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    新余记录媒体靶材项目实施方案(模板).docx

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    新余记录媒体靶材项目实施方案(模板).docx

    泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案新余记录媒体靶材项目新余记录媒体靶材项目实施方案实施方案xxxx 有限公司有限公司泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案目录目录第一章第一章 项目背景分析项目背景分析.8一、趋势难逆,传统光磁记录媒体正转向半导体存储.8二、国产替代+技术革新,高端靶材需求强劲.9三、提升核心创新能力.11第二章第二章 绪论绪论.13一、项目名称及项目单位.13二、项目建设地点.13三、可行性研究范围.13四、编制依据和技术原则.14五、建设背景、规模.15六、项目建设进度.16七、环境影响.16八、建设投资估算.16九、项目主要技术经济指标.17主要经济指标一览表.17十、主要结论及建议.19第三章第三章 市场预测市场预测.20一、应用趋势:下游技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展.20第四章第四章 建设内容与产品方案建设内容与产品方案.24一、建设规模及主要建设内容.24泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案二、产品规划方案及生产纲领.24产品规划方案一览表.24第五章第五章 项目选址方案项目选址方案.26一、项目选址原则.26二、建设区基本情况.26三、打造数字经济新引擎.27四、建高层次创新体系.29五、项目选址综合评价.31第六章第六章 法人治理法人治理.32一、股东权利及义务.32二、董事.39三、高级管理人员.43四、监事.46第七章第七章 SWOT 分析分析.48一、优势分析(S).48二、劣势分析(W).50三、机会分析(O).50四、威胁分析(T).51第八章第八章 运营模式运营模式.55一、公司经营宗旨.55二、公司的目标、主要职责.55三、各部门职责及权限.56泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案四、财务会计制度.60第九章第九章 进度计划进度计划.65一、项目进度安排.65项目实施进度计划一览表.65二、项目实施保障措施.66第十章第十章 安全生产安全生产.67一、编制依据.67二、防范措施.68三、预期效果评价.71第十一章第十一章 技术方案技术方案.73一、企业技术研发分析.73二、项目技术工艺分析.75三、质量管理.77四、设备选型方案.78主要设备购置一览表.78第十二章第十二章 环境保护分析环境保护分析.80一、环境保护综述.80二、建设期大气环境影响分析.81三、建设期水环境影响分析.83四、建设期固体废弃物环境影响分析.83五、建设期声环境影响分析.83六、环境影响综合评价.84泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案第十三章第十三章 原辅材料成品管理原辅材料成品管理.85一、项目建设期原辅材料供应情况.85二、项目运营期原辅材料供应及质量管理.85第十四章第十四章 组织机构及人力资源组织机构及人力资源.87一、人力资源配置.87劳动定员一览表.87二、员工技能培训.87第十五章第十五章 项目投资计划项目投资计划.89一、编制说明.89二、建设投资.89建筑工程投资一览表.90主要设备购置一览表.91建设投资估算表.92三、建设期利息.93建设期利息估算表.93固定资产投资估算表.94四、流动资金.95流动资金估算表.96五、项目总投资.97总投资及构成一览表.97六、资金筹措与投资计划.98项目投资计划与资金筹措一览表.98泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案第十六章第十六章 项目经济效益项目经济效益.100一、基本假设及基础参数选取.100二、经济评价财务测算.100营业收入、税金及附加和增值税估算表.100综合总成本费用估算表.102利润及利润分配表.104三、项目盈利能力分析.105项目投资现金流量表.106四、财务生存能力分析.108五、偿债能力分析.108借款还本付息计划表.109六、经济评价结论.110第十七章第十七章 风险风险及应对措施风险风险及应对措施.111一、项目风险分析.111二、项目风险对策.113第十八章第十八章 项目综合评价项目综合评价.116第十九章第十九章 