电子元件的识别与检测.pptx

会计学1电子元件的识别电子元件的识别(shbi)与检测与检测第一页，共79页。看一看、认一认看一看、认一认第1页/共79页第二页，共79页。电子电路中主要包括以下电子电路中主要包括以下电子电路中主要包括以下电子电路中主要包括以下(y(y xi)xi)元件：元件：元件：元件：n n1 1）电阻器：是电子电路中使用率最高的耗能元件。在电路）电阻器：是电子电路中使用率最高的耗能元件。在电路）电阻器：是电子电路中使用率最高的耗能元件。在电路）电阻器：是电子电路中使用率最高的耗能元件。在电路中有稳定和调节电流、电压的作用，可以作为分流器、分压中有稳定和调节电流、电压的作用，可以作为分流器、分压中有稳定和调节电流、电压的作用，可以作为分流器、分压中有稳定和调节电流、电压的作用，可以作为分流器、分压器等使用。器等使用。器等使用。器等使用。n n2 2）电容器：是电子电路中使用率仅次于电阻器的一种能够）电容器：是电子电路中使用率仅次于电阻器的一种能够）电容器：是电子电路中使用率仅次于电阻器的一种能够）电容器：是电子电路中使用率仅次于电阻器的一种能够储存电场能的元件，具有储存电场能的元件，具有储存电场能的元件，具有储存电场能的元件，具有“隔直流通交流隔直流通交流隔直流通交流隔直流通交流”的本领，通常起滤的本领，通常起滤的本领，通常起滤的本领，通常起滤波、旁路、耦合等作用。波、旁路、耦合等作用。波、旁路、耦合等作用。波、旁路、耦合等作用。n n3 3）电感器：是一种能够储存磁场能的元件，具有）电感器：是一种能够储存磁场能的元件，具有）电感器：是一种能够储存磁场能的元件，具有）电感器：是一种能够储存磁场能的元件，具有“通直流阻通直流阻通直流阻通直流阻交流交流交流交流”的本领，通常用于滤波、振荡、延迟等电路中。的本领，通常用于滤波、振荡、延迟等电路中。的本领，通常用于滤波、振荡、延迟等电路中。的本领，通常用于滤波、振荡、延迟等电路中。n n4 4）二极管：具有单向导电特性。二极管有普通和特殊之分，）二极管：具有单向导电特性。二极管有普通和特殊之分，）二极管：具有单向导电特性。二极管有普通和特殊之分，）二极管：具有单向导电特性。二极管有普通和特殊之分，可以起到整流可以起到整流可以起到整流可以起到整流(zhngli)(zhngli)、稳压、检波、保护及发光等作用。、稳压、检波、保护及发光等作用。、稳压、检波、保护及发光等作用。、稳压、检波、保护及发光等作用。n n5 5）晶体管：具有电流放大和开关作用。）晶体管：具有电流放大和开关作用。）晶体管：具有电流放大和开关作用。）晶体管：具有电流放大和开关作用。第2页/共79页第三页，共79页。元器件选择元器件选择元器件选择元器件选择(xu(xu nz)nz)序号序号名称名称数量数量1 1MF47 MF47 型万用表型万用表1 12 2 电阻器电阻器各种类型若干各种类型若干3 3电容器电容器各种类型若干各种类型若干4 4电感器电感器各种类型若干各种类型若干5 5二极管二极管各种类型若干各种类型若干6 6晶体管晶体管各种类型若干各种类型若干元器件明细表元器件明细表第3页/共79页第四页，共79页。任务任务1 正确正确(zhngqu)使用万用表使用万用表 500型万用表型万用表 MF47 型万用表型万用表 数字式万用表数字式万用表第4页/共79页第五页，共79页。一、一、MF47型指针式万用型指针式万用表的组成表的组成(z chn)主要包括主要包括(boku)三部分三部分介绍介绍(jisho)面板面板表头表头转换开关转换开关（又称选择（又称选择开关）开关）测量线路测量线路第5页/共79页第六页，共79页。1.表头表头(bio tu)表头采用高灵敏度表头采用高灵敏度的磁电系测量机构，的磁电系测量机构，是测量的显示装置。是测量的显示装置。表头上的表盘印有表头上的表盘印有多种符号多种符号(fho)、刻度线和数值。刻度线和数值。第6页/共79页第七页，共79页。标度标度标度标度(bio d)(bio d)尺尺尺尺 MF47型万用表是多用途、多量程仪表。它的刻度盘上共有六条 标度尺，不同项目(xingm)或挡位的测量，分别从对应标度尺上读取数据直流电阻的测量(cling)交流电压的测量(cling)直流电压的测量(cling)直流电流的测量(cling)晶体管放大倍数的测量(cling)电容的测量(cling)电感的测量(cling)音频电平的测量(cling)第7页/共79页第八页，共79页。2.