电力电子(模板)第1章资料备课讲稿.ppt

电力电子(模板)第1章资料绪绪 论论 电力电子设备发展的特点是：（1）微机和现代控制理论的应用，使电微机和现代控制理论的应用，使电力电子设备走出了过去仅进行将交、力电子设备走出了过去仅进行将交、直流变换用做一般工业直流电源的初直流变换用做一般工业直流电源的初级阶段，开拓了高科技领域的应用。级阶段，开拓了高科技领域的应用。（2）完善的电路理论及新的设计方法，完善的电路理论及新的设计方法，使产品性能更先进、更符合生产实际使产品性能更先进、更符合生产实际的需要。的需要。绪绪 论论（3）微电子技术与电力电子技术开始相微电子技术与电力电子技术开始相互渗透结合，使电力电子设备效率提互渗透结合，使电力电子设备效率提高、速度更快、使用更方便。高、速度更快、使用更方便。（4）电路拓扑技术和结构标准化加快了电路拓扑技术和结构标准化加快了新产品的开发步伐。新产品的开发步伐。绪绪 论论 交流电路是以电力半导体器件为核心，通过不同电路的拓扑和控制方法来实现对电能的转换和控制。它的基本功能是使交流（AC）和直流（DC）电能互相转换。它有以下几种类型：绪绪 论论（1 1）可控整流器）可控整流器AC/DCAC/DC。把交流电压变换。把交流电压变换成固定或可调的直流电压。成固定或可调的直流电压。（2）有源逆变器）有源逆变器DC/AC。把直流电压变换成。把直流电压变换成为频率固定或可调的交流电压。为频率固定或可调的交流电压。（3）变频器）变频器AC/AC。把频率固定或变化的交。把频率固定或变化的交流电变换成频率可调或固定的交流电。流电变换成频率可调或固定的交流电。（4）直流斩波器）直流斩波器DC/DC。把固定或变化的直。把固定或变化的直流电压变为可调或固定的直流电压。流电压变为可调或固定的直流电压。绪绪 论论 总之，由于电力半导体器件制总之，由于电力半导体器件制造技术的发展，主电路结构和控制造技术的发展，主电路结构和控制技术的开发，以及设备应用技术的技术的开发，以及设备应用技术的开发，使电力电子技术在大功率整开发，使电力电子技术在大功率整流、直流传动、交流传动、直流输流、直流传动、交流传动、直流输电、功率变换、晶闸管电源、电力电、功率变换、晶闸管电源、电力电子开关等方面的应用日益扩大。电子开关等方面的应用日益扩大。第第1章晶闸管概述章晶闸管概述晶闸管是指具有三个以上的晶闸管是指具有三个以上的PNPN结，其结，其主电压主电压电流特性至少在一个象限电流特性至少在一个象限内具有导通、阻断两个稳定状态，且内具有导通、阻断两个稳定状态，且可在这两个稳定状态之间进行转换的可在这两个稳定状态之间进行转换的半导体器件。半导体器件。第第1章晶闸管概述章晶闸管概述晶闸管是由多种器件组成的家族，而晶闸管是由多种器件组成的家族，而被广泛使用的普通晶闸管则是这个家被广泛使用的普通晶闸管则是这个家族中的一员，俗称可控硅整流器族中的一员，俗称可控硅整流器（SCRSCR，Silicon Controlled Silicon Controlled RectifierRectifier），简称可控硅，其规范），简称可控硅，其规范术语是反向阻断三端晶闸管。术语是反向阻断三端晶闸管。1.11.1 晶闸管的结构和工作原理晶闸管的结构和工作原理 1.21.2 晶闸管的特性晶闸管的特性1.31.3 晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数1.41.4 双向晶闸管双向晶闸管1.51.5 功率晶体管功率晶体管1.61.6 功率场效应晶体管功率场效应晶体管1.71.7 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管第第1章晶闸管概述章晶闸管概述1.11.1 晶闸管的结构和工作原理晶闸管的结构和工作原理19561956年美国贝尔年美国贝尔 实验室发明了晶闸管。实验室发明了晶闸管。19571957年年美美国国通通用用电电气气公公司司开开发发出出第第一一只只晶闸管产品。晶闸管产品。19581958年商业化。年商业化。开开辟辟了了电电力力电电子子技技术术迅迅速速发发展展和和广广泛泛应应用的崭新时代。用的崭新时代。2020世世纪纪8080年年代代以以来来，开开始始被被全全控控型型器器件件取代。取代。1.1.11.1.1晶闸管的结构晶闸管的结构 a)a)外形外形 b)b)结构结构 c)c)电气图形符号电气图形符号1.1.11.1.1晶闸管的结构晶闸管的结构外形有外形有螺栓型螺栓型和和平板型平板型两种封装。两种封装。有三个联接端。有三个联接端。螺螺栓栓型型封封装装，通通常常螺螺栓栓是是其其阳阳极极，能能与与散散热器紧密联接且安装方便。热器紧密联接且安装方便。平平板板型型晶晶闸闸管管可可由由两两个个散散热热器器将将其其夹夹在在中中间。间。