第四章 器件制备基础精选文档.ppt

第四章 器件制备基础本讲稿第一页，共十三页4.1 制备过程1、清洗2、氧化3、扩散或离子注入4、光刻5、薄膜沉积本讲稿第二页，共十三页1、清洗常用硅片清洗液号液：配方：NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5-1:2:7 使用条件：805C，煮10分钟 作用：去油脂，去光刻胶残膜，去金属离子和金属原子号液：配方：HCl:H2O2:H2O=1:1:6-1:2:8 使用条件：805C，煮10分钟 作用：去金属离子和金属原子号液：配方：H2SO4：H2O2=3：1 使用条件：12010C，煮15分钟 作用：去油脂，去腊，去金属离子和金属原子本讲稿第三页，共十三页2、氧化干氧：Si+O2=SiO2 膜层致密，理想的Si-SiO2界面，生长速度慢湿氧：Si+2H2O=SiO2+2H2 生长速度快，膜层致密性较差本讲稿第四页，共十三页2、氧化氧化系统的简单说明图本讲稿第五页，共十三页2、氧化（100）面和（）面和（111）面）面SiO2的氧化生长曲线的氧化生长曲线本讲稿第六页，共十三页3、扩散基本工艺流程本讲稿第七页，共十三页3、扩散4.5 磷的液态源扩散示意图本讲稿第八页，共十三页3、扩散 扩散温度900-1200C。P源：POCl3,B源：BN，BO3 一般分为预扩散和再扩散预扩散后：再扩散后本讲稿第九页，共十三页4、光刻（1）涂胶（2）坚膜（3）掩膜板（4）瀑光（5）显影 负光刻胶：光照后发生聚合反应，难以去除 正光刻胶：光照后，感光剂发生分解，容易去除。本讲稿第十页，共十三页5薄膜沉积本讲稿第十一页，共十三页二、pn结二极管的制备本讲稿第十二页，共十三页二、pn结二极管的制备本讲稿第十三页，共十三页