附表附件附表附件.118建设投资估算表.118建设期利息估算表.118固定资产投资估算表.119流动资金估算表.120总投资及构成一览表.121泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案项目投资计划与资金筹措一览表.122营业收入、税金及附加和增值税估算表.123综合总成本费用估算表.124固定资产折旧费估算表.125无形资产和其他资产摊销估算表.126利润及利润分配表.126项目投资现金流量表.127泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案第一章第一章 项目背景分析项目背景分析一、趋势难逆,传统光磁记录媒体正转向半导体存储趋势难逆,传统光磁记录媒体正转向半导体存储固态硬盘替代机械硬盘已是大势所趋,传统光磁记录媒体靶材预计将逐步向半导体存储芯片靶材转移。作为新一代硬盘,SSD 在性能、体积、噪音、震动等方面均远胜于 HDD。近几年随着 NAND 闪存技术的不断发展,基于闪存存储的 SSD 性能不断提升,不仅寿命足以支持各类应用场景,其价格也在持续回落恢复到市场所认同的高性价比。但短期来看,HDD 在数据中心等方面的优势依然较为突出,SDD 仍有部分缺陷尚待攻克,受益于全球数据存储需求的高速增长,HDD 与 SSD 在存储容量方面均将保持较快增速,但 SSD 对 HDD 逐步形成侵蚀已成必然。也将带动传统光磁记录媒体靶材预计将逐步向半导体存储芯片靶材转移。此外存储芯片需求的上升预计将带来钴靶、钨靶、钽靶等靶材需求上升。据电子工程世界 2018 年进口靶材免税“天窗”即将到期,或增加 17%关税利好国内厂商一文介绍,存储器芯片靶材使用和逻辑芯片的使用种类有很大区别。逻辑里用量大的是铜、钽、钛、铝、钴、镍铂等,这几种材料占到所有份额的 95%以上,其中铜和钽占采购份额的 85%。铜和钽是逻辑 FAB 里面用量最大的两种产品,若能掌握铜、钽靶材的生产工艺,则主导逻辑 FAB 靶材。存储器芯片则分为两个方向,一个是 DRAM,一个是 NAND。泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案DRAM 厂主要种类是钨、钛、钽、铝、钴、铜,用量最大的是钛靶和铝靶,但单块金额较低。如能掌握钴靶、钨靶、钽靶的研发能力,预测便能掌握较大的 DRAM 份额。铝靶、钛靶的行业壁垒相对较低,使用较为成熟,国内的江丰、有研等在 FAB 采购份额也均占有一定的比例,对于高端的钨、钴、钽靶材供应商主要还是以 nikko、Tosol 和honeywell 等国外企业为主,铜的用量则相对不大。3DNAND 领域主要使用的靶材为钨,其次是钛,再其次是铜和钽的用量,钨靶的采购额占据 3DNAND 工厂的 70%以上份额,钽靶 Tosol 的市场份额还是有很大的竞争力,Nikko 在钽靶方面前期做的不如其他家,但是 Nikko 收购了钽靶的原材料供应商,预计后期 Nikko 竞争力相对较强。此外我国的长江存储 32 层堆栈 3DNAND 闪存量产在即,国产 3D-NAND 加速崛起,钨靶在国内市场需求较大,也是目前我国亟需突破的一款靶材。江丰电子与章源钨业也在高纯钨及靶材方面取得了较大进步。二、国产替代国产替代+技术革新,高端靶材需求强劲技术革新,高端靶材需求强劲靶材主要用于平板显示器、半导体、光伏电池、记录媒体等领域。从需求来,靶材是制备功能薄膜的核心原材料,主要用于面板、半导体、光伏和磁记录媒体等领域,实现导电或阻挡等功能。2020 年全球靶材市场规模约 188 亿美元,我国靶材市场规模为 46 亿美元。从泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案供给来看,四家日美巨头占据 80%靶材市场,国内溅射靶材主要应用于中低端产品,国产替代需求强烈。产业转移加速靶材国产替代,技术革新推动铜钽需求提升。半导体芯片行业是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域,纯度要求通常达 5N5 甚至 6N 以上。随着半导体产业加速向国内转移,预计 25年我国半导体靶材市场规模将达到约 6.7 亿美元,21-25 年我国靶材需求增速或达 9.2%。同时随着下游芯片技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展,其中铜、钽靶材需求增长前景较好。供给方面,日美厂商约占 90%份额,但有研等企业已在国产铜、铝等靶材取得突破,同时产能也在不断扩张,预计未来 2-3 年我国半导体靶材将新增 10 万块以上产能。国产替代+产品迭代,我国显示面板靶材需求有望持续高速。FDP靶材根据工艺,可分为溅射用靶材和蒸镀用靶材。其中溅射靶材主要为 Cu、Al、Mo 和 IGZO 等,纯度和技术要求仅次于半导体,一般在 4N甚至 5N 以上,但对靶材的焊接结合率、平整度等提出了更高要求。受益显示面板需求上涨和我国显示面板国产替代提升,预计 25 年我国FDP 靶材市场规模将达 50 亿美元,21-25 年 CAGR 为 18.9%。