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半导体知识第1页，本讲稿共72页目录目录固体能带理论半导体材料硅的晶体结构半导体特性载流子的复合与寿命载流子的传输P-N结二极管性质硅材料的物理化学特性第2页，本讲稿共72页固体的能带理论固体的能带理论 能带的形成能带的形成原子中的电子在原子核的势场和其他电子的作用下，它们分别在不同的能级上，形成电子壳层。晶体中，各个原子互相靠的很近，不同原子的内、外壳层都有一定的重叠，电子不在局限在某一个原子中，可以由一个原子转移到相邻的原子上，导致电子共有化运动，结果使孤立原子的单一能级分裂行成能带。根据电子先填充低能级的的原理，下面的能带先填满电子，这个带被称为价带或满带，上面的未被电子填满的能带或空能带称为导带，中间以仅带相隔。已被电子填满的能带称为价带第3页，本讲稿共72页固体的能带理论固体的能带理论 能带的形成能带的形成电子在原子之间的转移不是任意的，电子只能在能量相同电子在原子之间的转移不是任意的，电子只能在能量相同的轨道之间发生转移的轨道之间发生转移.当电子获得足够能量的时候将越过当电子获得足够能量的时候将越过禁带发生跃迁。禁带发生跃迁。能带能带禁带禁带能带能带禁带禁带能带能带第4页，本讲稿共72页固体的能带理论固体的能带理论 金属、绝缘体、半导体金属、绝缘体、半导体绝缘体绝缘体半导体半导体导体导体EcEvE9E9导导带带禁禁带带价价带带第5页，本讲稿共72页固体的能带理论固体的能带理论 金属、绝缘体、半导体金属、绝缘体、半导体导体：能带交叠，即使极小的外加能量就会引起导电。绝缘体：能带间距很大，不可能导电。半导体：禁带比绝缘体窄很多，部分电子因热运动从价带跳到导带，使导带中有少量电子，价带中有少量空穴，从而有一定的导电能力。第6页，本讲稿共72页固体的能带理论固体的能带理论 金属、绝缘体、半导体金属、绝缘体、半导体物体的导电能力，一般用材料电阻率的大小来衡量。电阻率越大，说明这种材料的导电能力越弱。物体电阻率 导体 半导体 绝缘体 CM10e9第7页，本讲稿共72页半导体材料硅的晶体结构半导体材料硅的晶体结构硅太阳电池生产中常用的硅（Si），磷（P），硼（B）元素的原子结构模型如下：第三层第三层4个电子个电子第二层第二层8个电子个电子第一层第一层2个电子个电子Si+14P+15B最外层最外层5个电子个电子最外层最外层3个电子个电子siPB第8页，本讲稿共72页半导体材料硅的晶体结构半导体材料硅的晶体结构 原子最外层的电子称为价电子，有几个价电子就称它为几族元素。若原子失去一个电子，称这个原子为正离子，若原子得到一个电子，则成为一个带负电的负离子。原子变成离子的过程称为电离。第9页，本讲稿共72页半导体材料硅的晶体结构半导体材料硅的晶体结构晶体结构 固体可分为晶体和非晶体两大类。原子无规则排列所组成的物质为非晶体。而晶体则是由原子规则排列所组成的物质。晶体有确定的熔点，而非晶体没有确定熔点，加热时在某一温度范围内逐渐软化，如玻璃。第10页，本讲稿共72页半导体材料硅的晶体结构半导体材料硅的晶体结构单晶和多晶的区别 在整个晶体内，原子都是周期性的规则排列，称之为单晶。由许多取向不同的单晶颗粒杂乱地排列在一起的固体称为多晶。第11页，本讲稿共72页半导体材料硅的晶体结构半导体材料硅的晶体结构硅晶体内的共价键硅晶体内的共价键 硅晶体的特点是原子之间靠共有电子对连硅晶体的特点是原子之间靠共有电子对连接在一起。硅原子的接在一起。硅原子的4个价电子和它相邻的个价电子和它相邻的4个原个原子组成子组成4对共有电子对。这种共有电子对就称为对共有电子对。这种共有电子对就称为“共价键共价键”。第12页，本讲稿共72页半导体材料硅的晶体结构半导体材料硅的晶体结构硅晶体的金刚石结构硅晶体的金刚石结构 晶体对称的，有规则的排列叫做晶体格子，晶体对称的，有规则的排列叫做晶体格子，简称晶格，最小的晶格叫晶胞。以下是较重要的简称晶格，最小的晶格叫晶胞。以下是较重要的几个晶胞：几个晶胞：(a)简单立方简单立方（Po）(b)体心立方体心立方（Na、W）(c)面心立方面心立方（Al、Au）第13页，本讲稿共72页半导体材料硅的晶体结构半导体材料硅的晶体结构 金刚石结构是一种复式格子，它是两个面心立方晶格沿对角线方向上移1/4互相套构而成。