转换开关转换开关转换开关转换开关电阻挡(zdng)直流电流挡 晶体管放大(fngd)倍数挡 直流电压(diny)挡交流电压挡第8页/共79页第九页，共79页。3.3.测量测量测量测量(cling)(cling)线路线路线路线路第9页/共79页第十页，共79页。二、指针式万用表的使用二、指针式万用表的使用(shyng)n n1.1.电阻的测量电阻的测量n n 1 1）选挡位：欧姆挡）选挡位：欧姆挡n n 2 2）选量程：使指针尽量指在欧姆挡）选量程：使指针尽量指在欧姆挡刻度尺刻度尺1/21/2左右处（欧姆中心值处）左右处（欧姆中心值处）n n 3 3）欧姆调零：短接红、黑两只表笔，）欧姆调零：短接红、黑两只表笔，调整调整“”“”调零旋钮，使指针指在调零旋钮，使指针指在00位位置置(wi zhi)(wi zhi)n n 4 4）连接电阻：把两只表笔分开任意）连接电阻：把两只表笔分开任意去接被测电阻的两端去接被测电阻的两端n n 5 5）读数：电阻值刻度值）读数：电阻值刻度值 该挡倍该挡倍率率第10页/共79页第十一页，共79页。n n2.2.交流电压的测量交流电压的测量n n 1 1）选挡位：交流电压挡）选挡位：交流电压挡n n 2 2）选量程：当不知电压范围时先用高）选量程：当不知电压范围时先用高挡再换低挡，使指针落在满刻度挡再换低挡，使指针落在满刻度2/32/3以上以上区域区域n n 3 3）选刻度：选标有）选刻度：选标有“V“V”刻度线，读刻度线，读取合适的刻度取合适的刻度n n 4 4）测量：表笔与被测电路并联，不分）测量：表笔与被测电路并联，不分极性极性n n 5 5）读数）读数(dsh)(dsh)：根据所选量程来选择：根据所选量程来选择合适标度尺，读取被测电压数值合适标度尺，读取被测电压数值第11页/共79页第十二页，共79页。n n3.3.直流电压的测量直流电压的测量n n 1 1）选挡位：直流电压挡）选挡位：直流电压挡n n 2 2）选量程：当不知电压范围时先用高）选量程：当不知电压范围时先用高挡再换低挡，使指针落在满刻度挡再换低挡，使指针落在满刻度2/32/3以上以上区域区域n n 3 3）选刻度：选标有）选刻度：选标有“V-”“V-”刻度线，读取刻度线，读取合适的刻度合适的刻度n n 4 4）测量：表笔与被测电路并联。红笔）测量：表笔与被测电路并联。红笔接电路高电位端，黑笔接电路低电位端接电路高电位端，黑笔接电路低电位端n n 5 5）读数：根据所选量程来选择合适标）读数：根据所选量程来选择合适标度度(bio d)(bio d)尺，读取被测电压数值尺，读取被测电压数值第12页/共79页第十三页，共79页。n n4.4.直流电流的测量直流电流的测量n n 1 1）选挡位：直流电流挡）选挡位：直流电流挡n n 2 2）选量程：当不知电流范围时先用高）选量程：当不知电流范围时先用高挡再换低挡，使指针落在满刻度挡再换低挡，使指针落在满刻度2/32/3以上以上区域区域n n 3 3）选刻度：选标有）选刻度：选标有“mA”“mA”刻度线，读刻度线，读取合适的刻度取合适的刻度n n 4 4）测量：断开被测电路）测量：断开被测电路 ，将万用表，将万用表红、黑表笔红、黑表笔(bi(bi obob)串入，电流从红笔入串入，电流从红笔入黑笔出黑笔出n n 5 5）读数：根据所选量程来选择合适标）读数：根据所选量程来选择合适标度尺，读取被测电流数值度尺，读取被测电流数值第13页/共79页第十四页，共79页。n n5.5.晶体管晶体管hFEhFE的测量的测量n n 1 1）选挡调零：将转换开关拨）选挡调零：将转换开关拨到到ADJADJ挡，调零后将开关拨到挡，调零后将开关拨到hFEhFE挡挡n n 2 2）测量：将）测量：将E E、B B、C C三引脚三引脚插入插入(ch r)(ch r)万用表对应插座万用表对应插座,其其中中PNPPNP管插管插P P座内座内,NPN,NPN管插管插NN座座内内n n 3 3）读表：在）读表：在hFEhFE刻度线上读刻度线上读出被测晶体管出被测晶体管hFEhFE的值的值第14页/共79页第十五页，共79页。任务任务2 学会学会(xuhu)识识别电子元件别电子元件第15页/共79页第十六页，共79页。一、识别一、识别(shbi)电阻电阻器器电阻器的分类(fn li)第16页/共79页第十七页，共79页。常用(chn yn)电阻器实物及图形符号第17页/共79页第十八页，共79页。1.1.