BFG197晶体管产品规格书.pdf
BFG197 NPN 微波低噪声晶体管BFG197 NPN 微波低噪声晶体管 北京鼎霖电子科技北京鼎霖电子科技 BFG197 NPN TRANSISTOR MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 1.1.简述：简述：本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及 低噪声、低漏电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中，如卫星电视调谐器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、雷达探测器、射频模块和 光纤传输中的中继放大器等产品；集电极-发射极击穿电压：BVCEO=15V，集电极电流：IC=70mA,耗散功率：PC=300mW，特征频率：fT=9GHz。2.2.封装形式和引脚定义：封装形式和引脚定义：型号型号(Model)BFG197 BFG197/X BFG197A/XR 封装形式(Package)SOT143B SOT143B SOT143R 本体激光标示(Marking)V5 V13 V35 引脚(Pin)1 collector collector collector 引脚(Pin)2 base emitter emitter 引脚(Pin)3 emitter base base 引脚(Pin)4 emitter emitter emitter 3.极限参数（Tamb=25）：极限参数（Tamb=25）：参数名称 参数名称 符号 符号 额定值 额定值 单位 单位 集电极-基极击穿电压 BVCBO 20 V 集电极-发射极击穿电压 BVCEO 10 V 发射极-基极击穿电压 BVEBO 2.5 V 集电极电流 IC 100 mA 耗散功率 PT 350 mW 最高结温 TJ 150 储存温度 Tstg-65+150 Lead-freeLead-free 4 4312312SOT143R 4 4312312SOT143B Top view BFG197 NPN 微波低噪声晶体管BFG197 NPN 微波低噪声晶体管 北京鼎霖电子科技北京鼎霖电子科技 4.电参数及规格（Tamb=25）：电参数及规格（Tamb=25）：参数名称 参数名称 符号 符号 测试条件 测试条件 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位 单位 集电极截止电流 ICBO VCB=5V,IE=0-0.05 A 直流电流放大系数 hFE VCE=5V,IC=50mA 50 120 250 特征频率 fT VCE=5V,IC=50mA-8-GHz 反馈电容 Cre IC=iC=0,VCB=8V,f=1MHz-0.85-pF 集电极电容 CC IE=ie=0,VCB=8V,f=1MHz-1.5-pF 发射极电容 Ce IC=iC=0,VEB=0.5V,f=1MHz-3.3-pF 插入功率增益 S212 IC=50mA,VCE=6V,f=1GHz-15-dB VCE=8V,IC=15mA,f=1GHz-1.7-dB 噪声系数 NF VCE=6V,IC=50mA,f=2GHz-2.4-dB IC=50mA,VCE=6V,f=1GHz-16-dB 最大单边功率增益 GUM IC=50mA,VCE=6V,f=2GHz-10-dB 5.典型特征曲线5.典型特征曲线：TOTAL POWER DISSIPATION TOTAL POWER DISSIPATION VSVS.AMBIENT TEMPERATTURE.AMBIENT TEMPERATTURE400300100050100200150400300100050100200150 TS()Ptot(mW)REVERSE TRANSFER CAPACITANCE REVERSE TRANSFER CAPACITANCE VSVS.COLLECTOR TO BASE VOLTAGE.COLLECTOR TO BASE VOLTAGE1.00 80 404812161.00 80 40481216 VCB(V)Cre(pF)Cre(pF)0 0I IC C=0；f=1MHz=0；f=1MHz0 0TYPICAL CHARACTERISTICS(TYPICAL CHARACTERISTICS(TA=25,unless otherwise specified)nless otherwise specified)200200Free airFree airDC CURRENT DC CURRENT VSVS.COLLECTOR CURRENT.COLLECTOR CURRENT2001501020015010-2-21010-1-11 1h hFEFE10100 0V VCECE=6 V250=6 V250501005010010102 2 IC(mA)FREQUENCY FREQUENCY VSVS.COLLECTOR CURRENT.COLLECTOR CURRENT8611010086110100 IC(mA)f fT T(GHz)(GHz)0 02 2V VCECE=6 V f=1GHz=6 V f=1GHz4 41010 BFG197 NPN 微波低噪声晶体管BFG197 NPN 微波低噪声晶体管 北京鼎霖电子科技北京鼎霖电子科技 BFG197 NPN 微波低噪声晶体管BFG197 NPN 微波低噪声晶体管 北京鼎霖电子科技北京鼎霖电子科技 6.封装尺寸示意图：6.封装尺寸示意图：7.包装信息：7.包装信息：PACKAGE INFORMATION 封装形式 Package 数量/盘 Shipping 盘/中盒 Inner Box中盒/箱 Carton SOT143B 2000pcs/Tape&Reel10Tape&Reel 6 Inner Box SOT143R 2000pcs/Tape&Reel10Tape&Reel 6 Inner Box SOT143R PACKAGE DIMENSIONS (Units:mm)1241242.90.051.70.051.90.052.40.1Marking0.40.10.420.063 30.10.040.1 TYP.1.0 TYP.0.830.051.30.1PIN CONNECTIONS 1.Collector 3.Base 2&4.Emitter
