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光电检测技术与应用参考书目参考书目光电检测技术曾光宇等编著 清华大学出版社激光光电检测吕海宝等编著 国防科技大学出版社 光电检测技术雷玉堂等编著 中国计量出版社教材教材光电检测技术与应用郭培源 编著 北京航空航天大学出版社目目 录录第一章第一章 绪论绪论第二章第二章 光电检测技术基础光电检测技术基础2.1 光的基本性质光的基本性质2.2 辐射与光度学量辐射与光度学量2.3 半导体基础知识半导体基础知识2.4 光电效应光电效应第三章第三章 光电检测器件光电检测器件3.1光电器件的类型与特点光电器件的类型与特点3.2光电器件的基本特性参数光电器件的基本特性参数3.3半导体光电器件半导体光电器件光电导器件光电导器件:光敏电阻光敏电阻光伏器件光伏器件:光电池光电池/光电二极管光电二极管/三极管三极管3.4真空光电器件真空光电器件光电管光电管光电倍增管光电倍增管3.5热电检测器件热电检测器件热敏电阻热敏电阻热电偶和热电堆热电偶和热电堆热释电探测器件热释电探测器件第四章第四章 发光、耦合和成像器件发光、耦合和成像器件4.14.1 发光二极管发光二极管4.24.2 激光器激光器4.34.3 光电耦合器件光电耦合器件4.44.4 CCD CCD第五章第五章 光电检测系统光电检测系统5.1 5.1 直接光电检测系统直接光电检测系统5.25.2 光外差光电检测系统光外差光电检测系统5.35.3 典型的光电检测系统典型的光电检测系统第六章第六章光纤传感检测光纤传感检测第七章第七章光电信号的数据采集与微机接口光电信号的数据采集与微机接口第八章第八章光电检测技术的典型应用光电检测技术的典型应用第一章 绪 论1.光电系统描述n光电系统是以光波作为信息和能量的载体而实现传感、传输、探测功能的测量系统。光是一种电磁波，电磁波谱包括：长波电震荡、无线电波、微波、光波（包括红外光、可见光、紫外光）、射线等。光波的波长范围为1mm-10nm,频率为3x1011-3x1016Hz,它是工作于电磁波波普图上最后波段的电子系统，特点是波长短，频率高。n光系统的作用体现在如下三个方面n1）在经典光学理论中，作为一种视觉的延伸，如经典的光学仪器。n2）在信息光电子学中，光作为一种载体，能实现信息的传递和探测功能，如光探测系统、光通讯系统、光信息识别系统。n3）在能量光电子学中，光作为一种能量系统完成特定的功能，如激光加工技术，武器系统等。光电检测技术以光电子学为基础,以光电子器件为主体,研究和发展光电信息的形成、传输、接收、变换、处理和应用。它涉及到：1、光电源器件（光发射机）2、光通信和综合信息网络4、光电方法用于瞬态光学观测5、光电传感、光纤传感和图象传感、光电传感、光纤传感和图象传感6、激光、红外、微光探测，定向和制导、激光、红外、微光探测，定向和制导7、光电精密测试，在线检测和控制技术、光电精密测试，在线检测和控制技术8、混合光电信息处理、识别和图象分析光电检测是信息时代的关键技术光电检测是信息时代的关键技术n信息技术:（三大支柱）感测技术、通信技术、人工智能与计算机控制技术。信息的产生和获取、转换、传输、控制、存储、处理、显示。本课程着重在光电检测的元器件、系统、方法和应用光电检测的元器件、系统、方法和应用。光电检测技术光电检测技术n光电传感器：基于光电效应，将光信号转换为电信号的一种光电器件将非电量转换为与之有确定对应关系的电量输出。n光电检系统：是利用光电传感器实现各类检测。它将被测量的量转换成光通量,再转换成电量，并综合利用信息传送和处理技术，完成在线和自动测量n光电检测系统包括光学变换光电变换电路处理n光学变换时域变换：调制振幅、频率、相位、脉宽（干涉、衍射）空域变换：光学扫描（扫描盘）光学参量调制：光强、波长、相位、偏振形成能被光电探测器接收，便于后续电学处理的光学信息。