电阻器标称阻值电阻器标称阻值电阻器标称阻值电阻器标称阻值(z(z zh)zh)和偏差的标注方法和偏差的标注方法和偏差的标注方法和偏差的标注方法电阻器的单位：国际单位是欧姆（电阻器的单位：国际单位是欧姆（电阻器的单位：国际单位是欧姆（电阻器的单位：国际单位是欧姆（），常用），常用），常用），常用(chn(chn yn yn)单位：千欧单位：千欧单位：千欧单位：千欧（KK），兆欧（），兆欧（），兆欧（），兆欧（MM）。）。）。）。1 M 1 M 103 k 103 k 106 106 。1 1）直标法：是用阿拉伯数字和单位符号将电阻值）直标法：是用阿拉伯数字和单位符号将电阻值）直标法：是用阿拉伯数字和单位符号将电阻值）直标法：是用阿拉伯数字和单位符号将电阻值 直接标注在电阻体上直接标注在电阻体上直接标注在电阻体上直接标注在电阻体上2 2）文字符号法：是用阿拉伯数字和文字符号两者）文字符号法：是用阿拉伯数字和文字符号两者）文字符号法：是用阿拉伯数字和文字符号两者）文字符号法：是用阿拉伯数字和文字符号两者 有规律的组合来表示标称阻值。如有规律的组合来表示标称阻值。如有规律的组合来表示标称阻值。如有规律的组合来表示标称阻值。如5K15K1表示表示表示表示 5.1K 5.1K，5151表示表示表示表示5.15.1，4M74M7表示表示表示表示4.7M4.7M3 3）数码法：是用两位或三位阿拉伯数字表示电阻）数码法：是用两位或三位阿拉伯数字表示电阻）数码法：是用两位或三位阿拉伯数字表示电阻）数码法：是用两位或三位阿拉伯数字表示电阻 值。前面的数字表示有效数字值。前面的数字表示有效数字值。前面的数字表示有效数字值。前面的数字表示有效数字,末位数字表示末位数字表示末位数字表示末位数字表示 零的个数。三位数字，如零的个数。三位数字，如零的个数。三位数字，如零的个数。三位数字，如“103”“103”表示表示表示表示1000010000。4 4）色标法：是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或）色标法：是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或）色标法：是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或）色标法：是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上，可分两位、三位有效数字的阻值色标色点）标注在它的外表面上，可分两位、三位有效数字的阻值色标色点）标注在它的外表面上，可分两位、三位有效数字的阻值色标色点）标注在它的外表面上，可分两位、三位有效数字的阻值色标法法法法第18页/共79页第十九页，共79页。两两位位有有效效数数字字(yu xio sh z)的的阻阻值值色色标标法法棕红棕红1 1、2 2，橙是，橙是3 3；4 4、5 5黄绿，黄绿，6 6是蓝；是蓝；7 7紫、紫、8 8灰，白取灰，白取9 9；黑色圆圆是黑色圆圆是0 0蛋；蛋；金银金银(jn yn)(jn yn)代表负代表负1 1、2 2，颜色数码要记全。颜色数码要记全。常用电阻四常用电阻四个环，个环，环靠哪头从哪算，环靠哪头从哪算，一、二环是有效一、二环是有效数，数，三环乘倍是关键，三环乘倍是关键，四环表示误差数，四环表示误差数，一般使用不用管。一般使用不用管。第19页/共79页第二十页，共79页。三三位位有有效效数数字字(yu xio sh z)的的阻阻值值色色标标法法 精密电阻精密电阻(dinz)有五环，有五环，前三环是有效数，前三环是有效数，倍乘误差四五环，倍乘误差四五环，运用自如真方便。运用自如真方便。第20页/共79页第二十一页，共79页。n n举例：n n1.四环电阻n n色环顺序：棕黑黑金(hi jn)阻值为10 ,误差为5%n n2.五环电阻色环顺序(shnx)：灰红黑黑金阻值为820 ,误差为5%第21页/共79页第二十二页，共79页。2.2.电阻器的额定功率电阻器的额定功率电阻器的额定功率电阻器的额定功率(dn(dn nn l l)n n电阻器长期连续工作并能满足规定的性能(xngnng)要求时，所允许耗散的最大功率称为电阻器的额定功率第22页/共79页第二十三页，共79页。二、识别二、识别(shbi)电容器电容器常见常见(chn jin)电容及其图形符号电容及其图形符号第23页/共79页第二十四页，共79页。1.1.