常用晶闸管的结构常用晶闸管的结构螺栓型晶闸管晶闸管模块平板型晶闸管外形及结构1.1.21.1.2晶闸管的工作原理晶闸管的工作原理晶闸管导通晶闸管导通/关断实验电路图关断实验电路图1.1.21.1.2晶闸管的工作原理晶闸管的工作原理归纳以上实验结果，可见：归纳以上实验结果，可见：1)晶闸管导通的条件晶闸管导通的条件 阳极加正向电压，同时门极加合适的正向触发电压。2)晶闸管关断的条件晶闸管关断的条件 使流过晶闸管的阳极电流小于维持电流或突加反向电压。3)晶闸管的特点晶闸管的特点 单向导电性；属半控型半导体器件；属电流控制器件。1.1.21.1.2晶闸管的工作原理晶闸管的工作原理晶闸管的工作原理示意图晶闸管的工作原理示意图晶闸管导通的工作原理可以用双晶体管模型来解释晶闸管导通的工作原理可以用双晶体管模型来解释1.1.21.1.2晶闸管的工作原理晶闸管的工作原理S闭合前：I IG=0G=0I Ib2=0b2=0I Ic2=0c2=0I Ib1=0b1=0I Ic1=0 c1=0，三极管，三极管V1V1和和V2V2均处于截止状态，晶闸管处于正均处于截止状态，晶闸管处于正向阻断状态。向阻断状态。开关S闭合，则外电路向门极注入电流则外电路向门极注入电流I IG G，也就是，也就是注入驱动电流，该电流最初就是晶体管注入驱动电流，该电流最初就是晶体管V2V2的基极的基极电流电流I Ib2b2，即产生集电极电流，即产生集电极电流I Ic2c2，它又是晶体管，它又是晶体管V1V1的基极电流，经的基极电流，经V1V1放大后产生集电极电流放大后产生集电极电流I Ic1c1，而而I Ic1c1此时等于此时等于1212I Ib2b2，比最初的驱动电流，比最初的驱动电流I IG G大了许多。使大了许多。使V2V2的基极电流进一步增大，如此形的基极电流进一步增大，如此形成强烈的正反馈，最后成强烈的正反馈，最后V1V1和和V2V2完全进入饱和状态，完全进入饱和状态，即晶闸管导通。即晶闸管导通。1.2.11.2.1晶闸管的阳极伏安特性晶闸管的阳极伏安特性第第I象象限限的的是是正正向特性向特性第第III象象限限的的是是反向特性反向特性1.2.11.2.1晶闸管的阳极伏安特性晶闸管的阳极伏安特性1)正向伏安特性正向伏安特性晶闸管在门极开路晶闸管在门极开路(I IG=0)G=0)的情况下，在阳的情况下，在阳极与阴极间施加一定的正向阳极电压，器极与阴极间施加一定的正向阳极电压，器件也仍处于正向阻断状态，只有很小的正件也仍处于正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过。向漏电流流过。外加的阳极正向电压在其转折电压以下时，外加的阳极正向电压在其转折电压以下时，只要在门极注入适当的电流只要在门极注入适当的电流(一般为毫安级一般为毫安级)，器件也会立即进入正向导通状态，器件也会立即进入正向导通状态 。1.2.11.2.1晶闸管的阳极伏安特性晶闸管的阳极伏安特性2)反向伏安特性反向伏安特性 晶闸管承受反向阳极电压时，由于J1、J3结处于反向偏置状态，晶闸管流过的电流仅由各区少数载流子形成，只有极小的反向漏电流通过，这就是器件的反向阻断状态。随着反向电压的增加，穿过J2结的少数载流子稍有增加，反向漏电流逐渐增大。1.2.21.2.2晶闸管的门极伏安特性晶闸管的门极伏安特性PGMBCDAEGFLK0IFGMUGTUFGMIGTUGTUGDIGTIGDABCIHJ1.2.21.2.2晶闸管的门极伏安特性晶闸管的门极伏安特性图中图中ABCGFED所围成的区域为可靠触发区所围成的区域为可靠触发区图中阴影部分为不触发区图中阴影部分为不触发区图中图中ABCJIH所围成的区域为不可靠触发区所围成的区域为不可靠触发区1.3.11.3.1晶闸管的电压参数晶闸管的电压参数断态重复峰值电压断态重复峰值电压UDRM 在在在在门门门门极极极极断断断断路路路路而而而而结结结结温温温温为为为为额额额额定定定定值值值值时时时时，允允允允许许许许重重重重复复复复加加加加在在在在器器器器件件件件上的正向峰值电压。上的正向峰值电压。上的正向峰值电压。上的正向峰值电压。反向重复峰值电压反向重复峰值电压URRM 在在在在门门门门极极极极断断断断路路路路而而而而结结结结温温温温为为为为额额额额定定定定值值值值时时时时，允允允允许许许许重重重重复复复复加加加加在在在在器器器器件件件件上上上上的反向峰值电压。的反向峰值电压。的反向峰值电压。的反向峰值电压。通态（峰值）电压通态（峰值）电压UT 晶晶晶晶闸闸闸闸管管管管通通通通以以以以某某某某一一一一规规规规定定定定倍倍倍倍数数数数的的的的额额额额定定定定通通通通态态态态平平平平均均均均电电电电流流流流时时时时的的的的瞬瞬瞬瞬态峰值电压。态峰值电压。态峰值电压。态峰值电压。