n光电变换光电/热电器件（传感器）、变换电路、前置放大将信息变为能够驱动电路处理系统的电信息（电信号的放大和处理）。n电路处理放大、滤波、调制、解调、A/D、D/A、微机与接口、控制。光电探测器的种类类 型实 例PN结PN光电二极管（Si,Ge,GaAs)PIN光电二极管（Si）雪崩光电二极管(Si,Ge)光电晶体管(Si)集成光电传感器和光电晶闸管(Si)非PN结光电元件(CdS,CdSe,Se,PbS)热电元件(PZT,LiTaO3,PbTiO3)电子管类光电管，摄像管，光电倍增管其他类色敏传感器固体图象传感器（SI，CCD/MOS/CPD型）位置检测用元件（PSD）光电池返回n光电检测技术以激光、红外、光纤等现代光电器件为基础，通过对载有被检测物体信号的光辐射（发射、反射、散射、衍射、折射、透射等）进行检测，即通过光电检测器件接收光辐射并转换为电信号。n由输入电路、放大滤波等检测电路提取有用的信息，再经过A/D变换接口输入微型计算机运算、处理，最后显示或打印输出所需检测物体的几何量或物理量。2.光电检测系统组成变换电路光电传感光源光学系统被测对象光学变换电信号处理存 储显 示控 制光学变换电路处理光电系统组成n光电系统的组成主要包括三个部分：n光发射机、光学信道、光接收机。根据光发射机的不同，光电系统可分为主动式和被动式两类。n主动式：光发射机主要由光源和调制器组成n被动式：发射机为被探测物体的热辐射，特点是隐蔽性高。n光学信道：主要是指大气、空间、水、光纤等光传播过程中要经过的介质。n光接收机：是指收集入射的广场并处理，恢复光载波的信息。3.光电检测系统的功能分类n测量检查型:几何量:长度、角度、位置、形变。表面形状：光洁度、庇病、伤痕。光学量：吸收、反射、透射、光谱。n控制跟踪型跟踪控制：激光制导，红外制导数值控制：自动定位，图形加工形成，数值控制（光栅尺）n图象分析型图形检测图形分析光电检测技术的特点n高精度：从地球到月球激光测距的精度达到1米。n高速度：光速是最快的。n远距离、大量程：遥控、遥测和遥感。n非接触式检测：不改变被测物体性质的条件下进行测量。n寿命长：光电检测中通常无机械运动部分，故测量装置寿命长，工作可靠、准确度高，对被测物无形状和大小要求。n数字化和智能化：强的信息处理、运算和控制能力。光电检测技术发展趋势n纳米、亚纳米高精度的光电测量新技术。n小型、快速的微型光、机、电检测系统。n非接触、快速在线测量。n微空间三维测量技术和大空间三维测量技术。n闭环控制的光电检测系统，实现光电测量与光电控制一体化。n向人们无法触及的领域发展。n光电跟踪与光电扫描测量技术。一、在工业生产领域的应用一、在工业生产领域的应用在在线线检检测测：零零件件尺尺寸寸、产产品品缺缺陷陷、装装配配定定位位.现现代代工工程程装装备备中中，检检测测环环节节的的成成本本约约占占5070%光电检测技术的应用二、在日常生活中的应用二、在日常生活中的应用 家用电器：家用电器：数码相机、数码摄像机：自动对焦数码相机、数码摄像机：自动对焦-红外测距传感器红外测距传感器数字体温计：非接触式数字体温计：非接触式-红外传感器红外传感器自动感应灯：亮度检测自动感应灯：亮度检测-光敏电阻光敏电阻遥控接收：红外检测遥控接收：红外检测-光敏二极管、光敏三极管光敏二极管、光敏三极管办公商务：办公商务：扫描仪：文档扫描扫描仪：文档扫描-线阵线阵CCDCCD医疗卫生：医疗卫生：血糖测试仪血糖测试仪三、在军事上的应三、在军事上的应用用美军研制的未来单兵作战武器美军研制的未来单兵作战武器夜视瞄准机系统：非冷却红外传感器技术夜视瞄准机系统：非冷却红外传感器技术激光测距仪：可精确的定位目标。激光测距仪：可精确的定位目标。美国国家导弹防御计划美国国家导弹防御计划-NMD四、检测技术在国防领域的应用四、检测技术在国防领域的应用1.地基拦截器地基拦截器2.早期预警系统早期预警系统3.前沿部署前沿部署(如雷达）如雷达）4.管理与控制系统管理与控制系统5.