存储器外部电路.ppt

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存储器外部电路.ppt

半导体半导体集成电路集成电路10/28/2022存储器外围电路存储器外围电路10/28/2022TEE8502的总体结构10/28/202210/28/202210/28/202210/28/202210/28/202210/28/202210/28/2022外围电路n内层外围电路：功能电路，它是直接控制存储矩阵工作的功能块。n外层外围电路：工作模式控制电路，它把把外部信号转换成若干内部控制信号，对内层外围电路进行控制。10/28/20221.内层外围电路n地址缓冲器n地址译码器n位写入电路n灵敏读放电路n存储管控制栅电平VCG产生电路n存储管源电平VS产生电路10/28/2022（1）地址缓冲器10/28/2022n地址缓冲器的功能n把TTL电平转换成MOS电平，并使输出具有驱动大量地址译码器的能力。n执行工作模式控制10/28/2022（2）地址译码器n行译码器n列译码器10/28/2022（3）位写入电路n引脚I/O是共用的，因此数据线D和I/O间是双向信息通路。读出工作时，位读出电路工作；字节擦写模式时，位写入电路工作。10/28/2022（4）灵敏读放电路n灵敏放大器的作用一方面要限制D的摆幅，另一方面要具有较大的放大系数，在较小负载电容的输出点上得到合适的电平和足够的电压摆幅，驱动输出缓冲器。n灵敏放大器是影响读出速度的关键。10/28/2022（5）存储管控制栅电平VCG产生电路n根据TEE8502 存储矩阵工作原理，擦操作时VCG应接近21V，写操作时VCG应接近0V，读操作时VCG应接近3V左右。10/28/2022（6）存储管源电平VS产生电路n在写的时候，PLOTOX存储管源接+5V，非写情况下接地，因此VS产生电路是由WRT信号控制的推挽电路。10/28/20222.外层外围电路n控制信号缓冲器n电平鉴别电路n片擦信号发生器n字节擦写信号发生器n写禁止/写信号发生器n擦除信号发生器n字节操作信号发生器n读信号发生器n擦写信号发生器10/28/2022

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