电容器的标注电容器的标注电容器的标注电容器的标注(bio zh)(bio zh)方法方法方法方法电容器的单位：国际单位是法拉电容器的单位：国际单位是法拉电容器的单位：国际单位是法拉电容器的单位：国际单位是法拉(f(f l)l)（F F）。常用单位有微法）。常用单位有微法）。常用单位有微法）。常用单位有微法（FF）、微微法（）、微微法（）、微微法（）、微微法（PFPF）。）。）。）。1F1F106F106F1012PF 1012PF 1 1）直标法）直标法）直标法）直标法2 2）数字表示法）数字表示法）数字表示法）数字表示法3 3）数字字母法）数字字母法）数字字母法）数字字母法4 4）数码法）数码法）数码法）数码法5 5）色标法）色标法）色标法）色标法第24页/共79页第二十五页，共79页。例例例例11直标法直标法直标法直标法耐压耐压 容量容量 极性极性 负极负极(fj)正极正极表示容量为表示容量为220 F，耐压为，耐压为50V的电解电容器的电解电容器第25页/共79页第二十六页，共79页。例例例例22数字数字数字数字(shz)(shz)表示法表示法表示法表示法容量(rngling)：6800pF耐压：1500V表示容量(rngling)为6800pF 耐压为1500V 圆片瓷介电容器第26页/共79页第二十七页，共79页。涤纶薄膜电容涤纶薄膜电容耐压：耐压：400V容量容量(rngling)：33X104F误差：误差：J为为5表示容量表示容量(rngling)为为33X104F 误差为误差为5 耐压为耐压为400V 涤纶薄膜电容器涤纶薄膜电容器第27页/共79页第二十八页，共79页。耐压为耐压为“2A”1.0102=100V 容量为容量为“104”10104pF误差误差(wch)为为“J”5涤纶薄膜电容器涤纶薄膜电容器第28页/共79页第二十九页，共79页。n n涤纶电容器耐压的标注(bio zh)是采用一个数字和一个字母组合而成。数字表示10的幂指数，字母表示数值，单位是V（伏）。n n字母=数值 n nA=1.0 B=1.25 C=1.6 D=2.0 E=2.5 F=3.15 G=4.0 H=5.0 J=6.3 K=8.0 Z=9.0 n n例如：n n2A代表 1.0*100=100V n n1J代表 6.3*10=63V n n2G代表 4.0*100=400V n n1K代表 8.0*10=80V 第29页/共79页第三十页，共79页。例例例例33数字数字数字数字(shz)(shz)表示法表示法表示法表示法CL 涤纶(dln)薄膜电容容量容量(rngling)为为47n=47 103pF误差为误差为J 5耐压为耐压为63V第30页/共79页第三十一页，共79页。三、识别三、识别(shbi)电感电感器器电感器实物(shw)及图形符号第31页/共79页第三十二页，共79页。电感器的单位电感器的单位(dnwi)及符号及符号n n电感器用L表示，单位(dnwi)为亨利，符号为H。n n常用单位(dnwi)还有毫亨（mH）、微亨（H），换算关系：1H103mH=106H。容量容量(rngling)第32页/共79页第三十三页，共79页。任务任务(rn wu)3 认识二认识二极管极管n n一、常用(chn yn)二极管实物及图形符号常用(chn yn)二极管实物展示第33页/共79页第三十四页，共79页。二极管图形符号：二极管图形符号：文字文字(wnz)(wnz)符号：符号：VDVD箭头方向表示二极管正向导(xingdo)通时电流的方向第34页/共79页第三十五页，共79页。n n实物实物(shw)(shw)外形正负电极的识别外形正负电极的识别 第35页/共79页第三十六页，共79页。二、二极管的导电二、二极管的导电(dodin)特性实验特性实验n n观察二极管和导电(dodin)特性n n 1.VD正接时电路电路(dinl)原理图原理图VD正接时实物示意图第36页/共79页第三十七页，共79页。n n2.VD反接(fn ji)时电路电路(dinl)原理图原理图VD反接(fn ji)时实物示意图为为何何不不亮亮？第37页/共79页第三十八页，共79页。1.1.正向偏置正向偏置正向偏置正向偏置 灯泡亮时，与电源正极靠近灯泡亮时，与电源正极靠近灯泡亮时，与电源正极靠近灯泡亮时，与电源正极靠近(kojn)(kojn)的就是的就是的就是的就是二极管正极，与电源负极靠近二极管正极，与电源负极靠近二极管正极，与电源负极靠近二极管正极，与电源负极靠近(kojn)(kojn)的就的就的就的就是二极管负极，这叫给二极管加上了正向是二极管负极，这叫给二极管加上了正向是二极管负极，这叫给二极管加上了正向是二极管负极，这叫给二极管加上了正向电压称为正向偏置（简称正偏）。