1.3.21.3.2晶闸管的电流参数晶闸管的电流参数通态平均电流通态平均电流 IT(AV）在环境温度为在环境温度为在环境温度为在环境温度为4040 C C和规定的冷却状态下，稳定和规定的冷却状态下，稳定和规定的冷却状态下，稳定和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。使用时应按有效值相等的原则来选取晶闸管。使用时应按有效值相等的原则来选取晶闸管。使用时应按有效值相等的原则来选取晶闸管。使用时应按有效值相等的原则来选取晶闸管。维持电流维持电流 IH 使晶闸管维持导通所必需的最小电流。使晶闸管维持导通所必需的最小电流。使晶闸管维持导通所必需的最小电流。使晶闸管维持导通所必需的最小电流。1.3.21.3.2晶闸管的电流参数晶闸管的电流参数擎住电流擎住电流 IL 晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能能能能维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说，通维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说，通维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说，通维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说，通常常常常ILIL约为约为约为约为IHIH的的的的2424倍。倍。倍。倍。浪涌电流浪涌电流ITSM指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流温的不重复性最大正向过载电流温的不重复性最大正向过载电流温的不重复性最大正向过载电流 。1.3.31.3.3晶闸管的动态参数晶闸管的动态参数1)断态电压临界上升率断态电压临界上升率du/dt这是指在额定结温和门极开路的情况下，这是指在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。如果电压上升率过大，使压最大上升率。如果电压上升率过大，使充电电流足够大，就会使晶闸管误导通。充电电流足够大，就会使晶闸管误导通。使用中实际电压上升率必须低于此临界值。使用中实际电压上升率必须低于此临界值。1.3.31.3.3晶闸管的动态参数晶闸管的动态参数2)通态电流临界上升率通态电流临界上升率di/dt这是指在规定条件下，晶闸管能承受而无这是指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。如果电有害影响的最大通态电流上升率。如果电流上升太快，则晶闸管刚一开通，便会有流上升太快，则晶闸管刚一开通，便会有很大的电流集中在门极附近的小区域内，很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成局部过热而使晶闸管损坏。从而造成局部过热而使晶闸管损坏。1.3.41.3.4器件的型号器件的型号1.1.4 4 双向晶闸管双向晶闸管双向晶闸管（双向晶闸管（TRIACTRIAC，Bidirectional TriodeBidirectional TriodeThyristerThyrister，Triode AC SwitchTriode AC Switch）是把两个反）是把两个反并联的晶闸管集成在同一硅片上，用一个门并联的晶闸管集成在同一硅片上，用一个门极控制触发的组合型器件。极控制触发的组合型器件。1.1.4 4 双向晶闸管双向晶闸管双向晶闸管的电气图形符号和伏安特性图双向晶闸管的电气图形符号和伏安特性图1.1.4 4 双向晶闸管双向晶闸管 双向晶闸管（TRIAC）内部结构可看做两只普通晶闸管反向并联，引出的三个端子为主极T1，T2和门极G。它具有正、反向对称的伏安特性，主要参数有断态重复峰值电压和额定通态电流，因双向晶闸管正 、反向都能触发导通，所以额定通态电流为有效值。1.1.5 5 功率晶体管功率晶体管 术语用法：术语用法：u电力晶体管（Giant TransistorGTR，直译为巨型晶体管）u耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction TransistorBJT），英文有时候也称为Power BJTu在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效1.5.11.5.1功率晶体管的结构与工作原理功率晶体管的结构与工作原理单管单管GTRGTR的结构的结构1.5.11.5.1功率晶体管的结构与工作原理功率晶体管的结构与工作原理与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的主要特性是耐压高、电流大、开关特性好通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成1.5.11.5.1功率晶体管的结构与工作原理功率晶体管的结构与工作原理在应用中，GTR一般采用共发射极接法。