纳米材料的电学、光学和光电性能及应用前景.pdf

真 空 电子技 术 纳 米 材 料 的 电学、光 学 和光 电性 能 及 应 用 前 景 吴 锦 雷(北 京 大 学 电 子 学 系，北 京 1 0 0 8 7 1)El e c t r i c，Op t i c a l a nd Pho t o e l e c t r i c Pr o pe r t i e s a nd Ap pl i c a t i on o f Na no Sc a l e M a t e r i a l s W U J i n l e i (De p a r t me n t o fE l e c tr o n i c s，Pe k i n g Un i v e r s i t y，B e ij i ng 1 0 0 0 8 7，C h i n a)Abs t r a c t：T he e l e c t r i c pr o p e r t i e s o p t i c a l p r o p e r t i e s，a nd ph o t o e l e c t r i c p r o pe rti e s o f n a n o-ale ma t e ria l s a s we l l a s，ba s i c p rinc i p l e a n d a p p l i c a t i on f o r s i ng l e e l e c t r o n de v i c e，a r e i nt r o du c e d b rie fly i n t h i s p a pe r Th e g r e a t o p t i c al a b s o r pt i o n c o e ffic i e n t an d p ho t o l umi ne s c e n ce f r om n an o-s c ale thi n fil ms c a n b e u s e d i n the s e n sor s Ha l l o-S c ale ma t e rials c o u l d also b e a p p l i e d f o r ult r a f as t p h o t o e l e c t r o ni c d e v i ce s be c a u se the y h a v e ult r a f ast r e s p o n s e s pe e d Ke ywo r d s：Na n o s c a l e ma t e rials；El e c t ric i t y p r o p e r t y；Op t i c a l pr o pe r t y；Ph o t o e l e c t ric p r o p e r t y 摘要：简要 介 绍 了纳 米材 料 的 电学性 能 以及 单 电子 器 件 的 基 本 原 理 和 应 用；纳 米 材料 的 光 学性 能 和光 电性 能，高 的 光 吸收 系数 和光 致荧 光 现象 可使 其 应 用于 敏 感 元 件，由于 其 光 电特 性 具 有 超 快 响 应 速 度，可 望 在 超 快 光 电 子 器 件 中 得 到 应 用。关 键 词：纳 米 材 料；电 学 性 能；光 学 性 能；光 电性 能 中图分 类号：T N 3 0 4 文献 标 识 码：A 文 章编 号：1 0 0 2 8 9 3 5(2 0 0 2)0 4 0 0 2 3 0 5 纳 米 材 料 是 整 个 纳 米 科 学 与 技 术 领 域 重 要 组 成 部 分，它 涉 及 纳 米 材 料 的结 构、性 能 和 应 用，纳 米 材 料 的 制 备 工 艺 及 其 检 测 手 段 等。