电压称为正向偏置（简称正偏）。电压称为正向偏置（简称正偏）。电压称为正向偏置（简称正偏）。此时二极管的正向电阻很小，如同开关此时二极管的正向电阻很小，如同开关此时二极管的正向电阻很小，如同开关此时二极管的正向电阻很小，如同开关闭合。闭合。闭合。闭合。2.2.反向偏置反向偏置反向偏置反向偏置 灯泡不亮时说明二极管两端加了反向电压，灯泡不亮时说明二极管两端加了反向电压，灯泡不亮时说明二极管两端加了反向电压，灯泡不亮时说明二极管两端加了反向电压，称为反向偏置（简称反偏），此时的反向称为反向偏置（简称反偏），此时的反向称为反向偏置（简称反偏），此时的反向称为反向偏置（简称反偏），此时的反向电阻很大，二极管如同开关断开。电阻很大，二极管如同开关断开。电阻很大，二极管如同开关断开。电阻很大，二极管如同开关断开。第38页/共79页第三十九页，共79页。结论结论(jiln)二极管是有极性的器件，具有单向导电性，即加正向电压(diny)导通，加反向电压(diny)截止？第39页/共79页第四十页，共79页。三、二极管的结构三、二极管的结构(jigu)与分类与分类1.1.二极管的结构二极管的结构二极管的结构二极管的结构 二极管是由半导体材料制成的，其核心二极管是由半导体材料制成的，其核心二极管是由半导体材料制成的，其核心二极管是由半导体材料制成的，其核心是是是是PNPN结。结。结。结。PNPN结具有单向结具有单向结具有单向结具有单向(dn xin(dn xin)导导导导电性，这也是二极管的主要特性。它是电性，这也是二极管的主要特性。它是电性，这也是二极管的主要特性。它是电性，这也是二极管的主要特性。它是由管芯（主要是由管芯（主要是由管芯（主要是由管芯（主要是PNPN结）正、负极（从结）正、负极（从结）正、负极（从结）正、负极（从P P区和区和区和区和NN区分别焊出两根金属引线），封区分别焊出两根金属引线），封区分别焊出两根金属引线），封区分别焊出两根金属引线），封装外壳组成。装外壳组成。装外壳组成。装外壳组成。半导体材料(cilio)制成的奥妙之处！奥妙之处！第40页/共79页第四十一页，共79页。PN结为何结为何(wih)有单向有单向导电性导电性?认识半导体认识半导体（1）半导体的定义）半导体的定义 导电能力介于导体与绝缘体导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。之间的物质称为半导体。它一般为四价元素它一般为四价元素,化学结化学结构比较稳固构比较稳固(wng)，所以非常，所以非常纯净的半导体，即本征半导体纯净的半导体，即本征半导体导电能力很差。但半导体的导导电能力很差。但半导体的导电能力随着掺入杂质、温度和电能力随着掺入杂质、温度和光照的不同而发生很大变化，光照的不同而发生很大变化，具有掺杂性、光敏性、热敏性具有掺杂性、光敏性、热敏性等导电性。等导电性。电子技术电子技术(jsh)中常用的半导体材料是硅和锗中常用的半导体材料是硅和锗第41页/共79页第四十二页，共79页。载流子：能够运载电荷的粒载流子：能够运载电荷的粒子称为载流子。子称为载流子。半导体中的载流子有两种：半导体中的载流子有两种：自由电子自由电子(z yu din z)(z yu din z)：带负电荷：带负电荷 空穴：带与自由电子空穴：带与自由电子(z(z yu din z)yu din z)等量的负电荷。等量的负电荷。特性：载流子在外电场作用特性：载流子在外电场作用下可以做定向移动，形成电流。下可以做定向移动，形成电流。只是本征半导体中的截流子很只是本征半导体中的截流子很少，导电性能很差，为提高导少，导电性能很差，为提高导电性能，需掺杂，形成杂质半电性能，需掺杂，形成杂质半导体。导体。本征半导体导电本征半导体导电(dodin)示意图示意图第42页/共79页第四十三页，共79页。（2）杂质半导体及分类）杂质半导体及分类定义：定义：掺杂后的半导体为杂质半掺杂后的半导体为杂质半导体。导体。分类：按所掺入杂质类型不同，分类：按所掺入杂质类型不同，分为分为P型半导体和型半导体和 N型半导体。型半导体。1）P型半导体：在本征半导体硅型半导体：在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的三价元（或锗）中掺入微量的三价元素，就形成素，就形成P型半导体（空穴型型半导体（空穴型半导体）。