正四面实体结构正四面实体结构金钢石结构金钢石结构第14页，本讲稿共72页半导体材料硅的晶体结构半导体材料硅的晶体结构晶面和晶向 晶体中的原子可以看成是分布在一系列平行而等距的平面上，这些平面就称为晶面。每个晶面的垂直方向称为晶向。(100晶面晶面)(110晶面晶面)(111晶面晶面)第15页，本讲稿共72页半导体材料硅的晶体结构半导体材料硅的晶体结构原子密排面和解理面 在晶体的不同面上，原子的疏密程度是不同的，若将原子看成是一些硬的球体，按照下图方式排列的晶面就称为原子密排面。第16页，本讲稿共72页半导体材料硅的晶体结构半导体材料硅的晶体结构比较简单的一种包含原子密排面的晶格是面心立方晶格。而金刚石晶格又是两个面心立方晶格套在一起，相互之间沿着晶胞体对角线方向平移1/4而构成的。我们来看面心立方晶格中的原子密排面。按照硬球模型可以区分在(100)(110)(111)几个晶 面上原子排列的情况。第17页，本讲稿共72页半导体材料硅的晶体结构半导体材料硅的晶体结构(100)(110)(111)第18页，本讲稿共72页半导体材料硅的晶体结构半导体材料硅的晶体结构金钢石晶格是由面心立方晶格构成，所以它的(111)晶面也是原子密排面，它的特点是，在晶面内原子密集、结合力强，在晶面之间距离较大，结合薄弱，由此产生以下性质：1、由于(111)密排面本身结合牢固而相互间结合脆弱，在外力作用下，晶体很容易沿着(111)晶面劈裂，晶体中这种易劈裂的晶面称为晶体的解理面。第19页，本讲稿共72页半导体材料硅的晶体结构半导体材料硅的晶体结构 2、由于(111)密排面结合牢固，化学腐蚀就比较困难和缓慢，而(100)面原子排列密度比(111)面低。所以(100)面比(111)面的腐蚀速度快，选择合适的腐蚀液和腐蚀温度，(100)面腐蚀速度比(111)面大的多，因此，用(100)面硅片采用这种各向异性腐蚀的结果，可以使硅片表面产生许多密布表面为(111)面的四面方锥体，形成绒面状的硅表面。第20页，本讲稿共72页半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：当受外界热和光的作用时，它的导电能 力明显变化。往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使 它的导电能力明显改变。半导体的特性第21页，本讲稿共72页半导体的特性半导体的特性 导电特性导电特性导电能力随温度灵敏变化 导体，绝缘体的电阻率随温度变化很小，导体温度每升高一度，电组率大约升高0.4%。而半导体则不一样，温度每升高或降低1度，其电阻就变化百分之几，甚至几十，当温度变化几十度时，电阻变化几十，几万倍，而温度为绝对零度（-273）时，则成为绝缘体。第22页，本讲稿共72页半导体的特性半导体的特性 导电特性导电特性导电能力随光照显著改变 当光线照射到某些半导体上时，它们的导电能力就会变得很强，没有光线时，它的导电能力又会变得很弱。杂质的显著影响 在纯净的半导体材料中，适当掺入微量杂质，导电能力会有上百万的增加。这是最特殊的独特性能。其他特性 温差电效应，霍尔效应，发光效应，光伏效应，激光性能等。第23页，本讲稿共72页半导体的特性半导体的特性 导电过程描述导电过程描述纯净的半导体，在不受外界作用时，导电能力很差。而在一定的温度或光照等作用下，晶体中的价电子有一部分可能会冲破共价键的束缚而成为一个自由电子。同时形成一个电子空位，称之为“空穴”。从能带图上看，就是电子离开了价带跃迁到导带，从而在价带中留下了空穴，产生了一对电子和空穴。如图，通常将这种只含有“电子空穴对”的半导体称为本征半导体。“本征”指只涉及半导体本身的特性。半导体就是靠着电子和空穴的移动来导电的，因此，电子和空穴被统称为载流子。第24页，本讲稿共72页半导体的特性半导体的特性 导电过程描述导电过程描述导带导带(禁带宽禁带宽)价带价带第25页，本讲稿共72页 半导体的特性本征半导体结构GeSi通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。第26页，本讲稿共72页本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体,纯硅 9-10个9,电阻率250000.cm。