各 个 纳 米 研 究 领 域，诸 如 纳 米 电子 学、纳 米 化 学、纳 米 生 物 学 等 都 涉 及 纳 米 材 料 的 研 究。纳 米材料 体 系是 丰富 多彩 的，从 纳 米科 学与 技 术 的 各 个 分 支 领 域 来 讲，纳 米 材 料 涉 及 了 纳 米 物 理 学、纳米 电子学、纳米化学、纳米药 学等，纳米材料 的 研究往往需要 现代 物理、化学 等 多学科 结 合，同时，纳 米 材 料 的 研 究 也 与 纳 米 检 测 设 备 和 技 术 紧 密 相 联。纵 观 纳 米 材 料 的研 究 进 程，不 难 发 现，纳 米 材 料 研究 的 内容不 断扩 大，基础 研 究 和应用 研 究都 成 为 关 注 的 热 点。纳 米 材 料 的 制 备 方 法 也 在 不 断 前 进，从 控 制 微 粒 尺 寸 和 形 状 到控 制 界 面、控 制 形 成 薄 膜、设计复合体，现在 纳米 体 系 的 自组 装也 加 入 了研 究 收稿 日期：2 0 0 2-0 4 1 9 基金项 目：国家重 点基 础 研 究 项 目(9 7 3项 目)、国 家 自然 科 学 基 金、行列，例如 纳米阵列 体 系、纳 米镶 嵌 体 系等，目标 是 制 备 纳 米 器 件。总 之，纳 米 材 料 科 学 充 满 了 机 遇 和 挑 战。1 纳 米 材 料 的 电 学 性 能 及 应 用 介 电特 性 是 材 料 的 重 要 性 能 之 一，当 材 料 处 于 交 变 电 场 下，材 料 内部 会 发 生 极 化，这 种 极 化 过 程 对 交 变 电场 有 一 个 滞 后 响 应 时 间，即 弛 豫 时 间。弛 豫 时 间长，则 会 产 生 较 大 的 介 电 损 耗。纳 米 材 料 的 微 粒 尺 寸 对 介 电 常 数 和 介 电 损 耗 有 很 大 影 响，介 电 常 数 与交变电场 的频 率也有密切 关系。例 如纳米 T i O 在频率不太 高 的电场 作用 下，介 电常数 是 随粒 径增 大 而增 大，达到最大值后 下降，出现介 电常数最 大值 时 的粒径 为 1 7 8 H a【1 J。一般讲，纳米材 料 比块体材 料 的 介 电常 数 要 大，介 电 常 数 大 的 材 料 可 以 应 用 于 制 造 大 容 量 电 容 器，或 者 说 在 相 同 电 容 量 下 可 减 小 体积，这对 电子设 备 的小 型化来讲很 有用。单 电子 晶体 管是诱 人 的纳米微粒 电学 性能 的体 现。在 这 里，首 先 简 单 介 绍 一 下 量 子 隧 道 效 应 和 库 仑堵塞。在 电学 里，导 电 是 电子在 导体 内运 动 的表 教 育部 科研 重 点资助 项 目。一一一 一一一 烈 热 个纳米微粒不相连，那么电子从一个微粒 。峨 ，-；。一 。一 。一 i 2 0 0 2年 2 3 N o 4 维普资讯 http:/ 真 空电子技术 运 动 到 另 一 个 微 粒 就 会 象 穿 越 隧 道 一 样，若 电 子 的 隧道 穿 越 是 一 个 一 个 发 生 的，则 在 电压 电 流 关 系 图 上 表 出 台 阶 曲 线，这 就 是 量 子 隧 道 效 应。如 果 两 个 纳 米 微 粒 的尺 寸 小 到 一 定 程 度，它 们 之 间 的 电 容 也 会 小到一定程度，以至 于电子不能集 体传输，只能一 个一个单 电子传输，这种 不 能集 体传 输 电子 的行 为 称 之 为 库 仑 堵 塞 。当 纳 米 微 粒 的 尺 寸 为 1 n m 时，可 以在 室 温 下 观 察 到 量 子 隧 道 效 应 和 库 仑 堵 塞，当纳 米 微 粒 的 尺 寸 在 十 几 纳 米 范 围 时，观 察 这 些 现 象 必 需 在 极 低 温 度 下，例 如 一1 9 6 以 下。利 用 量 子 隧 道 效 应 和 库 仑 堵 塞，就 可 研 究 纳 米 电 子 器 件，其 中单 电 子 晶 体 管 是 重 要 的 研 究 课 题。