陷弗仑克耳缺陷；若只在晶体内形成空位而无间隙原子时，称为肖特基缺陷肖特基缺陷；间隙原子和空位不断地产生和复合，最后确立一平衡浓度值；这种由温度决定的点缺陷又称为热缺陷热缺陷，它们总是同时存在的；由于原子须具有较大的能量才能挤入间隙位置，以及它迁移时激活能很小，所以晶体中空位比间隙原子多得多，故空位空位是常见的点缺陷是常见的点缺陷；22第22页，本讲稿共43页23第23页，本讲稿共43页 外来原子进入晶体后，有两种方式存在：一种方式是杂质原子位于晶格原子间的间隙位置，称这种杂质为间隙间隙式杂质式杂质。形成该种杂质时，要求其原子比晶格原子小；另一种方式是杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，称这种杂质为替位式杂质替位式杂质。形成该种杂质时，要求其原子的大小与被取代的晶格原子的大小比较接近，而且二者的价电子壳层结构也比较接近。替位式杂质间隙式杂质三、外来原子三、外来原子24第24页，本讲稿共43页晶体中的位错可以设想是由滑移所形成的，滑移以后两部分晶体重新吻合。滑移的晶面中，在滑移部分和未滑移部分的交界处形成位错；当位错线与滑移矢量垂直时，这样的位错称为刃位错；如果位错线与滑移矢量平行，称为螺位错。线缺陷，亦称位错刃位错和螺位错：线缺陷，亦称位错刃位错和螺位错：1.3.2 1.3.2 线缺陷线缺陷25第25页，本讲稿共43页AD为位错线滑移矢量刃刃位位错错26第26页，本讲稿共43页AD为位错线滑移矢量螺位错螺位错27第27页，本讲稿共43页1.3.3 1.3.3 面缺陷面缺陷 晶体中的面缺陷是二维缺陷，其在两个方向上的尺寸都很大，另外一个方向上的尺寸很小。主要分两种：多晶的晶粒间界晶粒间界就是最明显的面缺陷，它是一个原子错排的过渡区；在密堆积的晶体结构中，由于堆积次序发生错乱，称为堆垛层错，简称层错层错。层错是一种区域性的缺陷，在层错以外及以内的原子都是规则排列的，只是在两部分交界面处原子排列才发生错乱，所以它是一种面缺陷。28第28页，本讲稿共43页1.3.4 1.3.4 体缺陷体缺陷 杂 质 硼、磷、砷 等 在 硅 晶 体 中 只 能 形 成 有 限 固 溶 体。当掺入的数量超过晶体可接受的浓度时，杂质将在晶体中沉积，形成体缺陷。晶体中的空隙空隙也是一种体缺陷。29第29页，本讲稿共43页1.4 1.4 硅中杂质硅中杂质一、半导体的电阻特性一、半导体的电阻特性30第30页，本讲稿共43页31第31页，本讲稿共43页二、本征半导体和本征激发二、本征半导体和本征激发本征半导体本征半导体：没有杂质和缺陷的半导体。T=0K时，价带中的全部量子态都被电子占据，而导带中的量子态都是空的，也就是说，半导体中共价键是饱和的、完整的。T0K时，就有电子从价带激发到导带，同时价带中产生空穴，这就是所谓的本征激发本征激发。由于电子和空穴成对产生，导带中的电子浓度n0等于价带中的空穴浓度p0。32第32页，本讲稿共43页33第33页，本讲稿共43页三、杂质半导体三、杂质半导体 掺入杂质的半导体称为杂质半导体。半导体电阻率的大小与所含杂质浓度密切相关。杂质原子进入半导体后，有两种方式存在：一种方式是杂质原子位于晶格原子间的间隙位置，称这种杂质为间隙式杂质间隙式杂质。形成该种杂质时，要求其原子比晶格原子小；另一种方式是杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，称这种杂质为替位式杂质替位式杂质。形成该种杂质时，要求其原子的大小与被取代的晶格原子的大小比较接近，而且二者的价电子壳层结构也比较接近。替位式杂质间隙式杂质34第34页，本讲稿共43页四、施主杂质、施主能级四、施主杂质、施主能级(举例举例Si中掺中掺P，Si:P)35第35页，本讲稿共43页电离结果：导带中的电子数增加了，这也是掺施主的意义所在主要依靠导带电子导电的半主要依靠导带电子导电的半导体称为电子型或导体称为电子型或n型半导体型半导体把被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级。施主能级靠近导电底部36第36页，本讲稿共43页施主杂质释放电子的过程称为施主电离施主电离。施主杂质未电离时是中性的称为束缚态或中性态束缚态或中性态；电离后成为正电中心，称为施主离化态施主离化态。使电子挣脱施主杂质束缚成为导带电子所需要的能量称为施主施主电离能电离能。37第37页，本讲稿共43页n型杂质38第38页，本讲稿共43页五、受主杂质、受主能级五、受主杂质、受主能级(举例举例Si中掺中掺B，Si:B)39第39页，本讲稿共43页电离结果：价带中的空穴数增加了，这也是掺受主的意义所在主要依靠价带空穴导电的半主要依靠价带空穴导电的半导体称为空穴型或导体称为空穴型或p型半导体型半导体把被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级。受主能级靠近价带顶部40第40页，本讲稿共43页空穴挣脱受主杂质束缚的过程称为受主电离受主电离。受主杂质未电离时是中性的称为束缚态或中性态束缚态或中性态；电离后成为负电中心，称为受主离化受主离化态态。使空穴挣脱受主杂质束缚成为导电空穴所需要的能量称为受受主电离能主电离能。41第41页，本讲稿共43页p型杂质42第42页，本讲稿共43页六、六、n型半导体和型半导体和p型半导体型半导体43第43页，本讲稿共43页