ch电流放大作用资料实用.pptx

1.3.1 BJT的结构及类型的结构及类型1.3 双极型晶体管（双极型晶体管（BJT）1.3.2 BJT的电流分配与放大原理的电流分配与放大原理1.3.3 BJT的共射特性曲线的共射特性曲线1.3.4 BJT的主要参数的主要参数第1页/共14页半导体三极管图片半导体三极管图片第2页/共14页1.3.1 BJT的结构简介的结构简介 半导体三极管的结构有两种类型:NPN型和PNP型。两种类型的三极管发射结(Je)集电结集电结(Jc)基极基极，用B或b表示（Base）发射极发射极，用E或e表示（Emitter）；集电极集电极，用C或c表示（Collector）。发射区集电区基区三极管符号第3页/共14页 结构特点：结构特点：发射区的掺杂浓度最高；集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。管芯结构剖面图第4页/共14页 双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。若在放大工作状态：发射结加正向电压（正偏），集电结加反向电压（反偏）。1.3.2 BJT的电流分配与放大原理的电流分配与放大原理 NPN型三极管 基本共射放大电路：基极电流控制集电极电流 第5页/共14页1.3.2 BJT的电流分配与放大原理的电流分配与放大原理一.晶体管内部载流子的运动 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。外部条件：发射结正偏，集电结反偏。发射结正偏，集电结反偏。发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子 （以NPN为例）第6页/共14页 扩散到基区的自由电子与空穴的复合形成基极电流IB 基区复合电流IBN 发射结加正偏，扩散运动形成发射极电流I IE E。自由电子扩散电流I IEN EN 空穴扩散电流I IEPEP 集电结(收集结加反向电压，漂移运动形成集电极电流I IC C。基区非平衡少子漂移电流IICNCN 平衡少子漂移电流IICBOCBO。以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。或BJT(Bipolar Junction BJT(Bipolar Junction Transistor)Transistor)。第7页/共14页二.电流分配关系(动画2-1)IE=IC+IB三.共射电流放大系数第8页/共14页 是交流电流放大系数，同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 1第9页/共14页因 1,所以 1第10页/共14页 由以上分析可知，发射区掺杂浓度高，基区很薄，是保证三极管能够实现电流放大的关键。若两个PNPN结对接，相当于基区很厚，所以没有电流放大作用，基区从厚变薄，两个PNPN结演变为三极管，这是量变引起质变的又一个实例。第11页/共14页 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。1.3.2 BJT的电流分配与放大原理的电流分配与放大原理第12页/共14页问题：为什么当温度升高时，三极管将失 去放大作用？从物理概念上加以说 明。第13页/共14页感谢您的欣赏！第14页/共14页