其内部有两种运载半导体）。其内部有两种运载电荷的粒子，即载流子电荷的粒子，即载流子,其中空其中空穴是多数载流子（简称多子），穴是多数载流子（简称多子），自由电子是少数自由电子是少数(shosh)载流载流子（简称少子）。子（简称少子）。2）N型半导体：在本征半导体硅型半导体：在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的五价元（或锗）中掺入微量的五价元素，就形成素，就形成N型半导体（或电子型半导体（或电子型半导体）。其中自由电子是型半导体）。其中自由电子是多数载流子（简称多子），空多数载流子（简称多子），空穴是少数穴是少数(shosh)载流子（简载流子（简称少子）。称少子）。第43页/共79页第四十四页，共79页。（3）PN结：结：1）定义：利用特殊的掺杂工艺）定义：利用特殊的掺杂工艺(gngy)，在一块晶片两边分，在一块晶片两边分别生成别生成N型和型和P型半导体，两者型半导体，两者的交界处就会出现一个特殊的的交界处就会出现一个特殊的接触面，称为接触面，称为PN结结 PN结的形成结的形成(xngchng)示意图示意图一定一定(ydng)(ydng)要注意啊！要注意啊！由由NN区指向区指向P P 区区第44页/共79页第四十五页，共79页。2 2）PNPN结结结结 的特性的特性的特性的特性 PN PN结上加正向电压，即结上加正向电压，即结上加正向电压，即结上加正向电压，即P P区接电源正极，区接电源正极，区接电源正极，区接电源正极，NN区接电源负极，这时区接电源负极，这时区接电源负极，这时区接电源负极，这时外加电压产生的外电场与外加电压产生的外电场与外加电压产生的外电场与外加电压产生的外电场与PNPN结的内电场方向相反，内电场被削结的内电场方向相反，内电场被削结的内电场方向相反，内电场被削结的内电场方向相反，内电场被削弱，形成较大的扩散电流，即正向电流。这时弱，形成较大的扩散电流，即正向电流。这时弱，形成较大的扩散电流，即正向电流。这时弱，形成较大的扩散电流，即正向电流。这时PNPN结的正向电阻结的正向电阻结的正向电阻结的正向电阻很低，处于很低，处于很低，处于很低，处于(ch(ch y)y)正向导通状态。正向导通状态。正向导通状态。正向导通状态。PN PN结加反向电压，结加反向电压，结加反向电压，结加反向电压，即即即即NN区接电源正极，区接电源正极，区接电源正极，区接电源正极，P P区接电源负极，这时外区接电源负极，这时外区接电源负极，这时外区接电源负极，这时外电场与内电场方向一致，增强了内电场，使电场与内电场方向一致，增强了内电场，使电场与内电场方向一致，增强了内电场，使电场与内电场方向一致，增强了内电场，使PNPN结的反向电阻大，结的反向电阻大，结的反向电阻大，结的反向电阻大，处于处于处于处于(ch(ch y)y)反向截止状态。所以说反向截止状态。所以说反向截止状态。所以说反向截止状态。所以说PNPN结具有单向导电性。结具有单向导电性。结具有单向导电性。结具有单向导电性。第45页/共79页第四十六页，共79页。2.分类分类(fn li)硅管 锗管 塑料(slio)玻璃 金属封装 点接触型 面接触型 平面型按封装形式按封装形式(xngsh)分分按材料分按材料分按管芯结构分按管芯结构分适宜在小电流状态下使用适合在大电流场合使用第46页/共79页第四十七页，共79页。3.二极管的主要参数二极管的主要参数1最大整流电流最大整流电流IFM 指二极管长时间工作时允许通指二极管长时间工作时允许通过的最大直流电流。使用二极过的最大直流电流。使用二极管时，应注意流过二极管的正管时，应注意流过二极管的正向电流不能大于这个数值，否向电流不能大于这个数值，否则可能损坏二极管。则可能损坏二极管。2最高反向工作电压最高反向工作电压URM 指二极管正常指二极管正常(zhngchng)使用时所允许加的最高反向电使用时所允许加的最高反向电压。使用中如果超过此值，二压。使用中如果超过此值，二极管将有被击穿的危险。极管将有被击穿的危险。第47页/共79页第四十八页，共79页。分析分析(fnx)二极二极管的单向导电特性管的单向导电特性 1 1定义：用来定义：用来定义：用来定义：用来(yn li)(yn li)描述二极管两端的电压和流过的电流之间的描述二极管两端的电压和流过的电流之间的描述二极管两端的电压和流过的电流之间的描述二极管两端的电压和流过的电流之间的关系曲线叫作二极管的伏安特性。