西安电子科技大学微电子硅集成习题答案.pptx
会计学1西安电子科技大学微电子硅集成习题答案西安电子科技大学微电子硅集成习题答案1 1 某某npnnpn硅晶体管在硅晶体管在12001200下进行基区氧化，氧化过程为：下进行基区氧化，氧化过程为：15min15min干干氧加氧加45min45min湿氧湿氧(TH2O=95(TH2O=95)再加再加15min15min干氧，求生成氧化层厚度。干氧，求生成氧化层厚度。解：解：NPNNPN管基区氧化管基区氧化 1515分干分干O2 O2：由由P131 P131 表知：表知：12001200，B B 7.510-4m2/min,A=0.040m,7.510-4m2/min,A=0.040m,=1.8710-2m/min,=1.8710-2m/min,=0.53=0.53分分 3232秒秒 t+t t+t ,XOXO干干1(15)=(1(15)=(干干O2 O2 初始氧化层厚初始氧化层厚 Xi=200.t*=1.62)Xi=200.t*=1.62)=t*=1.62 =t*=1.62分分 =0.1116=0.1116mm 45 45分湿分湿O2,O2,B B 1.2 10-21.2 10-2mm2/min,A=0.052/min,A=0.05mm,t*=1.502t*=1.502分分 1.5021.502XOXO湿（湿（4545）0.7470.747mm 15 15分干分干O2 O2 t*=784 t*=784 XO XO干干2 2（1515）0.774m0.774m7740 7740 第1页/共6页n n3 3 某一硅片上面已覆盖某一硅片上面已覆盖0.20.2mm厚的二氧化硅，现在需要在厚的二氧化硅，现在需要在1200 1200 下下用干氧再生长用干氧再生长0.10.1mm厚的氧化层，问干氧氧化的时间需要多少？厚的氧化层，问干氧氧化的时间需要多少？n n已知：已知：X X。0.20.2m m,再再OO干干 长长,XO,XO干干 =0.1=0.1mm,T=1200,T=1200n n求：生长求：生长0.2+0.1 0.2+0.1 厚度厚度SiO2SiO2所需所需t.t.n n解：解：Xi=0.2Xi=0.2mmn n t*=t*=n n再长再长0.10.1mmn nXOXO总总 0.30.3mmn nX X。t=t=第2页/共6页n n4.解：掩敝P扩的XOmin,T=1050,t=23n n MOS管，。查阅P132图3-46，D210-13cm2/s,n nXmin=8.6 =16.6 10-6 cm n n=16.6 10-5 mm=16.6 10 nm=1660 第3页/共6页n n1.某硅晶体管基区硼预淀积温度为950，要求预淀积后的方块电阻为120/，确定预淀积所需要的时间(取p 55cm2/Vs)n n解：Q0=9.47cm-2n nNS S=1.6 1020 cm-3n nD=510-15 cm2/sn nQ0 0=2 N t=7.42 10=74 minn n把D9 10-15代入得，t=51 min第4页/共6页n n2.2.硅硅ICIC采用的采用的n n型外延片电阻率为型外延片电阻率为0.4cm0.4cm，要求基区硼扩散的结深为，要求基区硼扩散的结深为2m2m，方块电阻，方块电阻为为200/200/，现在采用两步扩散法，试分别确定硼预沉积和再分布的温度和时间。，现在采用两步扩散法，试分别确定硼预沉积和再分布的温度和时间。n n解：，由解：，由查依尔芬曲线得查依尔芬曲线得n n第一步取：第一步取：t1t1950950 ，NNS1S11.61020 cm-3,D1=510-15 cm2/s,1.61020 cm-3,D1=510-15 cm2/s,n nQ0=2 NS1,Q0=2 NS1,得：得：n nt t1 1=()2=1.19 1005=1190.5s=20=()2=1.19 1005=1190.5s=20分分n n第二步取：第二步取：t2=1180t2=1180,D2=1.2 10-12 cm2/s,D2=1.2 10-12 cm2/sn nt2=()2 t2=()2 n n=0.143 104=1430 s=24=0.143 104=1430 s=24分分第5页/共6页