图 1 是 单 电 子 晶 体 管 的 结 构 示 意 图，其 中 画 斜 线 的部 分 是 连 接 库 仑 岛 与 金 属 引 线 的 隧 道 结，库 仑 岛是 半 导 体 纳 米 微 粒 或 金 属 纳 米 微 粒，在 两 端 的 金 属 引 线 上 加 入 电 压，输 送 电 子 和 接 收 电 子 的 两 个 电 极分别作 为“源”和“漏”，电子从“源”到“漏”是 单 电 子 隧 穿 过 程 和 库 仑 堵 塞 过 程，库 仑 岛 的 一 侧 有 另 一 个 电极，称 之 为“栅”或“门”，“栅”或“门”电极 起 控 制 作 用。UI 2 U 2 源 漏：库 仑 岛 图 1单 电 子 晶 体 管 结 构 不 意 图 由 于单 电子 晶体 管 耗 电 极 小，体 积 也 极 小，可 以 使大规模集成 电路 的集成度 呈 几个 数 量级地 提 高，这 将 会 引起 新 世 纪 里 电 子设 备 的重 大变 革。单 电 子 晶体 管“库 仑 岛”上 存 在 或 失 去 一 个 电 子 的 状 态 变 化 可 以作为高密 度信 息存 储 的记忆 单 元，为高 密 度信 息 存 储 开辟 了 一 条 新 的道 路。2 0 0 1年 2月，德 国 科 研 机 构 报 道 了 利 用 单 个 电 子 作 为 纳 米 电路 开 关 的研 究 取 得 初 步 进 展。现 行 的 普通 硅芯片半导 体 电路 中，微 晶体二 极 管通 过 电路 的接 通 和 断 开 代 表 二 进 制 中 的 1 和 0，实 现 这 样 一个 过 程 大 约 需 几 万 个 电 子。而 德 国科 学 家 在 研 究 中发 现，由 5 5个 A u原 子 在 平 面 分 布 形 成 的“纳 米 簇”可 达 到 同样 的 功 能，而 且 实 现 电 路 的接 通 和 断 开 只 需 要 一 个 电 子。这 一 项 目 的 研 究 者 之 一、埃 森 大 学施 密 特 教 授 认 为，单 电 子 纳 米 开 关 电 路 有 可 能 成 为 未 来 更 小 更 精 确 和 耗 能 更 低 的 芯 片 的 基 础，目前 全 世 界 计 算 机 超 过 1 亿 台，如 果 以 每 台 消 耗 功 率 1 0 0 w 估 算，那 么 仅 为 计 算 机 供 电 就 需 要 1 0 G W 电 量，如 果 单 电 子 纳 米 开 关 电路 成 为 芯 片 的 生 产 标 准，仅 在 电 能 消 耗 上 就 可 以 至 少 降 到 目前 的 万 分 之 一，更 不 用 说 单 电 子 开 关 在 速 度 和 准 确 性 上 的优 势。存 在 于 超 晶格 材 料 中 的量 子 阱 给 超 晶 格 半 导 体 薄 膜 带 来 特 殊 的 电 学 性 能，某 一 能 量 的 电 子 在 周 期 性 结 构 中运 动会 具 有 最 大 的 隧 穿 几 率，利 用 此 特 性 可 制 成 双 极 型 晶 体 管、高 电 子 迁 移 率 晶 体 管 等。另 一方 面，在 一 定 条 件 下 电 子 的 迁 移 可 以使 电 子 的 能 量 发 生 转 换，若 电 子 能 量 转 换 为 光 子 发 射，由此 可 设 计 出量 子 阱激 光 器。纳 米 电 子 器 件 的研 究 成 为 国 际 上 纳 米 电 子 学研 究 的 热 点，关 于 单 电 子 晶 体 管 研 究 的 报 道 接 连 不 断 H ，它 的基 本 结 构 是 纳 米 隧 道 结，利 用“栅”电极 控 制“源”和“漏”两 个 电 极 之 间 的 位 垒 高 度，也 就 控 制 了 这 两 个 电极 之 间 的隧 穿 电 流。