电容在EMC设计中的广泛应用.docx

电容在EMC设计中的广泛应用fenghy导语：要充分发挥电容在EMC设计中的作用，及时理解相关研究的新进展，及时采用新技术要充分发挥电容在EMC设计中的作用，及时理解相关研究的新进展，及时采用新技术，是非常重要的。大量理论说明：在EMC设计中，恰中选择与使用电容，不仅可解决很多EMI问题，而且能充分表达效果良好、价格低廉、使用方便的优点。假设电容的选择或者使用不当，那么可能根本达不到预期的目的，甚至会加剧EMI程度。1滤波器构造的选择EMC设计中的滤波器通常指由L，C构成的低通滤波器。不同构造的滤波器的主要区别之一，是其中的电容与电感的联接方式不同。滤波器的有效性不仅与其构造有关，而且还与连接的网络的阻抗有关。如单个电容的滤波器在高阻抗电路中效果很好，而在低阻抗电路中效果很差。传统上，在滤波器两端的端接阻抗为50欧姆的条件下描绘滤波器的特性这一点往往未被留意，由于这样测试方便，并且是符合射频标准的。但是，理论中源阻抗Zs和负载阻抗Zi很复杂，并且在要抑制的频率点上可能是未知的。假如滤波器的一端或者两端与电抗性元件相联结，那么可能会产生谐振，使某些频率点的插入损耗变为插入增益。可见，正确选择滤波器的构造至关重要。终究是选择电容、电感还是两者的组合，是由所谓的"最大不匹配原那么"决定的。简言之，在任何滤波器中，电容两端存在高阻抗，电感两端存在低阻抗。图1是利用最大不匹配原那么得到的滤波器的构造与ZS和ZL的配合关系，每种情形给出了2种构造及相应的衰减斜率n表示滤波器中电容元件和电感元件的总数。但是，怎样断定Z，和乙的值是高或者低，一些资料上并未作详细讲明，理论中也往往不清楚。Zs和ZL的所谓的高值或者低值的临界选取有一定的随机性，选取50n作为边界值是比拟适宜的。顺便指出，在电子电路中，因信号一般较弱，而RC低通滤波器对信号有一定的衰减，故很少使用。2自谐振频率与截止频率21去耦电容的自谐振频率实际的电容都有寄生电感Ls。Ls的大小根本上取决于引线的长度，对圆形、导线类型的引线，上的典型值为10nHcm。典型的陶瓷电容的引线约有6mm长，会引入约15nH的电感"。引线电感也可由下式估算：其中：和r分别为引线的长度和半径。寄生电感会与电容产生串联谐振，即自谐振，在自谐振频率fo处，去耦电容呈现的阻抗最小，去耦效果最好。但对频率f高于fo的噪声成份，去耦电容呈电感性，阻抗随频率的升高而变大，使去耦或者旁路作用大大下降。理论中，应根据噪声的最高频率fmax来选择去耦电容的自谐振频率f0，最正确取值为fo=fmax。但是，一些资料上只是从电容的寄生电感的角度给出了自谐振频率fo的资料。实际上，去耦电容的自谐振频率不仅与电容的寄生电感有关，而且还与过孔的寄生电感、联结去耦电容与芯片电源正负极引脚的印制导线的寄生电感等都有关系。假如不留意这一点，查得的资料或者自己的估算往往与实际情况相去甚远。理论中，一般是先确定去耦电容的构造电容的寄生电感与其构造关系亲密，再用试验的方法确定容量。22电源滤波器的钓自谐振频率在沟通电源进线与电源变压器之间设置电源滤波器是抗EMI的常用措施之一。常用的电源滤波器如图2所示。人们一般对去耦电容的自谐振频率问题比拟留意，实际上电源滤波器也有自谐振频率问题，处理不当，同样达不到预期的目的。对图2所示的滤波器，分析可知，当电感的电阻rL很小时，自谐振频率分别为：设计电源滤波器时，必须使滤波器的自谐振频率远小于噪声频率。处理不当不仅不能衰减噪声，反而会放大噪声。例如图2a所示的滤波器，假如取L1mH，rL1欧姆，C047uF这也是很多资料上推荐的参数，可算出f052kHz。而EMC测试中的快速脉冲群频率为50kHz2kV或者25kHz4kV，50kHz恰好谐振，25kHz也不会被衰减，如图3所示。这讲明滤波器中元件参数选取不当，可能根本起不到进步EMC性能的作用。3.电容构造的选择从理论上讲，电容的容量越大，容抗就越小，滤波效果就越好。一些人也有这种习惯认识。但是，容量大的电容一般寄生电感也大，自谐振频率低如典型的陶瓷电容，01uF的fo=5MHz，001ulF的fo=15MHz，0001uF的f0=50MHz，对高频噪声的去耦效果差，甚至根本起不到去耦作用。分立元件的滤波器在频率超过10MHz时，将开场失去性能。元件的物理尺寸越大，转折点频率越低。这些问题可以通过选择特殊构造的电容来解决。贴片电容的寄生电感几乎为零，总的电感也可以减小到元件本身的电感、通常只是传统电容寄生电感的1315，自谐振频率可达同样容量的带引线电容的2倍也有资料讲可达10倍，是射频应用的理想选择。