霍尔效应与磁场测定31707.pdf

霍尔效应与磁场测定 置于磁场中的载流体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场，这个现象是霍普斯金大学研究生霍尔于 1879 年发现的，后被称为霍尔效应。随着半导体物理学的迅速发展，霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一。通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。若能测量霍尔系数和电导率随温度变化的关系，还可以求出半导体材料的杂质电离能和材料的禁带宽度。如今，霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且随着电子技术的发展，利用该效应制成的霍尔器件，由于结构简单、频率响应宽（高达 10GHz）、寿命长、可靠性高等优点，已广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面。在工业生产要求自动检测和控制的今天，作为敏感元件之一的霍尔器件，将有更广阔的应用前景。了解这一富有实用性的实验，对日后的工作将有益处。【实验目的】1掌握测试霍尔元件的工作特性。2学习用霍尔效应法测量磁场的原理和方法。3学习用霍尔元件测绘长直螺线管的轴向磁场分布。【实验原理】1霍尔效应法测量磁场原理 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场。对于图 1（a）所示的 N 型半导体试样，若在 X 方向的电极 D、E 上通以电流SI，在 Z 方向加磁场 B，试样中载流子（电子）将受洛仑兹力 gFevB （1）其中 e 为载流子（电子）电量，v为载流子在电流方向上的平均定向漂移速率，B 为磁感应强度。（a）（b）图 1 样品示意图 无论载流子是正电荷还是负电荷，gF的方向均沿 Y 方向，在此力的作用下，载流子发生便移，则在Y 方向即试样 A、A电极两侧就开始聚积异号电荷，进而在试样 A、A两侧产生一个电位差HV，形成相应的附加电场 E霍尔电场，相应的电压HV称为霍尔电压，电极 A、A称为霍尔电极。电场的指向取决于试样的导电类型。N 型半导体的多数载流子为电子，P 型半导体的多数载流子为空穴。对 N 型试样，霍尔电场逆 Y 方向，P 型试样则沿 Y 方向，有()0()()0HHSEYNIXB ZEYP （型）、（）（型）显然，该电场是阻止载流子继续向侧面偏移，试样中载流子将受一个与gF方向相反的横向电场力 HEeEF （2）其中HE为霍尔电场强度。EF随电荷积累增多而增大，当达到稳恒状态时，两个力平衡，即载流子所受的横向电场力 eHE与洛仑兹力 evB相等，样品两侧电荷的积累就达到平衡，故有 BVeeEH （3）设试样的宽度为 b，厚度为 d，载流子浓度为 n，则电流强度SI与的v关系为 SInevbd （4）由（3）、（4）两式可得 dBIRdBInebEVSHSHH1 （5）即霍尔电压HV（A、A电极之间的电压）与SIB 乘积成正比，与试样厚度 d 成反比。比例系数neRH1 称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。根据霍尔效应制作的元件称为霍尔元件。由式（5）可见，只要测出HV（伏）以及知道SI（安）、B（高斯）和 d（厘米）可按下式计算HR（厘米3库仑）。810BIdVRSHH （6）上式中的 108 是由于磁感应强度 B 用电磁单位（高斯）而其它各量均采用厘米.克.秒制单位而引入。霍尔元件就是利用上述霍尔效应制成的电磁转换元件，对于成品的霍尔元件，其HR和 d 已知，因此在实际应用中式（5）常以如下形式出现 BIKVSHH （7）其中比例系数neddRKH1H称为霍尔元件灵敏度（其值由制造厂家给出），它表示该器件在单位工作电流和单位磁感应强度下输出的霍尔电压。SI称为控制电流。（7）式中的单位取SI为 mA，B 为 KGS，HV为 mV，则HK的单位为 mV/（mAKGS）。HK越大，霍尔电压HV越大，霍尔效应越明显。从应用上讲，HK愈大愈好。HK与载流子浓度 n成反比，半导体的载流子浓度远比金属的载流子浓度小，因此用半导体材料制成的霍尔元件，霍尔效应明显，灵敏度较高，这也是一般霍尔元件不用金属导体而用半导体制成的原因。另外，HK还与 d 成反比，因此霍尔元件一般都很薄。本实验所用的霍尔元件就是用 N 型半导体硅单晶切薄片制成的。由于霍尔效应的建立所需时间很短（约 10-1210-14s），因此使用霍尔元件时用直流电或交流电均可。只是使用交流电时，所得的霍尔电压也是交变的，此时，式（7）中的SI和HV应理解为有效值。根据（7）式，因HK已知，而SI由实验给出，所以只要测出HV就可以求得未知磁感应强度 B。SHHIKVB （8）2霍尔电压HV的测量方法 应该说明，在产生霍尔效应的同时，因伴随着多种副效应，以致实验测得的 A、A两电极之间的电压并不等于真实的HV值，而是包含着各种副效应引起的附加电压，因此必须设法消除。