在硅晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。硅的晶体结构：第27页，本讲稿共72页硅的共价键结构硅的共价键结构共价键共用电子对+4+4+4+4+4表示除去价电子后的原子第28页，本讲稿共72页共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。+4+4+4+4第29页，本讲稿共72页二、本征激发二、本征激发在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。1.载流子、自由电子和空穴第30页，本讲稿共72页+4+4+4+4自由电子空穴束缚电子第31页，本讲稿共72页2.本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理+4+4+4+4在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。第32页，本讲稿共72页温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体中电流由两部分组成：1.自由电子移动产生的电流。2.空穴移动产生的电流。第33页，本讲稿共72页 杂质半导体杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。第34页，本讲稿共72页半导体的特性半导体的特性 N型半导体（施主掺杂）型半导体（施主掺杂）施主施主能级能级导带导带电离能电离能价带价带第35页，本讲稿共72页N 型半导体在硅晶体中掺入少量的五价元素磷，晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。第36页，本讲稿共72页+4+4+5+4多余多余电子电子磷原子磷原子N 型半导体中的载流子是什么？1.由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。2.本征半导体中成对产生的电子和空穴。掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子多数载流子（多子多子），空穴称为，空穴称为少数载流子少数载流子（少子少子）。）。第37页，本讲稿共72页半导体的特性半导体的特性 P型半导体（受主掺杂）型半导体（受主掺杂）导带电离能价带受主能级第38页，本讲稿共72页P 型半导体型半导体在硅晶体中掺入少量的三价元素，如硼，晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。由于硼原子接受电子，所以称为受主原子。+4+4+3+4空穴空穴硼原子硼原子P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。第39页，本讲稿共72页杂质半导体的示意表示法：杂质半导体的示意表示法：P 型半导体型半导体+N 型半导体型半导体杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。第40页，本讲稿共72页载流子的复合与寿命载流子的复合与寿命 多数载流子、少数载流子多数载流子、少数载流子掺杂半导体中，新产生的载流子数量远远超过原来未掺入杂质前载流子的数量，半导体的导电性质主要由占多数的新产生的载流子来决定，所以，在P型半导体中，空穴是多数载流子，而电子是少数载流子。在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子。掺入的杂质越多，多载流子的浓度（单位体积内载流子的数目）越大，则半导体的电阻率越低，它的导电能力越强。第41页，本讲稿共72页载流子的复合与寿命载流子的复合与寿命 平衡载流子、非平衡载流子平衡载流子、非平衡载流子一块半导体材料处于某一均匀的温度中，且不受光照等外界因素的作用的状态，此时半导体中的载流子称为平衡态载流子。半导体一旦受到外界因素作用（如光照，电流注入或其它能量传递形式）时，它内部载流子浓度就多于平衡状态下的载流子浓度。半导体就从平衡状态变为非平衡状态，就把处于非平衡状态时，比平衡状态载流子增加出来的一部分载流子成为非平衡载流子。