此外预计OLED 用钼靶与低电阻铜靶成长空间广阔。供给来看,我国显示面板靶材高度依赖进口,日企在国内市场仍然占据主导地位,国内以隆华科泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案技、江丰电子、阿石创、先导稀材、有研新材为主,国产替代正逐渐加速。Hit 量产元年开启,靶材或迎成长机遇期。光伏靶材的使用主要是薄膜电池和 HIT 光伏电池,纯度一般在 4N 以上。随着 HIT 电池和薄膜电池的发展,预计 25 年我国市场规模将接近 38 亿美元,21-25 年CAGR 为 56.1%。供给方面,由于国内薄膜电池及 HIT 电池市场规模尚小,相关靶材企业也较少,多处起步阶段,其中先导稀材、江丰电子等产能相对较大,此外隆华科技也已开始布局相关产业龙头。趋势难逆,磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。磁记录靶材则多以溅射法制作,常用材料为钴(3N)/镍/铁合金/铬/碲、硒(4N)/稀土-迁移金属(3N)等,主要包括铬靶、镍靶、钴靶。我国磁记录靶材市场以海外供应为主,中国生产磁记录靶材企业数量和产能非常有限。由于我国机械硬盘国产化水平极低,且记录媒体研发重心主要在半导体存储,预计传统机械键盘成长空间有限,磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。3DNAND 领域用钨、钛、铜、钽靶材需求增量较大。三、提升核心创新能力提升核心创新能力加快建设国家自主创新示范区,加大科技攻关和科技投入,全面提升科技创新驱动经济高质量、高水平发展能力。泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案(一)推动全社会研发投入攻坚健全创新投入机制,加大对企业开发新产品的支持力度,改革财政科技资金投入方式,探索企业研发经费财政适当补助办法,通过各类“后补助”方式支持企业科技创新。提升技术创新在国有企业经营业绩考核中的比重,落实国有企业技术开发投入视同利润的鼓励政策。健全中小企业“科技信贷通”融资担保体系,完善中小企业信贷风险补偿制度。(二)实施重大科技攻关专项结合产业基础和未来发展方向,依托新型举国体制的制度优势,推动重点产业领域在关键核心技术研发和转化上取得重大突破。推动钢铁产业协同创新,建设国内最具竞争力的无取向硅钢生产基地和稀土钢研发生产基地。推动锂电产业加快新一代固态锂电池研发,打造全球锂电高地。加快光伏产业终端技术研发,打造全国重要的光伏产业基地。推动绿色生态农业提升新技术新工艺,打造全国生态循环农业样板。推动硅灰石、电子信息、装备制造、消防等优势特色产业更高水平参与国内外竞争,实现创新链与产业链融合发展。泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案第二章第二章 绪论绪论一、项目名称及项目单位项目名称及项目单位项目名称:新余记录媒体靶材项目项目单位:xx 有限公司二、项目建设地点项目建设地点本期项目选址位于 xxx(待定),占地面积约 33.00 亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。三、可行性研究范围可行性研究范围根据项目的特点,报告的研究范围主要包括:1、项目单位及项目概况;2、产业规划及产业政策;3、资源综合利用条件;4、建设用地与厂址方案;5、环境和生态影响分析;6、投资方案分析;7、经济效益和社会效益分析。泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案通过对以上内容的研究,力求提供较准确的资料和数据,对该项目是否可行做出客观、科学的结论,作为投资决策的依据。四、编制依据和技术原则编制依据和技术原则(一)编制依据(一)编制依据1、国家经济和社会发展的长期规划,部门与地区规划,经济建设的指导方针、任务、产业政策、投资政策和技术经济政策以及国家和地方法规等;2、经过批准的项目建议书和在项目建议书批准后签订的意向性协议等;3、当地的拟建厂址的自然、经济、社会等基础资料;4、有关国家、地区和行业的工程技术、经济方面的法令、法规、标准定额资料等;5、由国家颁布的建设项目可行性研究及经济评价的有关规定;6、相关市场调研报告等。(二)技术原则(二)技术原则1、严格遵守国家和地方的有关政策、法规,认真执行国家、行业和地方的有关规范、标准规定;泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案2、选择成熟、可靠、略带前瞻性的工艺技术路线,提高项目的竞争力和市场适应性;3、设备的布置根据现场实际情况,合理用地;4、严格执行“三同时”原则,积极推进“安全文明清洁”生产工艺,做到环境保护、劳动安全卫生、消防设施和工程建设同步规划、同步实施、同步运行,注意可持续发展要求,具有可操作弹性;5、形成以人为本、美观的生产环境,体现企业文化和企业形象;6、满足项目业主对项目功能、盈利性等投资方面的要求;7、充分估计工程各类风险,采取规避措施,满足工程可靠性要求。