德 国 科 学 家 和 美 国 I B M 公 司 的 科 学 家 在 2 0 0 1年 初 报 道 用 碳 纳 米 管 制 备 纳 米 晶 体 管 J，其 结 构 如 图 2所 示，他 们 先 在 硅 基 底 上 氧 化 出一 层 绝 缘 的 S i O ，在 S i O 上 制 备 金 电 极，然后把碳 纳 米 管分 散 在 S i O，上，再 用 原 子 力显 微 镜(A F M)的 针 尖 搬 动 碳 纳 米 管，使 碳 纳 米 管 处 于 两 个 金 电极 之 问，在 两 个 金 电极 上 加 电 压，同 时 硅 基 底 上 加 控 制 电 压 作 为 栅 电 极，这 个 栅 电 极 经 隧 道 场 效 应 作 用 于 碳 纳 米 管，他 们 在 低 温 4 2 K下 测 量 了 由栅 电极 控 制 的 源 和 漏 之 间 的，_ 关 系 曲 线，表 现 出很 好 的 晶 体 三 极 管放 大 特 性。荷 兰 台 尔 福 特 大 学 应 用 物 理 系 的 D e k k e r 实 验 室在近几年发 表 了很多 篇 高水 平 的论 文，先 是低 温 下 测 量 了碳 纳 米 管 的三 极 管 放 大 效 应。现 在 已 研 究 成 功 了室 温 下 的 单 电 子 晶 体 管。他 们 把 长 几 百 纳 米 的金 属 型 单 壁 碳 纳 米 管 放 在 S i S i O，基 底 上，用 A F M 针 尖 驱 动 碳 纳 米 管 产 生 一 个 弯 曲，见 图 3(a)，然后 再 在 距 这 个 弯 曲点 约 2 5 n m 的地 方 向相 反 的方 向 构 造 另 一 个 弯 曲(见 图 3(b)；这 两 个 相 反 方 向 的 弯 曲 组成 一 个 碳 纳 米 管 的 弯 曲 结(见 图 3(c)，放 大 的弯 曲结 如 图 3(d)所 示。通 过 测 试 栅 电 极 对 碳 纳 米 管 导 电 性 的影 响，发 现 在 室 温 下，无 弯 曲 结 时，栅 =一 一一 一一一。褪控制作用，而有弯曲结时，栅电极对碳纳米 i 2 0 0 2年2 4 N o 4 1 _ l I l _ _ H-_ l _ l 维普资讯 http:/ 真 空 电 子技 术 昊锦 雷：纳 米 材 料 的 电 学、光 学 和 光 电性 能 及 应 用 前 景 V A C U U M E L E C T R O N I C S 图 2碳纳 米 管构 成 的 晶体管 示 意 图 管 的 导 电性 起 到 控 制 作 用，这 就 是 新 型 的室 温 单 电 子 晶 体 管。输 入 电压，v (a)【b)(d)图 3 由碳 纳 米 管弯 曲结 构 成 的室 温单 电 子 晶体 管 随着单 电子 晶体管 研 究 的深入，科 学 家研 究 出 了 由 碳 纳 米 管组 成 的逻 辑 电 路，碳 纳 米 管 有 P型 掺 杂和 n型 掺杂，设 计 的 每个 晶体 管 增 益大 于 1 O，开关 比大 于 1 0 ，用 1 3个 晶体管构成 一定 的电路，就 可 以 形 成 逻 辑 控 制 器，如 图 4(a)(d)所 示，其 中(a)为像反 相器，(b)为非 与 门 电路，(c)为 静态 随 机 记 忆 器，(d)为交 流 环 型 振 荡 器。O 之 一 0 5 幽 毛 簿 一 1 0 之 丑 挥 时 间 s (b)0 辫 图 4 由碳 纳米 管 组成 的晶体 管逻 辑 电路 2纳 米 材 料 的 光 学 性 能 及 应 用 大 家 都 知 道，A u的 颜 色 是 金 黄 色，舷 是 银 白 色，但是 当以纳米微粒形 式存 在时，它们 的颜色都 呈 现相 同 的 深 灰 色，这 是 由 于 纳 米 微 粒 的光 吸 收 系 数 大，而 光 反 射 系 数 小 的 缘 故。一 般 金 属 纳 米 微 粒 对 光 的反 射 率 低 于 1 0 ，利 用 此 特 性 可 把 金 属 纳 米 微 粒薄膜 作为高效光热材 料、光 电转换材料、红外 隐身 材 料，可 以制 作 红 外 敏 感 元 件 等。