第42页，本讲稿共72页载流子的复合与寿命载流子的复合与寿命 平衡载流子、非平衡载流子平衡载流子、非平衡载流子当引起非平衡载流子产生的外界因素停止后，非平衡载流子不会永久地存在下去。但也不是一下全部都消失掉，而是随着时间逐渐减少消失的，他们的存在时间有些长些，有些短些，有一个平均的存在时间，也就是“非平衡载流子的寿命”。半导体内部和表面的复合作用是使得非平衡载流子逐渐减少直至消失的原因。非平衡载流子复合的主要方式：1.体内复合直接复合、间接复合（三种辐射复合，声子复合，俄歇复合）、表面复合删除。2。表面复合第43页，本讲稿共72页载流子的复合与寿命载流子的复合与寿命 直接复合直接复合 电子和空穴在半导体内部直接相遇放出光子或引起热运动而复合，复合的过程是电子直接在能带间跃进，中间无须经过任何间接过程删除，这种复合称为直接复合。电子和空穴通过禁带的能级（复合中心）进行复合，称为间接复合。给局能量释放的方式可以分为三种：辐射复合，声子复合，俄歇复合。一般的杂质半导体寿命是与多数载流子的密度成反比的，或者说半导体的电阻率越低，则寿命越短。电阻率越低，多数载流子浓度越高，这种非平衡载流子就越有机会与多数载流子相遇复合，所以寿命就越短。第44页，本讲稿共72页载流子的复合与寿命载流子的复合与寿命 直接复合直接复合第45页，本讲稿共72页载流子的复合与寿命载流子的复合与寿命 间接复合间接复合晶体中的杂质原子和缺陷有促进非平衡载流子的复合作用。间接复合与直接复合不同，它是通过禁带中某些杂质（缺陷）能级做为“跳板”来完成的。靠禁带中的杂质（缺陷）能级俘获导带中的电子与满带中的空穴在其上面间接进行复合的称之为间接复合，那些起复合作用的杂质（缺陷）能级被称为复合中心。复合中心是不断地起着复合作用，而不是起了一次复合作用就停止了。通过复合中心的间接复合过程比直接复合过程强得多。因为间接复合过程每次所要放出的能量比直接复合的要少，相当于分阶段放出能量，所以容易得多。因而间接复合过程大多情况下决定着半导体材料得寿命值。第46页，本讲稿共72页载流子的复合与寿命载流子的复合与寿命 间接复合间接复合 直接复合和间接复合都是在半导体内部完成的，所以统称为“体内复合”。第47页，本讲稿共72页载流子的复合与寿命载流子的复合与寿命 表面复合表面复合半导体表面吸附着外界空气来的杂质分子或原子，半导体表面存在着表面缺陷。这种缺陷是从体内延伸到表面的晶格结构上的中断，表面原子出现悬空键，或者是半导体在加工过程中在表面留下的严重损伤或内应力，造成在体内更多的缺陷和晶格畸变，这些杂质和缺陷形成能接受或施放电子的表面能级，表面复合就是依靠表面能级对电子空穴的俘获来进行复合的。实际上表面复合过程属于间接复合，此时的复合中心位于半导体材料的表面。第48页，本讲稿共72页载流子的复合与寿命载流子的复合与寿命 表面复合表面复合半导体表面表面复合中心能级E2表面复合第49页，本讲稿共72页载流子的传输载流子的传输 漂移漂移半导体中的载流子在不停地做无规则的热运动，没有固定方向地移动，所以半导体中并不产生电流。若在半导体两端加上一个电压，即半导体处于一个电场中，载流子在电场加速作用下，获得了附加的运动，这就称之为载流子的漂移运动。实际上晶体中加速的电子会与杂质原子，缺陷，晶格原子相碰撞，这种碰撞会造成电子运动方向不断发生变化的现象，称之为散射第50页，本讲稿共72页载流子的传输载流子的传输 漂移与迁移率漂移与迁移率迁移率是衡量半导体中载流子平均漂移速度的一个重要参数，其数值等于在单位电场作用下电子和空穴的定向运动速度。因此，它反映了载流子运动的快慢程度。载流子的迁移率随着温度，掺杂浓度和缺陷浓度变化。同一种半导体材料，温度升高，迁移率下降，掺杂浓度，缺陷浓度增加，迁移率同样逐渐下降。第51页，本讲稿共72页载流子的传输载流子的传输 漂移与迁移率漂移与迁移率迁移率还和载流子的有效质量有关。电子的有效质量比空穴小，所以电子的迁移率比空穴大。迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数，掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂浓度，另一方面取决于迁移率的大小。