集电极电流ic与基极电流ib之比为 GTR的电流放大系数电流放大系数，反映了基极电流对集电极电流的控制能力。1.5.11.5.1功率晶体管的结构与工作原理功率晶体管的结构与工作原理当考虑到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，ic和ib的关系为ic=ib+Iceo单管GTR的 值比小功率的晶体管小得多，通常为10左右，采用达林顿接法可有效增大电流增益。1.5.11.5.1功率晶体管的结构与工作原理功率晶体管的结构与工作原理达林顿达林顿GTR1.5.21.5.2功率晶体管的特性功率晶体管的特性 静态特性静态特性共共共共发发发发射射射射极极极极接接接接法法法法时时时时的的的的典典典典型型型型输输输输出出出出特特特特性性性性：截截截截止止止止区区区区、放放放放大区和饱和区。大区和饱和区。大区和饱和区。大区和饱和区。在在在在电电电电力力力力电电电电子子子子电电电电路路路路中中中中GTRGTR工作在开关状态。工作在开关状态。工作在开关状态。工作在开关状态。在在在在开开开开关关关关过过过过程程程程中中中中，即即即即在在在在截截截截止止止止区区区区和和和和饱饱饱饱和和和和区区区区之之之之间间间间过过过过渡渡渡渡时，要经过放大区。时，要经过放大区。时，要经过放大区。时，要经过放大区。1.5.21.5.2功率晶体管的特性功率晶体管的特性动态特性动态特性1.5.21.5.2功率晶体管的特性功率晶体管的特性开通过程开通过程延迟时间td和上升时间tr，二者之和为开通时间开通时间ton。加快开通过程的办法。关断过程关断过程储存时间ts和下降时间tf，二者之和为关断时间关断时间toff。加快关断速度的办法。GTR的开关时间在几微秒以内，比晶闸管和GTO都短很多。1.5.21.5.2功率晶体管的特性功率晶体管的特性最高工作电压最高工作电压 GTR上电压超过规定值时会发生击穿。击穿电压不仅和晶体管本身特性有关，还与外电路接法有关。BUcbo BUcex BUces BUcer Buceo。实际使用时，最高工作电压要比BUceo低得多。1.5.21.5.2功率晶体管的特性功率晶体管的特性集电极最大允许电流集电极最大允许电流IcM通常规定为hFE下降到规定值的1/21/3时所对应的Ic。实际使用时要留有裕量，只能用到IcM的一半或稍多一点。1.5.21.5.2功率晶体管的特性功率晶体管的特性集电极最大耗散功率集电极最大耗散功率PcM最高工作温度下允许的耗散功率。产品说明书中给PcM时同时给出壳温TC，间接表示了最高工作温度。1.1.6 6 功率场效应晶体管功率场效应晶体管 功率场效应晶体管简称功率MOS FET，它是对小功率场效应晶体管的工艺结构进行改进，在功率上有所突破的单极型半导体器件，属于电压驱动控制器件。1.6.1 1.6.1 功率场效应晶体管的结构与工作原理功率场效应晶体管的结构与工作原理功率功率MOS FET的结构示意与符号图的结构示意与符号图1.6.1 1.6.1 功率场效应晶体管的结构与工作原理功率场效应晶体管的结构与工作原理小功率MOS管是横向导电器件。电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）。按垂直导电结构的差异，分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET。这里主要以VDMOS器件为例进行讨论。1.6.1 1.6.1 功率场效应晶体管的结构与工作原理功率场效应晶体管的结构与工作原理截止：截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。导电：导电：在栅源极间加正电压UGS当UGS大于UT时，P型半导体反型成N型而成为反反型型层层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。电力电力MOSFET的工作原理的工作原理1.6.21.6.2功率场效应晶体管的特性功率场效应晶体管的特性功率功率MOSFETMOSFET的转移特性的转移特性 功率功率MOSFETMOSFET的输出特性的输出特性 静态特性静态特性1.6.21.6.2功率场效应晶体管的特性功率场效应晶体管的特性静态特性静态特性漏极电流I ID D和栅源间电压U UGSGS的关系称为MOSFET的转移特性。转移特性。I ID D较大时，I ID D与与U UGSGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导跨导G Gfsfs。