如 果 把 金 属 纳 米(d)一 尊 微 粒 埋 藏 于 半 导 体 中，它 们 的 光 学 性 能 更 为 奇 特，1 9 9 8年 报 道 了 舷 纳米 微 粒 与 B a O半 导 体 介 质 构 成 的复 合 薄 膜 的 光 吸 收 特 性 ，如 图 5所 示，测 量 了 近 紫 外 光 到 可 见 光 的 吸 收 光 谱，当 舷 纳 米 微 粒 平 均 直径 为 1 5 n m时，薄膜在 紫光波段 4 1 0 i l m处 有一 明 显 的 吸 收 峰。光 学 性 能 实 质 上 是 与 材 料 中 电 子 的 迁 移相联系 的，由于纳 米微 粒 与介 质构 成 的复合 体 系 的介 电常 数与普通 块 体材 料有 很 大不 同，造成 原 子 2 0 0 2年2 5 N o 4 1 l _ _ l _ l _ l _ 维普资讯 http:/ 真空电 子 技术 二二 二 电离 产 生 等 离 子 激 元 共 振 的 吸 收 峰，即 电 偶 极 振 荡 的 吸 收。实 验 中发 现 纳 米 微 粒 的 尺 寸 减 小 会 使 吸 收 谱 峰 展 宽。波长 n m 图 5 A g纳 米微 粒 与 B a O半 导体 介 质 的构 成 的 复合 薄膜 的光 吸收 特性 在 纳 米 材 料 的发 展 中，人 们 发 现 有 些 原 来 不 发 光 的 材 料，当使 其 粒 子 小 到 纳 米 尺 寸后，可 以 观 察 到 从 近 紫 外 光 到 近 红 外 光 范 围 中 的 某 处 发 光 现 象，尽 管发 光强度不算 高，但 纳米 材料 的发 光 效应 却 为设 计 新 的发 光 体 系 和 发 展 新 型 发 光 材 料 提 供 了 一 条 新 的 道 路，特 别 是 纳 米 复 合 材 料 更 显 优 势。2 0 0 0年 北 京大学报道 了埋 藏于 B a O介 质 中的 A g纳 米微粒 在 可 见 光 波 段 光 致 荧 光 增 强 现 象 ，作 为 比较，实 验 中 A g薄 膜 和 A g B a O薄 膜 中 的 A g 含 量 是 相 同 的，两 种 薄 膜 中 的 A g 微 粒 平 均 直 径 都 是 2 0 n m，采 用 紫 外 光激发，从 图 6看 到，纯 A g纳米 薄膜 的光致 荧光 谱 有两 个 峰 值，峰 的 中 心 分 别 位 于 红 光 波 段 1 7 5 e V 处 和 蓝 紫 光 波 段 3 0 e V 处，室 温 下 A g B a O 薄 膜 的 光致 荧光发射谱相对 于纯 A g纳米薄膜 有明显增强，红 光 波 段 增 强 9倍，蓝 紫 光 波 段 增 强 1 9倍，这 两 种 纳米薄膜 的荧光 发射 均是 A g纳 米微 粒起“主 角”作 葛 鹤 黑 1 8 22 2 6 30 3 4 光 子能量 e V 图 6埋藏 于 B a O介 质 中的 A g 纳 米微 粒 的光 致荧 光 增强。”：2 0 0 2耳。-1 11 用，而 当 A g纳 米 微 粒 受 到 B a O介 质 围 绕 后，更 有 利，于 对 光 子 的 吸 收 并 转 换 为 荧 光 发 射。3纳 米 材 料 的 光 电性 能 及 应 用 光 具 有 波 动 性 和 粒 子 性，当光 子 照 射 到 某 种 材 料 上，吸 收 的光 子 能 量 若 转 换 为 电 子 动 能，这 就 是 光 电 效 应，由 光 子 激 发 生 成 的 电 子 被 称 之 为 光 电 子。光 电 效 应 分 为 内 光 电 效 应 和 外 光 电 效 应；太 阳 能 电 池 材 料 属 于 内光 电 效 应 材 料，光 电 子 在 材 料 内 部 输 运；光 电 发 射 薄 膜 属 于 外 光 电效 应 材 料，光 电 子逸 出 材料表面被激发 到 真 空，并被 材料 之 外 的收 集极 所 接 收。