n沟道耗尽型mos管结构34203.pdf

n 沟道耗尽型 mos 管结构 沟道耗尽型 MOS 管是一种微电子器件，由源极、漏极和沟道三部分组成，是用来控制信号在元件之间进行传输的元件。它主要用于改变电路中某一元件的电容，或者控制电路中其他元件的电流，以节约能源。沟道耗尽型 MOSFET 的架构由三部分组成：一是沟道，二是源极，三是漏极。沟道部分由凝聚态物理学界最为熟悉的“金属有机化学绝缘体”三位一体组成；源极部分也常被成为栅极，是用于控制和安装电路电流的；漏极部分是用来控制电流流入和流出的。沟道耗尽型 MOSFET 的工作原理是在三部分的结合下进行的，在 MOSFET 上应用电压时，沟道中的电子将被推到漏极；在 MOSFET 对外部应用电流时，在源极上从外界传来的电子将被推到沟道；当需要停止电流时，漏极中的电子将被推回到沟道，以此来达到控制电路的效果。当 MOSFET 达到沟道耗尽程度，沟道中将不能吸收更多的电子，电子将停止流动，这也是 MOSFET 常用于节约能源的原理所在。传统的沟道耗尽型 MOSFET 只能作为控制装置，而不能作为功率放大器。为此，通过将沟道耗尽型 MOSFET 和功率放大型 MOSFET 相结合，在沟道耗尽型 MOSFET 的基础上实现功率放大效果。通过沟道耗尽型 MOSFET 实现功率放大具有低噪音，低耗能，节约空间等优点，在无线电，电视、汽车电子等许多领域应用非常广泛。总之，沟道耗尽型 MOSFET 具有控制电流节约能源，实现低噪音低耗能节约空间等优点，在目前微电子领域应用非常广泛。它们既可以作为控制装置，也可以作为功率放大器，可应用于省电优化的许多领域，由于日新月异的技术革新，沟道耗尽型 MOSFET 也在不断普及发展。