半导体三极管课件 优秀PPT.ppt

半导体三极管课件 第1页，本讲稿共14页 收音机 录音机第2页，本讲稿共14页 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型型:NPN型型和和PNP型型。两种类型的三极管两种类型的三极管发射结发射结(Je)集电结集电结(Jc)基极基极，用用B或或b表示（表示（Base）发射极，用E或e表示（Emitter）；集电极集电极，用用C或或c表示（表示（Collector）。）。发射区发射区集电区集电区基区基区三极管符号三极管符号第一节第一节 半导体三极管半导体三极管一、三极管的结构与符号一、三极管的结构与符号第3页，本讲稿共14页 小型三极管塑料封装 小型三极管金属封装 中功率三极管 大功率三极管第4页，本讲稿共14页 结构特点：结构特点：发射区的掺杂浓度最高；发射区的掺杂浓度最高；集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。浓度最低。管芯结构剖面图管芯结构剖面图第5页，本讲稿共14页二、三极管的电流放大作用二、三极管的电流放大作用1、电流放大的原因电流放大的原因 三极管的放大作用在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来三极管的放大作用在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来内部条件：内部结构上的特点内部条件：内部结构上的特点外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置2.内部载流子的传输过程内部载流子的传输过程发射区：发射载流子发射区：发射载流子集电区：收集载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制基区：传送和控制 载流子载流子 （以（以NPN为例）为例）载流子为自由电子载流子为自由电子第6页，本讲稿共14页3、实际偏置电路、实际偏置电路IcIEIBRBEBECRCNNP一般参数一般参数EC EBRB RC第7页，本讲稿共14页三极管的电流分配关系：IE=IB+IC 而且而且 IC IB ，IC IB IC=IB ；IE=(1+)IB ；iC=iB ；iE=(1+)iB ；三极管的交流放大系数：=IC/IB 三极管的直流放大系数：=IC/IB 三、三极管的特性曲线三、三极管的特性曲线 极间电压和各极电流之间的关系；包括输入特性和输出特性两组；BCIBRBEBECRCIcIEE输入回路：EB、RB、B、E；输出回路：EC、RC、C、E；共射极射极电路UCEUBEV第8页，本讲稿共14页1、输入特性、输入特性IB =f（UBE）|UCE=常数常数2、输出特性、输出特性IC =f（UCE）|IB=常数常数从输出特性曲线上，将三极管划分为三个工作区：截止区、放大区、饱和区截止区、放大区、饱和区；输入特性曲线（UCE=1V）UBE(v)IB(uA）硅管硅管0.2 0.4 0.6 0.8第9页，本讲稿共14页截止区截止区（1）截止区截止区 UBE小于死区电压（或发射结反偏）IB=0；IC=ICEO（穿透电流）；（2）放大区放大区 发射结正偏，集电结反偏：IC 与 UCE 几乎无关；IC 大小大小IB控制控制；IC IB 定义定义 =IC/IB =IC/IB）UBE：硅0.7v;锗0.3v（3）饱和区饱和区 UBE UCE（集电结正偏）：集电极饱和电流 ICS IB；IC 大小不再受大小不再受IB控制控制；ICS=（EC-UCES）/RC；ICS=IBSUBCIBRBEBECRCIcIEEUCEUBEV第10页，本讲稿共14页四、主要参数四、主要参数1、交流放大倍数与支流放大倍数2、ICBO 集电极-基极反向饱和电流：受温度影响较大，是影响管子工作特性的主要因素；3、ICEO 穿透电流：受温度影响较大，是影响管子工作特性的主要因素；4、几个极限参数：ICM：集电极最大电流；UCEO：集-射反向击穿电压；PCM：集电极最大允许功耗；五、温度对参数的影响五、温度对参数的影响1、对ICEO和ICBO的影响；2、：温度升高：温度升高1，值增大值增大0.5%1%;3、对UBE的影响：温度升高温度升高1，UBE 约下降约下降22.5mv;4、温度升高，、温度升高，IC值增大值增大;第11页，本讲稿共14页收音机电路板第12页，本讲稿共14页课后总结：本节课主要讲解三极管的结构与符号。电结构与符号。电流放大作用。输入特流放大作用。输入特性和输出特性。性和输出特性。重点：重点：三极管的符号符号 难点：难点：电流放大作用及输出电流放大作用及输出特性、输入特性。特性、输入特性。作业：1.理论作业：练习册第二章第一节。2.实践作业：找出生活中与三极管有关的电器。第13页，本讲稿共14页 谢谢 谢谢 大大 家家第14页，本讲稿共14页