纳 米 材 料 在 光 电转 换 效 应 方 面 有 很 多 特 有 的 性 能，当 金 属 纳 米 微 粒 埋 藏 于半 导 体 介 质 中，纳 米 微 粒要 向 周 围介 质 输 运 电 子，在 微 粒 表 面 形 成 电 荷 积 累，于是 界 面 的等 效 位 垒 高 度 降 低，当 电 子 受 到 光 的 激 发，电 子 容 易 逸 出 薄 膜 表 面 而 发 射 到 真 空 中 去。北 京 大 学 论 证 了金 属 纳 米 微 粒 复 合 介 质 薄 膜 光 电时间 响应，指 出 A g纳米微 粒埋藏 于 c s 2 0半导 体 介 质 中的 薄 膜 在 近 红 外 光 作 用 下，其 时 间 响 应 为 5 0 f s，时 间 响 应 与 入 射 光 子 能 量 的 关 系 曲 线 如 图 7 所 示，这 比普 通 半 导 体 光 电 薄 膜 的 时 间 响 应 快 了 3 个 数 量 级，证 明 了这 种 薄 膜 完 全 可 以应 用 于 超 短 激 光 脉 冲 检 测。5 0 f s 是 什 么 含 义 呢?大 家 知 道，光 的 速 度 最 快，为 3 X 1 0。m s，相 当 于 绕 地 球 赤 道 7 5圈，光 传 播 1 m 的距 离 只 需 要 3 3 x 1 0 一 S，即 3 3 n s，传 播 1 m l n的距 离 只 需 要 3 3 X 1 0 s，即 3 3 p s，f s 是 1 0 S，所 以 5 0 f s比在 细 头 发 丝 直 径 方 向 上 光 传 播 所用 的 时 间 还 短。图 7 Ag C s 2 O 薄 膜 光 电 发 射 时 间 响 应(Tr S，t )与 入 射 光子 能量(h u)的关 系 金 属 C u纳 米 微 粒 复 合 薄膜 C u B a O在 飞 秒 激 光 脉冲作用下光学 瞬 态弛豫 只有 1 8 p s ，如 图 8所 示。光 学 瞬 态 弛 豫 的概 念 是 指 薄 膜 受 到 超 快 光 脉 冲 的激发，它的透过率会 有一个变化，当激光脉 冲终 止 后，薄 膜 透 过 率 的恢 复 有 一滞 后 时 间，称 之 为 光 学 弛 豫。这个 弛 豫 时 间 越 短，则 薄 膜 的 光 学 瞬 态 响 应 越 2 6 N 0 4 1 1 1 1 1 1 维普资讯 http:/ 真 空 电 子技 术 吴锦 雷：纳 米 材 料 的 电 学、光 学 和 光 电性 能及 应 用 前 景 V A C U U M E L E C T R O N I C S 好，它 可 以应 用 于 瞬 态光 保 护、瞬 态光 开 关 等。以 前，人 们 认 为 纯 金 属 薄 膜 的 光 学 瞬 态 响 应 时 间最 快，现 在 纳 米 技 术 的 发 展，C u B a O薄 膜 的 光 瞬 态 弛 豫 时 间 比纯 C u得 到 的 实 验 结 果 2 5 p s 还 要 快。图 8 Cu B a O 薄 膜 光 学 透 过 率 瞬 态 响 应 金 属 纳 米 微 粒 埋 藏 于 半 导 体 介 质 中 的 薄 膜，由 于金属纳米微 粒与 介 质 问的相 互作 用，以及纳 米微 粒 的 表 面效 应 和 量 子 尺 寸 效 应，使 这 种 薄 膜 具 有 独 特的光学、电学 和 光 电转换 性 能，在 激 光 脉 冲作 用 下，它具有 多光 子 光 电发 射 特 性“，在 飞秒 超 短激 光脉 冲作 用下，它表 现 了超快 时 间响应 的光学 瞬 态 弛 豫，这 类 薄 膜 在 超 高 速 光 学 和 超 快 光 电 子 器 件 中 有 很 强 的 应 用 背 景。