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ulsi 多层互连中的化学机械抛光工艺 化学机械抛光（chemical-mechanical polishing，CMP）是一种通用的多层间隙修形工艺，是一种用于表面利用机械力和化学反应去精确修形的技术，是一种因 液液法而发展的新型修形工艺。CMP 是一种非常有效的多层互连修形工艺，它使得硅集成电路技术得到了飞跃性的发展。CMP 的工艺步骤包括物理上的研磨、化学上的定向腐蚀和衬底表面处理。CMP 技术可以使多层芯片的厚度均匀，保证其表面光洁度。它可以去除多层 芯片之间的理论和非理论间隙，以及边框、封装壁、终端引线和焊盘等附加表面 的面积。CMP 对多层互连的执行工艺将涉及以下几个部分：1.衬底表面处理：为了提高粘合性，通常会在衬底表面进行处理，比如金属层内动、腐蚀等；2.层间厚度调节：通过控制层间厚度以确保电子、机械和热特性；3.层间表面精度处理：在层间界面处理过程中有必要对表面完成精度处理；4.化学机械抛光：通过利用物理或化学材料及相关方法完成光学表面处理。要实现 CMP 技术，就要采用 CMP 抛光机来实现，它可以满足芯片的多层互连的修形和光学表面处理的抛光要求。CMP 抛光机的工作原理是将研磨材料和化学液共同放置在装有滑动夹具、支撑和固定装置的乳白抛光垫上进行抛光，抛光辊将物料一同旋转，从而实现抛光效果。从技术上来看，CMP 可以连续、精确地实现多层互连芯片的厚度均匀、表面光洁度高、间隙修形精确。CMP 技术的应用也受到特定的约束，比如芯片的结构变化，特别是机械力将损失以及产生层间和表面氧化物等影响，比如多层互连有容易产生噪音的情况；此外，CMP 技术 也可能带来粒度大小的不均匀性和金属致密度的下降。因此，要取得优质的抛光效果，操作者要根据不同应用的需要，进行精确的参数调整，以及充分的实际检验，确保抛光质量。