五、建设背景、规模建设背景、规模(一)项目背景(一)项目背景半导体芯片行业常用的金属溅射靶材主要种类包括:铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯溅射靶材,以及镍铂、钨钛等合金类的溅射靶材,其中铝与铜为两大主流导线工艺。目前芯片生产所使用的主流工艺中同时存在铝和铜两种导线工艺,一般来说 110nm 晶圆技术节点以上使用铝导线,110nm 晶圆技术节点以下使用铜导线。钛靶和铝靶通常配合起来使用,常作为铝导线的阻挡层的薄膜材料,钽靶则配合铜靶使用,作为铜导线的阻挡层的薄膜材料。泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案(二)建设规模及产品方案(二)建设规模及产品方案该项目总占地面积 22000.00(折合约 33.00 亩),预计场区规划总建筑面积 45658.31。其中:生产工程 31891.86,仓储工程7596.67,行政办公及生活服务设施 4462.23,公共工程 1707.55。项目建成后,形成年产 xxx 吨记录媒体靶材的生产能力。六、项目建设进度项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况,xx 有限公司将项目工程的建设周期确定为 24 个月,其工作内容包括:项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、环境影响环境影响本期工程项目设计中采用了清洁生产工艺,应用清洁原材料,生产清洁产品,同时采取完善和有效的清洁生产措施,能够切实起到消除和减少污染的作用;因此,本期工程项目建成投产后,各项环境指标均符合国家和地方清洁生产的标准要求。八、建设投资估算建设投资估算(一)项目总投资构成分析(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资 14803.39 万元,其中:建设投资 11853.56泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案万元,占项目总投资的 80.07%;建设期利息 314.43 万元,占项目总投资的 2.12%;流动资金 2635.40 万元,占项目总投资的 17.80%。(二)建设投资构成(二)建设投资构成本期项目建设投资 11853.56 万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用 10519.15 万元,工程建设其他费用1043.51 万元,预备费 290.90 万元。九、项目主要技术经济指标项目主要技术经济指标(一)财务效益分析(一)财务效益分析根据谨慎财务测算,项目达产后每年营业收入 27600.00 万元,综合总成本费用 21713.33 万元,纳税总额 2804.04 万元,净利润4304.99 万元,财务内部收益率 21.82%,财务净现值 7727.57 万元,全部投资回收期 5.85 年。(二)主要数据及技术指标表(二)主要数据及技术指标表主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号序号项目项目单位单位指标指标备注备注1占地面积22000.00约 33.00 亩1.1总建筑面积45658.311.2基底面积13860.00泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案1.3投资强度万元/亩356.062总投资万元14803.392.1建设投资万元11853.562.1.1工程费用万元10519.152.1.2其他费用万元1043.512.1.3预备费万元290.902.2建设期利息万元314.432.3流动资金万元2635.403资金筹措万元14803.393.1自筹资金万元8386.653.2银行贷款万元6416.744营业收入万元27600.00正常运营年份5总成本费用万元21713.336利润总额万元5739.987净利润万元4304.998所得税万元1434.999增值税万元1222.3610税金及附加万元146.6911纳税总额万元2804.04泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案12工业增加值万元9725.4513盈亏平衡点万元9991.28产值14回收期年5.8515内部收益率21.82%所得税后16财务净现值万元7727.57所得税后十、主要结论及建议主要结论及建议该项目的建设符合国家产业政策;同时项目的技术含量较高,其建设是必要的;该项目市场前景较好;该项目外部配套条件齐备,可以满足生产要求;财务分析表明,该项目具有一定盈利能力。