关系曲线叫作二极管的伏安特性。关系曲线叫作二极管的伏安特性。关系曲线叫作二极管的伏安特性。二极管的伏安特性二极管的伏安特性(txng)曲线曲线第48页/共79页第四十九页，共79页。（1 1）正向特性（纵轴右侧）：表示二极管加正向电压时，该电压）正向特性（纵轴右侧）：表示二极管加正向电压时，该电压）正向特性（纵轴右侧）：表示二极管加正向电压时，该电压）正向特性（纵轴右侧）：表示二极管加正向电压时，该电压与流过二极管电流之间的关系。正向特性分为两个区：与流过二极管电流之间的关系。正向特性分为两个区：与流过二极管电流之间的关系。正向特性分为两个区：与流过二极管电流之间的关系。正向特性分为两个区：1 1）死区（）死区（）死区（）死区（OAOA段）段）段）段）：当正向电压较小时：当正向电压较小时：当正向电压较小时：当正向电压较小时(xi(xi osh)osh)，正向电流极小，正向电流极小，正向电流极小，正向电流极小，二极管呈现很大的电阻，通常把这个范围称为死区。二极管呈现很大的电阻，通常把这个范围称为死区。二极管呈现很大的电阻，通常把这个范围称为死区。二极管呈现很大的电阻，通常把这个范围称为死区。死区电压死区电压死区电压死区电压 2 2）正向导通区（）正向导通区（）正向导通区（）正向导通区（ABAB段）：当正向电压超过死区电压时，二极管段）：当正向电压超过死区电压时，二极管段）：当正向电压超过死区电压时，二极管段）：当正向电压超过死区电压时，二极管正向电阻变得很小，正向电流迅速增大，二极管正向导通。正正向电阻变得很小，正向电流迅速增大，二极管正向导通。正正向电阻变得很小，正向电流迅速增大，二极管正向导通。正正向电阻变得很小，正向电流迅速增大，二极管正向导通。正向导通后，二极管有很小的管压降。向导通后，二极管有很小的管压降。向导通后，二极管有很小的管压降。向导通后，二极管有很小的管压降。管压降管压降管压降管压降0.5V（Si）0.2V（Ge）0.60.7V（Si）0.20.3V（Ge）第49页/共79页第五十页，共79页。（2）反向特性（纵轴左侧）：表）反向特性（纵轴左侧）：表示给二极管加反向电压时，该示给二极管加反向电压时，该电压与流过二极管电流之间的电压与流过二极管电流之间的关系。反向特性也分两个区：关系。反向特性也分两个区：1）反向截止区（）反向截止区（OC段）：当反段）：当反向电压在一定数值向电压在一定数值(shz)范围范围内时，二极管反向电阻很大，内时，二极管反向电阻很大，反向电流很小，可以认为二极反向电流很小，可以认为二极管反向截止。此时的反向电流管反向截止。此时的反向电流称为反向饱和电流。在实际使称为反向饱和电流。在实际使用中，反向饱和电流值越小，用中，反向饱和电流值越小，二极管的单向导电性越好。二极管的单向导电性越好。2）反向击穿区（）反向击穿区（CD段）：当反段）：当反向电压增到一定数值向电压增到一定数值(shz)时时（图（图118中中C点），反向电流急点），反向电流急剧增大，这种现象叫反向击穿。剧增大，这种现象叫反向击穿。C点对应的电压就叫反向击穿电点对应的电压就叫反向击穿电压压UBR。击穿后会因电流过大。击穿后会因电流过大会将管子损坏，因此除稳压二会将管子损坏，因此除稳压二极管外，普通二极管不允许出极管外，普通二极管不允许出现反向击穿现象。现反向击穿现象。结论：二极管的内阻不是常数，结论：二极管的内阻不是常数，它是非线性器件。它是非线性器件。第50页/共79页第五十一页，共79页。任务任务(rn wu)4 学习晶体管学习晶体管一、认识(rn shi)晶体管外形、分类与符号常见常见(chn jin)的各种晶体管的各种晶体管第51页/共79页第五十二页，共79页。晶体管的分类晶体管的分类晶体管的分类晶体管的分类(fn li)(fn li)小功率管（耗散功率小于小功率管（耗散功率小于1W1W）大功率管（耗散功率不低于大功率管（耗散功率不低于1W1W）放大管放大管 开关开关(kigun)(kigun)管管 低频管（工作频率在低频管（工作频率在3MH3MH以下）以下）高频管（工作频率不低于高频管（工作频率不低于3MH3MH）合金管合金管 平面管平面管 NPN NPN型型 PNP PNP型型 硅管硅管 锗管锗管按功率按功率(gngl)分分 按用途分按用途分 按工作频率按工作频率按结构工艺分按结构工艺分按内部基本结构分按内部基本结构分按管芯所用半导体材料按管芯所用半导体材料第52页/共79页第五十三页，共79页。