第52页，本讲稿共72页载流子的传输载流子的传输 扩散扩散向半导体中注入非平衡载流子时，注入部分的载流子密度比其它部分高，载流子会由密度大的地方向密度小的地方迁移，这种现象叫做载流子的扩散运动。扩散的强弱是由载流子浓度的变化决定的，浓度梯度越大，扩散也越容易，同时，扩散的强弱还与载流子的种类，运动的速度以及散射的次数等有关，我们用扩散系数来表示载流子扩散能力的强弱。第53页，本讲稿共72页载流子的传输载流子的传输 扩散长度扩散长度非平衡载流子在扩散运动过程中不断地复合而消失。结果非平衡载流子密度由注入部分开始向密度小的方向逐渐减小。在连续注入的条件下，非平衡载流子密度由大到小形成一个稳定的分布。由注入部位到非平衡载流子密度减小到1/e数值位置之间的距离称为载流子的扩散长度。它也是半导体材料的重要参数之一。扩散长度：非平衡载流子在平均寿命时间内经扩散运动所通过的距离。第54页，本讲稿共72页载流子的传输载流子的传输 扩散长度扩散长度扩散长度扩散长度距离距离载流子密度载流子密度0第55页，本讲稿共72页PN结二极管性质结二极管性质 PN结结在一块完整的半导体晶体中，如果一部分是N型半导体，另一部分是P型半导体。在N型半导体中，多数载流子是电子，电子浓度远远超过少数载流子空穴的浓度，而在P型半导体中，空穴是多数载流子，空穴浓度远远超过少数载流子电子的浓度，如下图：第56页，本讲稿共72页PN结二极管性质结二极管性质 空间电荷区的形成过程空间电荷区的形成过程在N型和P型半导体的交界面处存在有电子和空穴浓度梯度，N区中的电子就向P区渗透扩散，扩散的结果是N型区域中邻近P型区域一边的薄层内有一部分电子扩散到N型中去了。由于这个薄层失去了一些电子，在N区就形成带正电荷的区域。同样，P型区域中邻近N型区域一边的薄层内有一部分空穴扩散到N型区域一边去了。由于这个薄层失去了一些空穴，在P区就形成了带负电荷的区域。这样在N型区和P型区交界面的两侧形成了带正，负电荷的区域，叫做空间电荷区。第57页，本讲稿共72页PN结二极管性质结二极管性质 自建电场的定义自建电场的定义空间电荷区中的正负电荷间形成电场。电场的方向是由N型区域指向P型区域，这个由于载流子浓度不均匀而引起扩散运动后形成的电场称为自建电场。载流子在电场作用下，会产生漂移运动。自建电场将N区向P区扩散的电子接回到N区，把P区向N区扩散的空穴接回到P区，由此可见，在空间电荷区内，自建电场引起电子和空穴的漂移运动方向与它们各自的扩散运动方向正好 相反。N型型P型型空间电荷区空间电荷区第58页，本讲稿共72页PN结二极管性质结二极管性质 PN结的形成结的形成空间电荷区也叫阻挡层，就是我们通常讲的PN结。PN结是许多半导体组件的核心，PN结的性质集中反映了半导体导电性能的特点，如：存在两种载流子，载流子有漂移扩散和产生，复合等基本运动的形成。所以，PN结是半导体组件入门的基础。随着电子和空穴的不断扩散，空间电荷的数量不断增加，自建电场也越来越强，直到与载流子的漂移运动和扩散运动相抵消时，就会达到动态平衡。第59页，本讲稿共72页PN结二极管性质结二极管性质 正反向偏置的正反向偏置的PN结的导电特性结的导电特性使P区电位高于N区电位的接法，称PN结加正向电压或正向偏置(简称正偏)，如下图：使P区电位低于N区电位的接法，称PN结加反向电压或反向偏置(简称反偏)，如下图：第60页，本讲稿共72页PN结二极管性质结二极管性质 PN结电流的解析描述结电流的解析描述理论分析证明，流过PN结的电流i与外加电压u之间的关系为 式中，IS为反向饱和电流，其大小与PN结的材料、制作工艺、温度等有关；UT=kT/q，称为温度的电压当量或热电压。在T=300K(室温)时，UT=26mV。这是一个今后常用的参数。第61页，本讲稿共72页PN结二极管性质结二极管性质 PN结电流的解析描述结电流的解析描述加正向电压时，u只要大于UT几倍以上iIseu/UT，即i随u呈指数规律变化；加反向电压时，|u|只要大于UT几倍以上，则iIS(负号表示与正向参考电流方向相反)。PN结的伏安特性曲线，如右图。图中还画出了反向电压大到一定值时，反向电流突然增大的情况，即击穿效应。