综上,该项目建设条件具备,经济效益较好,其建设是可行的。泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案第三章第三章 市场预测市场预测一、应用趋势:下游技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、应用趋势:下游技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展高纯度化发展芯片制程工艺已经从 130nm 提升至 7nm,晶圆尺寸也已实现了 8 英寸到 12 英寸的转变,,对溅射靶材性能要求大幅提升。溅射靶材的技术发展趋势与下游应用领域的技术革新息息相关,随着应用市场在薄膜产品或元件上的技术进步,溅射靶材也需要随之变化,随着半导体技术的不断发展,集成电路中的晶体管和线宽的尺寸越来越小。芯片制程工艺已经从 130nm 提升至 7nm,与之对应的晶圆尺寸也已实现了 8英寸到 12 英寸的转变,此外台积电、三星等企业也正在加速推进更高端的芯片制程工艺研发与生产。为了满足现代芯片高精度、小尺寸的需求,对电极和连接器件的布线金属薄膜的性能要求越来越高,这就对溅射靶材的性能提出了更高的要求。推动溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展。1、趋势 1:大尺寸大尺寸是靶材的重要发展方向,但随尺寸增加,靶材在晶粒晶向控制难度呈指数级增加,对技术要求就越高。晶圆尺寸越大,可利用效率越高。.12 英寸晶圆拥有较大的晶方使用面积,得以达到效率最佳泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案化,相对于 8 英寸晶圆而言,12 英寸的可使用面积超过两倍。大尺寸晶圆要求靶材也朝着大尺寸方向发展。2、趋势 2:多品种半导体芯片行业常用的金属溅射靶材主要种类包括:铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯溅射靶材,以及镍铂、钨钛等合金类的溅射靶材,其中铝与铜为两大主流导线工艺。目前芯片生产所使用的主流工艺中同时存在铝和铜两种导线工艺,一般来说 110nm 晶圆技术节点以上使用铝导线,110nm 晶圆技术节点以下使用铜导线。钛靶和铝靶通常配合起来使用,常作为铝导线的阻挡层的薄膜材料,钽靶则配合铜靶使用,作为铜导线的阻挡层的薄膜材料。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展,铜导线工艺的应用量在逐步增大,因此,铜和钽靶材的需求将有望持续增长。在晶圆制程选择上,从全球晶圆厂产能建设情况来看,12 寸晶圆厂是目前主流建设方向。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展,铜导线由于具有更低的电迁移效应,及更低的电阻,有降低功耗、提高运算速度等作用,应用量在逐步增大。据 SEMI 数据显示,如今 12 英寸晶圆约占 64%,8英寸晶圆占比达 26%,其他尺寸晶圆占比 10%。12 英寸晶圆已经成为市场的主流。但传统的铝靶由于在可靠性和抗干扰性等方面的性能依然较为突出,也仍然具有巨大的市场空间。如汽车电子领域的芯片大量泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案使用铝钛材料的 110nm 以上工艺以确保可靠性。因此,芯片制程工艺的进步并不意味着原有制程工艺及其材料被淘汰,因可靠性、抗干扰性、低成本等优势,110nm 以上技术节点的芯片产品也具有巨大的市场空间。3、趋势 3:高纯化高纯度甚至超高纯度靶材是高端集成电路半导体芯片的必备材料,通常半导体靶材纯度要求通常达 99.9995%(5N5)甚至 99.9999%(6N)以上。在下游应用领域中,半导体产业对溅射靶材和溅射薄膜的品质要求最高,随着更大尺寸的硅晶圆片制造出来,相应地要求溅射靶材也朝着大尺寸方向发展,同时也对溅射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。溅射薄膜的纯度与溅射靶材的纯度密切相关,为了满足半导体更高精度、更细小微米工艺的需求,所需要的溅射靶材纯度不断攀升,通常半导体靶材纯度要求通常达 99.9995%(5N5)甚至99.9999%(6N)以上。目前国内溅射靶材的高纯金属原料多数依靠日美进口。但部分企业在部分金属提纯方面已取得了重大突破。全球范围内,美、日等国凭借着先发优势和技术专利壁垒,依托先进的提纯技术在产业链中居于十分有利的地位,议价能力强,国内溅射靶材的高纯金属原料多数泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案也依靠日美进口。但经过多年的靶材技术开发,近年来部分企业已在部分金属提纯方面已取得了重大突破,已开始逐步实现国产替代。泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案第四章第四章 建设内容与产品方案建设内容与产品方案一、建设规模及主要建设内容建设规模及主要建设内容(一)项目场地规模(一)项目场地规模该项目总占地面积 22000.00(折合约 33.00 亩),预计场区规划总建筑面积 45658.31。(二)产能规模(二)产能规模根据国内外市场需求和 xx 有限公司建设能力分析,建设规模确定达产年产 xxx 吨记录媒体靶材,预计年营业收入 27600.00 万元。二、产品规划方案及生产纲领产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整,各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平,并参考市场需求预测情况确定,同时,把产量和销量视为一致,本报告将按照初步产品方案进行测算。产品规划方案一览表产品规划方案一览表序号序号产品(服务)产品(服务)单位单位单价(元)单价(元)年设计产量年设计产量产值产值泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案名称名称1记录媒体靶材吨xxx2记录媒体靶材吨xxx3记录媒体靶材吨xxx4.吨5.吨6.吨合计xxx27600.00趋势难逆,磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。磁记录靶材则多以溅射法制作,常用材料为钴(3N)/镍/铁合金/铬/碲、硒(4N)/稀土-迁移金属(3N)等,主要包括铬靶、镍靶、钴靶。我国磁记录靶材市场以海外供应为主,中国生产磁记录靶材企业数量和产能非常有限。由于我国机械硬盘国产化水平极低,且记录媒体研发重心主要在半导体存储,预计传统机械键盘成长空间有限,磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。3DNAND 领域用钨、钛、铜、钽靶材需求增量较大。泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案第五章第五章 项目选址方案项目选址方案一、项目选址原则项目选址原则节约土地资源,充分利用空闲地、非耕地或荒地,尽可能不占良田或少占耕地;应充分利用天然地形,选择土地综合利用率高、征地费用少的场址。二、建设区基本情况建设区基本情况新余市地貌,根据江西省地貌图划分,隶属于赣西中低山与丘陵区,地貌基本形态有低山、高丘陵、低丘陵、岗地、阶地、平原 6 种类型。新余市属亚热带湿润性气候,具有四季分明,气候温和,日照充足,雨量充沛,无霜期长,严冬较短的特征。袁河是流经新余市的主要河流,属赣江水系,横贯东西,境内河段长 116.9 公里。2018年,新余市石竹山上高县樟木桥探明世界最大硅灰石矿。锚定二三五年远景目标,“十四五”时期全市经济社会发展的具体目标要坚持“工小美”不动摇,深入贯彻五大新发展理念,打响新余经济发展“小而强”、改革开放“小而特”、生态文明“小而美”、民生福祉“小而富”、社会治理“小而优”的“特优强富美”系列城市品牌,共绘新时代江西改革发展新画卷“工小美”篇章。到2025 年,主要经济指标增幅高于全省预期水平,人均指标继续保持全泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案省前列,地区生产总值达到 1500 亿,规模以上工业增加值增速保持在7%以上,每万人口高价值发明专利拥有量达到 3 件,数字经济核心产业增加值占 GDP 比重达到 45%,进出口总额达到 200 亿元,城乡居民人均可支配收入比降至 2.1。常住人口城镇化率达到 71%。当前及今后一个时期,我们处于大有可为的战略机遇期。国际环境日趋复杂,新冠肺炎疫情影响广泛深远;但和平与发展仍是时代主题,人类命运共同体理念日益深入人心;我国综合国力不断增强、制度优势日益彰显、治理效能显著提升,发展长期向好的基本面没有改变;新一轮科技革命和产业变革深入发展,新发展格局加快构建,必将催生新一轮政策机遇、市场机遇和开放机遇,有利于持续增强我市经济社会发展动力;长江经济带、粤港澳大湾区、江西内陆开放型经济试验区等重大战略深入实施,新宜吉六县转型合作加速推进,有利于我市全方位拓展新发展空间;创新驱动、扩大内需、城乡融合发展等新一轮宏观发展政策实施,有利于全面激发我市经济社会发展活力。三、打造数字经济新引擎打造数字经济新引擎突出数字经济新动能培育“一号工程”地位,以数字产业化和产业数字化为主线,以数字应用为牵引,推动城市数字化建设,创建中部产业数字化转型示范区、全省数字经济创新引领区。泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案(一)大力推进产业数字化实施智能制造升级工程,推动互联网、大数据、人工智能与实体经济深度融合,加快制造业转型升级步伐。