内部结构及图形符号内部结构及图形符号内部结构及图形符号内部结构及图形符号n nPNPPNP晶体管晶体管晶体管晶体管 n nNPNNPN晶体管晶体管晶体管晶体管第53页/共79页第五十四页，共79页。二、晶体管的电流放大二、晶体管的电流放大(fngd)作用作用看原理图看原理图第54页/共79页第五十五页，共79页。连电路连电路(dinl)实实物物(shw)示示意意图图第55页/共79页第五十六页，共79页。1.测试：调节电位器测试：调节电位器RP可改变基可改变基极电流极电流(dinli)IB。晶体管各极电流晶体管各极电流(dinli)2.实验数据分析实验数据分析1）晶体管各极电流）晶体管各极电流(dinli)分配分配关系是：关系是：IE=IB+IC 2）IE ICIB 第56页/共79页第五十七页，共79页。2）IE ICIB 3）IB的微小变化会引起IC较大的变化注意：晶体管的电流放大作用，实质上是用较小的基极电流信号控制较大的集电极电流信号，是“以小控大”的作用。晶体管放大作用的实现需要(xyo)一定的外部条件，即必须保证发射结加正向偏置电压，集电结加反向偏置电压。晶体管的电流放大作用：基极电流IB的微小变化会引起集电极电流IC的较大变化，这就是晶体管的电流放大作用。第57页/共79页第五十八页，共79页。认识放大认识放大认识放大认识放大(fngd)(fngd)电路为共发射极放大电路为共发射极放大电路为共发射极放大电路为共发射极放大(fngd)(fngd)电路电路电路电路NPN型晶体管的共型晶体管的共发射极接法发射极接法 基极和发射极作为基极和发射极作为(zuwi)信号输入信号输入端端集电极与发射极集电极与发射极作为作为(zuwi)信信号输出端号输出端发射极是输入、输出回路的公共端发射极是输入、输出回路的公共端第58页/共79页第五十九页，共79页。PNP型晶体管的型晶体管的共发射极接法共发射极接法 基极和发射极作为基极和发射极作为(zuwi)信号输入信号输入端端集电极与发射极集电极与发射极作为作为(zuwi)信信号输出端号输出端发射极是输入、输出回路发射极是输入、输出回路(hul)的公共端的公共端第59页/共79页第六十页，共79页。三、晶体管的主要参数三、晶体管的主要参数n n（1 1）电流）电流）电流）电流(dinli)(dinli)放大系数放大系数放大系数放大系数 它是表征晶体管电流它是表征晶体管电流它是表征晶体管电流它是表征晶体管电流(dinli)(dinli)放大能力的参数。放大能力的参数。放大能力的参数。放大能力的参数。n n 直流电流直流电流直流电流直流电流(dinli)(dinli)放大系数放大系数放大系数放大系数 （hFEhFE）：集电极直流电流）：集电极直流电流）：集电极直流电流）：集电极直流电流(dinli)(dinli)与基极直流电流与基极直流电流与基极直流电流与基极直流电流(dinli)(dinli)之比即之比即之比即之比即:n n 交流电流交流电流交流电流交流电流(dinli)(dinli)放大系数放大系数放大系数放大系数 （hfehfe）：集电极电流）：集电极电流）：集电极电流）：集电极电流(dinli)(dinli)的变化量与基极电流的变化量与基极电流的变化量与基极电流的变化量与基极电流(dinli)(dinli)的变化量之比，即：的变化量之比，即：的变化量之比，即：的变化量之比，即：n n 第60页/共79页第六十一页，共79页。n n（2 2）极间反向饱和电流）极间反向饱和电流）极间反向饱和电流）极间反向饱和电流 这是衡量晶体管质量优劣这是衡量晶体管质量优劣这是衡量晶体管质量优劣这是衡量晶体管质量优劣(yu li)(yu li)的重要指标的重要指标的重要指标的重要指标n n1 1）集电极）集电极）集电极）集电极 基极反向饱和电流基极反向饱和电流基极反向饱和电流基极反向饱和电流ICBOICBOn n2 2）集电极）集电极）集电极）集电极 发射极反向饱和电流发射极反向饱和电流发射极反向饱和电流发射极反向饱和电流ICEOICEOn nICBOICBO测量电路测量电路测量电路测量电路 ICEO ICEO测量电路测量电路测量电路测量电路第61页/共79页第六十二页，共79页。n n（3 3）极限参数）极限参数）极限参数）极限参数 指晶体管使用时电压指晶体管使用时电压指晶体管使用时电压指晶体管使用时电压(diny)(diny)、电流、电流、电流、电流、及功率的极限值及功率的极限值及功率的极