第62页，本讲稿共72页硅材料的物理化学性质硅材料的物理化学性质 物理性质及常数物理性质及常数物理量物理量单位单位数据数据原子序原子序14禁带宽度禁带宽度电子伏电子伏1.153 0K原子量原子量28.081.106 300K晶格结构晶格结构金刚石金刚石电子迁移率电子迁移率厘米厘米2/伏秒伏秒1350化学键化学键共价键共价键空穴迁移率空穴迁移率厘米厘米2/伏秒伏秒480密度密度g/cm32.33电子扩散系数电子扩散系数厘米厘米2/伏秒伏秒34.6硬度硬度莫氏莫氏6.5空穴扩散系数空穴扩散系数厘米厘米2/伏秒伏秒1213熔点熔点1420本征电阻率本征电阻率欧姆厘米欧姆厘米2.3*105热导率热导率u/k1.4介质常数介质常数11.7热膨胀系数热膨胀系数cm/cm2.33*10-6折射率折射率4.0-3.55为为0.55-1.1反射率反射率33%为为0.4-1.1第63页，本讲稿共72页硅材料的物理化学性质硅材料的物理化学性质 化学性质化学性质硅在高温下能与氯，氧，水蒸气等作用，生成四氯化硅，二氧化硅。硅不溶于HCl,H2SO4,HNO3以及王水（3HCL+1HNO3），硅与HF可以发生反应，但反应速度比较缓慢。第64页，本讲稿共72页硅材料的物理化学性质硅材料的物理化学性质 化学性质化学性质硅和硝酸，氢氟酸的混合液起作用 它利用浓HNO3的强氧化作用。使硅表面生成一层SiO2，另一方面利用HF的络合作用，HF能与SiO2反应生成可溶性的六氟硅酸络合物H2SiF6。硅能与碱相互作用生成相应的硅酸盐。硅能与Cu+2,Pb+2,Ag+,Hg+2等金属离子发生置换反应。第65页，本讲稿共72页硅材料的物理化学性质硅材料的物理化学性质 化学性质化学性质 硅能溶解在熔融的铝，金，银，锡，铅等金属之中，形成合金。硅和这些金属的量可在一定范围内变化。硅在高温下硅与镁，钙，铜，铁，铂，铋等金属能形成具有一定组成的硅化物。第66页，本讲稿共72页硅材料的物理化学性质硅材料的物理化学性质 参数的测量参数的测量导电类型的检测（冷热探针法）：导电类型是指半导体中多数载流子的类型。用两根温度不同的探针与半导体接触时，热探针处的半导体由于温度升高使半导体内载流子的速度和浓度都将增加，并由热接触点扩散到冷接触点。如果半导体是N型的，多数载流子为电子，扩散的结果使热接触点比冷接触点缺少电子，而冷接触点有过多电子，即热接触点比冷接触点有较高的正电势。对于P型半导体，热探针处的空穴浓度和速度增大，并向冷探针方向扩散，热探针处缺少空穴，冷探针处有过剩的空穴。因此，在冷探针处有较高的正电势。因此根据冷热探针之间的电势方向可以确定半导体材料的导电类型。第67页，本讲稿共72页硅材料的物理化学性质硅材料的物理化学性质 参数的测量参数的测量电阻率的测量（直流四探针法）：用四根探针等距离沿一直线与被测样品压触，从外侧一对探针通以恒定的直流电流，由中间两根探针测量该电流所产生的电位差。再由下式求出电阻率：其中C为探针常数第68页，本讲稿共72页硅材料的物理化学性质硅材料的物理化学性质 参数的测量参数的测量高频光电导衰退法测量少数载流子寿命 在光激发下，样品电导发生变化，这时流过样品的电流也随着发生变化。光照停止后，非平衡载流子不会永久地存在下去，随时间逐渐减少消失。取样电阻两端的电压就反映了流过样品电流的变化，而得到光电导衰退曲线。第69页，本讲稿共72页硅材料的物理化学性质硅材料的物理化学性质 参数的测量参数的测量晶向的测定 利用择优腐蚀使晶体的解理面充分暴露并形成腐蚀坑，用一束平行光束垂直地照射到被测表面，在光屏上就可以看到从腐蚀小平面反射回来的特征反射图象，根据图象可以确定晶体的晶向。典型的特征光图见下图：第70页，本讲稿共72页太阳能电池的工作原理太阳能电池的工作原理太阳能电池的工作原理：光生伏特效应简称为光伏效应，指光照使不均匀半导体或半导体与金属组合的不同部位之间产生电位差的现象。当P-N结受光照时，将产生光生载流子。P区产生的光生空穴，N区产生的光生电子属多子，都被势垒阻挡而不能过结。只有P区的光生电子和N区的光生空穴和结区的电子空穴对（少子）扩散到结电场附近时能在内建电场作用下漂移过结。光生电子被拉向N区，光生空穴被拉向P区，即电子空穴对被内建电场分离。这导致在N区边界附近有光生电子积累，在P区边界附近有光生空穴积累。它们产生一个与热平衡P-N结的内建电场方向相反的光生电场，其方向由P区指向N区。此电场使势垒降低，其减小量即光生电势差，P端正，N端负。于是有结电流由P区流向N区，其方向与光电流相反。第71页，本讲稿共72页章节标题第72页，本讲稿共72页