根据副效应产生的机理（参阅书 154 页）可知，采用电流和磁场换向的对称测量法，基本上能够把副效应的影响从测量的结果中消除，具体的做法是：保持SI和 B（即MI）的大小不变，并在设定电流和磁场的正、反方向后，依次测量由下列四组不同方向的SI和 B 组合的 A、A两点之间的电压1V、2V、3V和4V，即+SI+B 1V+SI-B 2V-SI-B 3V-SI+B 4V 然后求上述四组数据1V、2V、3V和4V的代数平均值，可得 123414HVVVVV （9）通过对称测量法求得的HV，虽然还存在个别无法消除的副效应，但其引入的误差甚小，可略去不计。（8）、（9）两式就是本实验用来测量磁感应强度的依据。3载流长直螺线管内的磁感应强度 螺线管是由绕在圆柱体上的导线构成的，对于密绕的螺线管，可以看成是一列有共同轴线的圆形线圈的并排组合，因此一个载流长直螺线管轴线上某点的磁感应强度，可以从对各圆形电流在轴线上该点所产生的磁感应强度进行积分求和得到。根据毕奥萨伐尔定律，当线圈通以电流MI时，管内轴线上 P 点的磁感应强度为 210c o sc o s21MPNIB (10)其中 O为真空磁导率，O=410-7亨利/米，N 为螺线管单位长度的线圈匝数，MI为线圈的励磁电流,1、2分别为点 P 到螺线管两端径失与轴线夹角，如图 2 所示。根据式（10），对于一个有限长的螺线管，在距离两端口等远的中心处轴上 O 点，21lD0图 2 221)21()21(21cosDLL 222)21()21(21cosDLL 式中D 为长直螺线管直径，L 为螺线管长度。中心处的磁感应强度最大，且等于 0002222221112221111()()()()2222MMLLLBNINILDLDLD （11）由于本实验仪所用的长直螺线管满足 LD，则近似认为 MNIB00 （12）在两端口处 221)21(cosDLL 0cos2 此时磁感应强度最小，且等于 2201)21(21DLLNIBM （13）同理，由于本实验仪所用的长直螺线管满足 LD，则近似认为 MNIB0121 （14）由（13）、（14）式可知，0121BB。由图（3）所示的长直螺线管的磁力线分布可知，其内腔中部磁力线是平行于轴线的直线系，渐近两端口时，这些直线变为从两端口离散的曲线，说明其内部的磁场在很大一个范围内是近似均匀的，仅在靠近两端口处磁感应强度才显著下降，呈现明显的不均匀性。根据上面理论计算，长直螺线管一端的磁感应强度为内腔中部磁感应强度的 1/2。【实验内容】测绘螺线管轴线上磁感应强度的分布曲线 1按图 4 连接测试仪和实验仪之间相对应的SI、HV和MI各组连线，SI及MI 换向开关投向上方，表明SI及MI均为正值（即SI沿 X 方向，B 沿 Z 方向），反之为负值。经教师检查后方可开启测试仪的电源。注意：图4 中虚线所示的部分线路即样品各电极引线与对应的双刀双掷开关之间的连线已由厂家连好。图 3 必须强调指出：绝不允许将测试仪的励磁电源“MI输出”误接到实验仪的“SI输入”或“HV输出”处，否则一旦通电，霍尔元件即遭损坏！为了准确测量，应先对测试仪进行调零，即将测试仪的“SI调节”和“MI调节”旋钮均置零位，待开机数分钟后若HV显示不为零，可通过面板左下方小孔的“调零”电位器实现调零，即“0.00”。图 4 2取SI=5.00mA，MI=0.500A，并在测试过程中保持不变。（1）以螺线管轴线为 X 轴，相距螺线管两端口等远的中心位置为坐标原点，探头离中心位置2114XXX，调节霍尔元件探杆支架的旋钮1X、2X，使测距尺读数1X=2X=0.0cm。首先保持2X=0.0cm 不变，调节1X旋钮使1X停留在 0.0、0.5、1.0、1.5、2.0、5.0、8.0、11.0、14.0cm等读数处；然后保持1X=14.0cm 不变，再调节2X旋钮，使2X停留在 3.0、6.0、9.0、12.0、12.5、13.0、13.5、14.0cm 等读数处，按对称测量法测出各相应位置的1V、2V、3V、4V值，并根据（8）、（9）两式计算相对应的HV及 B 值，记入表 3 中。根据（10）式计算相对应的理论 B 值，记入表 3 中，其中 221)21()(cosDXLXL 222)21()(cosDXLXL（2）绘制 BX 曲线，验证螺线管端口的磁感应强度为中心位置磁感应强度的 1/2（可不考虑温度对HV的影响）。表 3 SI=5.00mA，MI=0.500A 1X(cm)2X(cm)X(cm)1V(mV)2V(mV)3V(mV)4V(mV)HV(mV)B(KGS)+SI、+B+SI、-B-SI、-B-SI、+B 实验值 理论值 相对误差 0.0 0.0 0.5 0.0 1.0 0.0 1.5 0.0 2.0 0.0 5.0 0.0 8.0 0.0 11.0 0.0 14.0 0.0 14.0 3.0 14.0 6.0 14.0 9.0 14.0 12.0 14.0 12.5 14.0 13.0 14.0 13.5 14.0 14.0 （3）将实验得到的螺线管轴向磁感应强度 B 值与计算得到的理论 B 值进行比较，求出相对误差（需考虑温度对HV值的影响）。注：a)测绘 BX 曲线时，螺线管两端口附近磁强变化大，应多测几点。b)霍尔元件灵敏度HK值和螺线管单位长度线圈匝数 N 均标在实验仪上。【预习思考题】1在什么样的条件下会产生霍尔电压，它的方向与哪些因素有关？2 实验中在产生霍尔效应的同时，还会产生那些副效应，它们与磁感应强度 B 和电流SI有什么关系，如何消除副效应的影响？3采用霍尔元件来测量磁场时具体要测量哪些物理量？4用霍尔元件测磁场时，如果磁场方向与霍尔元件片的法线不一致，对测量结果有什么影响？如何用实验方法判断 B 与元件法线是否一致？5能否用霍尔元件测量交变磁场？