1.6.21.6.2功率场效应晶体管的特性功率场效应晶体管的特性测试电路测试电路开关过程波形开关过程波形 动态特性动态特性1.6.21.6.2功率场效应晶体管的特性功率场效应晶体管的特性开通过程开通过程开通延迟时间开通延迟时间t td(on)d(on)上升时间上升时间t tr r开通时间开通时间t tonon开通延迟时间与上升时间之和关断过程关断过程关断延迟时间关断延迟时间t td(off)d(off)下降时间下降时间t tf f关断时间关断时间t toffoff关断延迟时间和下降时间之和1.6.21.6.2功率场效应晶体管的特性功率场效应晶体管的特性MOS FET正向偏置安全工作区正向偏置安全工作区1.1.7 7 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管 绝缘栅双极晶体管简称绝缘栅双极晶体管简称IGBTIGBT，它将，它将MOS FETMOS FET与与GTRGTR的优点集于一身。的优点集于一身。1.7.11.7.1绝缘栅双极晶体管的结构与工作原理绝缘栅双极晶体管的结构与工作原理IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号的结构、简化等效电路和电气图形符号1.7.1绝缘栅双极晶体管的结构与工作原理绝缘栅双极晶体管的结构与工作原理图图aNaN沟沟道道VDMOSFETVDMOSFET与与GTRGTR组组合合NN沟沟道道IGBTIGBT。IGBTIGBT比比VDMOSFETVDMOSFET多多一一层层P+P+注注入入区区，具具有有很很强的通流能力。强的通流能力。简简化化等等效效电电路路表表明明，IGBTIGBT是是GTRGTR与与MOSFETMOSFET组组成成的的达达林林顿顿结结构构，一一个个由由MOSFETMOSFET驱驱动动的的厚厚基基区区PNPPNP晶体管。晶体管。RNRN为晶体管基区内的调制电阻。为晶体管基区内的调制电阻。1.7.1绝缘栅双极晶体管的结构与工作原理绝缘栅双极晶体管的结构与工作原理 IGBT的原理的原理导导通通：uGE大于开开启启电电压压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。通通态态压压降降：电导调制效应使电阻RN减小，使通态压降减小。关关断断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。1.7.2绝缘栅双极晶体管的特性绝缘栅双极晶体管的特性静态特性静态特性转移特性转移特性伏安特性伏安特性1.7.2绝缘栅双极晶体管的特性绝缘栅双极晶体管的特性转移特性转移特性IC与UGE间的关系，与MOSFET转移 特性类似开开启启电电压压UGE(th)IGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压UGE(th)随温度升高而略有下降，在+25C时，UGE(th)的值一般为26V1.7.2绝缘栅双极晶体管的特性绝缘栅双极晶体管的特性伏安特性伏安特性（输出特性）以UGE为参考变量时，IC与UCE间的关系分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。分别与GTR的截止区、放大区和饱和区相对应uCE0时，IGBT为反向阻断工作状态1.7.2绝缘栅双极晶体管的特性绝缘栅双极晶体管的特性动态特性动态特性1.7.2绝缘栅双极晶体管的特性绝缘栅双极晶体管的特性IGBT的开通过程的开通过程 与MOSFET的相似开通延迟时间开通延迟时间t td(on)d(on)电流上升时间电流上升时间t tr r 开通时间开通时间t tononu uCECE的下降过程分为t tfv1fv1和t tfv2fv2两段。t tfv1fv1IGBT中MOSFET单独工作的电压下降过程；t tfv2fv2MOSFET和PNP晶体管同时工作的电压下降过 程。1.7.2绝缘栅双极晶体管的特性绝缘栅双极晶体管的特性 IGBT的关断过程的关断过程关断延迟时间关断延迟时间t td(offd(off）电流下降时间电流下降时间 关断时间关断时间t toffoff电流下降时间又可分为t tfi1fi1和t tfi2fi2两段。t tfi1fi1IGBT器件内部的MOSFET的关断过程，i iC C下降较 快。t tfi2fi2IGBT内部的PNP晶体管的关断过程，i iC C下降较 慢。1.7.2绝缘栅双极晶体管的特性绝缘栅双极晶体管的特性擎住效应或自锁效应擎住效应或自锁效应 NPN晶体管基极与发射极之间存在体区短路电阻，P形体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降，相当于对J3结施加正偏压，一旦J3开通，栅极就会失去对集电极电流的控制作用，电流失控。此课件下载可自行编辑修改，仅供参考！此课件下载可自行编辑修改，仅供参考！感谢您的支持，我们努力做得更好！谢谢感谢您的支持，我们努力做得更好！谢谢