构建面向行业的工业互联网标识解析二级节点,支持重点企业开展智能制造应用示范,试点建设 5G 数字工厂和车间,支持一批重点领域龙头企业搭建企业级工业互联网平台,推动传统制造业向高端化、智能化、绿色化方向发展。实施千家企业上云行动,加快各类信息技术在企业中普及应用。大力培育共享经济、平台经济等新模式新业态,持续推动服务业数字化升级。实施智慧物流、智慧旅游、数字文创、数字新媒体、数字金融等重大数字应用工程,加速线上线下资源有效整合利用,打造数字化服务业。完善农业农村领域统计监测、预警防控、质量安全、综合服务等信息系统建设,推进农业大数据开放共享,提升农业数字化能力。(二)积极推动数字产业化发展数字经济新业态,支持发展线上线下融合的新业态新模式。推进数字产业园建设,做大做强大数据核心产业,发展新一代信息技术产业和信息安全产业,打造全省领先的视图音认知和物联感知的人工智能、软件研发产业链。以机器人、智能安防等领域为重点,加大力度引进一批人工智能骨干企业和创新企业。推进京东(新余)数字经济产业园建设,建设一批特色产业云交易平台。开展大数据和虚拟/增泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案强现实(VR/AR)技术深度融合应用,积极推进区块链与钢铁、锂电等优势产业融合发展。加快完善数字经济统计制度,科学合理反映数字经济发展状况。实施网络安全防护工程,加强数据知识产权保护力度。四、建高层次创新体系建高层次创新体系集聚创新优势资源,强化创新载体建设,培育创新主体,着力提升创新整体效能,激发创新创造新活力。(一)加快建设科技创新载体建设重大科创平台。把握高新区获批建设国家自主创新示范区的契机,加强资源优化整合,在优势特色产业集群培育、高水平科技创新基地建设、科技投融资体系构建、科技成果转移转化、协同开放创新等方面探索示范。围绕全市主导产业和创新优势企业,积极创建科创城,完善创新平台布局。支持以赣锋锂业为依托的江西锂电新材料重点实验室建设建成国内一流的锂电材料研发中心。加强国家光伏工程技术研究中心的创新提升,依托院士团队,打造国内国际一流水平的国家光伏工程领域的重大科技创新平台。支持新钢公司、沃格光电、盛泰光学等企业整合国内优势创新资源,瞄准科技发展前沿和产业发展需求,加快研发机构建设。推进新型研发机构建设。支持企业与高等院所共建“实体办院、投管分离、市场化运营”的新型研发机构,将内设工程技术研究中泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案心、重点实验室等独立运营机构,面向产业开展共性关键技术研发和产业化服务,鼓励、引导产业技术创新战略联盟法人化经营,转变为实行专业化和市场化运作新型研发机构。引导中小企业参与产业技术创新联盟、产业集群协同创新项目,力争科研团队、科技合作在高新技术企业全覆盖。(二)强化企业创新主体地位以新技术、新产业、新业态、新模式为突破口,强化企业创新主体地位,培育一批跨界融合爆发式成长的科技型企业。以创新引领、分类指导、精准施策为原则,构建中小微科技型企业、高新技术企业、“瞪羚企业”“独角兽企业”的梯次培育机制。加大对企业创新发展的支持,打造一批创新发展标杆型企业。启动专利“十百千”计划,引导企业实施专利战略,提升企业知识产权创造运用能力。到2025 年,全市科技型中小企业、高新技术企业数量大幅增长,企业发明专利申请占比超过 60%,每万人口高价值发明专利拥有量达到 3.5件。(三)营造良好创新环境持续深化科技体制改革,建立健全创新评价体系。完善以知识、技能、管理、数据等创新要素参与利益分配的激励机制,加快建立现代产权保护制度。加快构建科技金融体系,推动科技创新链条与金融泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案资本链条的有机结合,支持知识产权融资、科技成果转化。大力推进大众创业万众创新,积极打造一批众创空间、科技孵化器等创新创业载体,构建全链条的创新服务体系。充分利用媒体渠道,广泛深入宣传科技创新,加大科学普及力度,对在科技创新引领发展和科学普及工作中做出突出成效的先进单位和优秀人才,及时树典型、立榜样,大力弘扬科学家精神、创新文化,全面提升全社会科技创新意识,营造尊重知识、尊重人才、尊重创造的浓厚氛围。五、项目选址综合评价项目选址综合评价项目选址应符合城乡建设总体规划和项目占地使用规划的要求,同时具备便捷的陆路交通和方便的施工场址,并且与大气污染防治、水资源和自然生态资源保护相一致。泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案第六章第六章 法人治理法人治理一、股东权利及义务股东权利及义务1、公司股东为依法持有公司股份的人。股东按其所持有股份的种类享有权利,承担义务;持有同一种类股份的股东,享有同等权利,承担同种义务。2、公司召开股东大会、分配股利、清算及从事其他需要确认股东身份的行为时,由董事会或股东大会召集人确定股权登记日,股权登记日收市后登记在册的股东为享有相关权益的股东。