4结束 语 历 史 的 车 轮 把 人 类 从 混 饨 初 开 的 时代 带 入 到 一 个 新 的 千 年，蒸 汽 机 的 发 明 给 人 类 带 来 了 巨 大 的 动 力，把 农 业 经 济 推 向 了 工 业 经 济，电 的发 明 又 一 次 给 人类带来 了重大的社会变革，到 了上个世纪末，人类 进入 了信 息时代。纳米科学与技 术带来 了新 的发展 领 域，前 途 无 限 广 阔。纳 米 材 料 正 E t 新 月 异 地 被 研 究 出来，它们 的神奇性能 正在被开发，我 国在 纳米材 料 的 若 干方 面 的 研 究 已取 得 了很 出 色 的 成 果。但是，应该 清醒地看到，目前 纳米材料 的研 究大 多 还 在 实 验 室 阶 段，很 多 问题 需 要 解 决，相 信 通 过 孜 孜 不 倦 地 探 索，纳米 材 料 的研 究 会 有 新 的 突 破，它 将 会 服 务 于人 类，拓 展 我 们 的新 生 活。参 考 文 献 l 1 B e r k o wt z A E，Mi t e k e l l J R，C o r e y M J P h y s Re v L e t t，1 9 9 2，68：3 7 45 1 2 F u h o n T A，D o l a n G J P h y s R e v Let t，1 9 8 7，5 9：1 0 9 3 L i k h a r e v K K J I B M R e v D e v e l o p，1 9 8 8，3 2(5)：3 2 1 4 T a i i s S T，D e k k e r C N a t u r e，1 9 9 8，3 9 3：4 9 1 5j D e v o r e t M H，S c h o e l k o p f R J Na t u r e，2 0 0 0，4 0 6：1 0 3 9 1 6K y c i a J B，T h e r r i e n J C R，K u r d a k C P h y s R e v Le t t，2 0 01，8 7：01 70 0 2 1 7Ha r u y a ma J，T a k e s u e I，Ha s e g a w a T e t a 1 P h y s Re v，2 0 01，B63：e 0 73 4 0 6 1 8 F a r h a n g f a r S，P o i k o l a i n e n R S，P e k o l a J P P h y s Re v，2 0 01，B63：e 0 7 53 0 9 1 9R o t h S，B u r g h a r d M，K r s t i c V e t a 1 C u r r e n t A p p l i e d P h y s i c s，2 0 01，1：56 1 1 0P o s t ma H W C，T e e p e n T，Ya o Z e t a 1 S c i e n c e，2 0 0 1，2 9 3：7 6 1 1 B a c h t o l d A，H a d l e y P，N a k a n i s h i T e t a 1 Sci e n c e，2 0 0 1，2 9 4：1 31 7 1 2 李丽 君，吴 锦 雷 光 学学 报，1 9 9 8，1 8(1 1)：1 5 5 1 1 3 林琳，吴 锦 雷 真 空科 学 与技 术，2 0 0 0，2 O(1)：5 1 4 wu J L，G u o L J，wu Q D A c t a P h y s i c a S i n i c a，1 9 9 4，3 (7)：5 2 8 1 5 吴锦 雷，王传 敏 电 子学 报，1 9 9 8，2 6(1 1)：3 7 1 6 wu J L，Z h a n g X，【j u w M e t a 1 S u r f R e v Let t，1 9 9 6，3 (1)：1 0 r 7 7 维普资讯 http:/