3、公司股东享有下列权利:(1)依照其持有的股份份额获得股利和其他形式的利益分配;(2)依法请求、召集、主持、参加或者委派股东代理人参加股东大会,并行使相应的表决权,股东可向其他股东公开征集其合法享有的股东大会召集权、提案权、提名权、投票权等股东权利。(3)对公司的经营进行监督,提出建议或者质询;(4)依照法律、行政法规及公司章程的规定转让、赠与或质押其所持有的股份;(5)查阅本章程、股东名册、公司债券存根、股东大会会议记录、董事会会议决议、监事会会议决议、定期财务会计报告;泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案(6)公司终止或者清算时,按其所持有的股份份额参加公司剩余财产的分配;(7)对股东大会作出的公司合并、分立决议持异议的股东,要求公司收购其股份;(8)对法律、行政法规和公司章程规定的公司重大事项,享有知情权和参与权;(9)法律、行政法规、部门规章或本章程规定的其他权利。关于本条第一款第二项中股东的召集权,公司和控股股东应特别注意保护中小投资者享有的股东大会召集请求权。对于投资者提议要求召开股东大会的书面提案,公司董事会应依据法律、法规和公司章程决定是否召开股东大会,不得无故拖延或阻挠。4、股东提出查阅前条所述有关信息或者索取资料的,应当向公司提供证明其持有公司股份的种类以及持股数量的书面文件,公司经核实股东身份后按照股东的要求予以提供。5、股东有权按照法律、行政法规的规定,通过民事诉讼或其他法律手段保护其合法权利。公司股东大会、董事会决议内容违反法律、行政法规的,股东有权请求人民法院认定无效。股东大会、董事会的会议召集程序、表决泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案方式违反法律、行政法规或者本章程,或者决议内容违反本章程的,股东有权自决议作出之日起 60 日内,请求人民法院撤销。董事、高级管理人员执行公司职务时违反法律、行政法规或者本章程的规定,给公司造成损失的,连续 180 日以上单独或合并持有公司 1%以上股份的股东有权书面请求监事会向人民法院提起诉讼;监事会执行公司职务时违反法律、行政法规或者本章程的规定,给公司造成损失的,股东可以书面请求董事会向人民法院提起诉讼。监事会、董事会收到前款规定的股东书面请求后拒绝提起诉讼,或者自收到请求之日起 30 日内未提起诉讼,或者情况紧急、不立即提起诉讼将会使公司利益受到难以弥补的损害的,前款规定的股东有权为了公司的利益以自己的名义直接向人民法院提起诉讼。他人侵犯公司合法权益,给公司造成损失的,本条第三款规定的股东可以依照前两款的规定向人民法院提起诉讼。董事、高级管理人员违反法律、行政法规或者本章程的规定,损害股东利益的,股东可以向人民法院提起诉讼。6、公司股东承担下列义务:(1)遵守法律、行政法规和本章程;(2)依其所认购的股份和入股方式缴纳股金;(3)除法律、法规规定的情形外,不得退股;泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案(4)在股东权征集过程中,不得出售或变相出售股东权利;(5)不得滥用股东权利损害公司或者其他股东的利益;不得滥用公司法人独立地位和股东有限责任损害公司债权人的利益;(6)法律、行政法规及本章程规定应当承担的其他义务。7、持有公司 5%以上有表决权股份的股东,将其持有的股份进行质押的,应当自该事实发生当日,向公司作出书面报告。8、公司的控股股东、实际控制人员不得利用其关联关系损害公司利益。违反规定的,给公司造成损失的,应当承担赔偿责任。公司控股股东及实际控制人对公司和公司其他股东负有诚信义务。控股股东应严格依法行使出资人的权利,控股股东及实际控制人不得利用关联交易、利润分配、资产重组、对外投资、资金占用、借款担保等方式损害公司和公司其他股东的合法权益,不得利用其控制地位损害公司和公司其他股东的利益。公司的控股股东在行使表决权时,不得作出有损于公司和其他股东合法权益的决定。控股股东对公司董事、监事候选人的提名,应严格遵循法律、法规和公司章程规定的条件和程序。控股股东提名的董事、监事候选人应当具备相关专业知识和决策、监督能力。控股股东不得对股东大会泓域咨询/新余记录媒体靶材项目实施方案有关人事选举决议和董事会有关人事聘任决议履行任何批准手续;不得越过股东大会、董事会任免公司的高级管理人员。控股股东与公司应实行人员、资产、财务分开,机构、业务独立,各自独立核算、独立承担责任和风险。公司的总裁人员、财务负责人、营销负责人和董事会秘书在控股股东单位不得担任除董事以外的其他职务。控股股东的高级管理人员兼任公司董事的,应保证有足够的时间和精力承担公司的工作。控股股东应尊重公司财务的独立性,不得干预公司的财务、会计活动。控股股东及其职能部门与公司及其职能部门之间不应有上下级关系。控股股东及其下属机构不得向公司及其下属机构下达任

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