卫星红外线监测系统卫星红外线监测系统 监测系统监测系统:探测和发现探测和发现敌人导弹的发射并追踪敌人导弹的发射并追踪导弹的飞行轨道；导弹的飞行轨道；拦截器：能识别真假拦截器：能识别真假弹头，敌友方弹头，敌友方学习本课程的目的n了解光电检测系统的基本组成，光电检测技术的特点和发展趋势。n掌握光电检测器件（传感器、光源和成像器件）的工作原理及基本特性，了解它们的应用范围。n能够根据特性参数，选择合适的光电检测器件。熟悉常用器件的性能指标。n掌握直接检测与外差检测的原理和区别。n了解光纤传感检测技术的原理和应用，掌握光纤的光波调制技术。n掌握了解常用光电检测技术的测量、数据采集、处理和转换的方法，了解所需的元器件、仪器和相关的接口技术。本课程的学习内容n光电检测器件的物理基础n光电检测器件的工作原理和特性及其应用n光电直接和外差检测系统n光纤传感检测技术n光电信号的数据采集与微机接口第二章第二章 光电检测技术基础光电检测技术基础n半导体基础知识半导体基础知识n光电效应光电效应半导体基础知识半导体基础知识n导体、半导体和绝缘体n半导体的特性n半导体的能带结构n本征半导体与杂质半导体n平衡和非平衡载流子n载流子的输运过程n半导体的光吸收nPN结导体、半导体和绝缘体n自然存在的各种物质，分为气体、液体、固体。自然存在的各种物质，分为气体、液体、固体。n固体按导电能力可分为：导体、绝缘体和介于两固体按导电能力可分为：导体、绝缘体和介于两者之间的半导体。者之间的半导体。n电阻率电阻率10-6 10-3欧姆欧姆厘米范围内厘米范围内导体导体n电阻率电阻率1012欧姆欧姆厘米以上厘米以上绝缘体绝缘体n电阻率介于导体和绝缘体之间电阻率介于导体和绝缘体之间半导体半导体半导体的特性n半导体电阻温度系数一般是负的，而且对温度变半导体电阻温度系数一般是负的，而且对温度变化非常敏感。根据这一特性，热电探测器件。化非常敏感。根据这一特性，热电探测器件。n导电性受极微量杂质的影响而发生十分显著的变导电性受极微量杂质的影响而发生十分显著的变化。化。（纯净（纯净Si在室温下电导率为在室温下电导率为5*10-6/(欧姆欧姆厘米厘米)。掺。掺入硅原子数百万分之一的杂质时，电导率为入硅原子数百万分之一的杂质时，电导率为2/(欧姆欧姆厘米厘米)n半导体导电能力及性质受光、电、磁等作用的影半导体导电能力及性质受光、电、磁等作用的影响。响。本征和杂质半导体n本征半导体就是没有杂质和缺陷的半导体。n在绝对零度时，价带中的全部量子态都被电子占据，而导带中的量子态全部空着。n在纯净的半导体中掺入一定的杂质，可以显著地控制半导体的导电性质。n掺入的杂质可以分为施主杂质和受主杂质。n施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为电子导电的n型半导体。n受主杂质电离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴，使半导体成为空穴导电的p型半导体。平衡和非平衡载流子n处于热平衡状态的半导体，在一定温度下，载流子浓度一定。这种处于热平衡状态下的载流子浓度，称为平衡载流子浓度。n半导体的热平衡状态是相对的，有条件的。如果对半导体施加外界作用，破坏了热平衡的条件，这就迫使它处于与热平衡状态相偏离的状态，称为非平衡状态。n处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度也不再是平衡载流子浓度，比它们多出一部分。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子。非平衡载流子的产生n光注入光注入：用光照使得半导体内部产生非平衡载流子。n当光子的能量大于半导体的禁带宽度时，光子就能把价带电子激发到导带上去，产生电子空穴对，使导带比平衡时多出一部分电子，价带比平衡时多出一部分空穴。n产生的非平衡电子浓度等于价带非平衡空穴浓度。n光注入产生非平衡载流子，导致半导体电导率增加。n其它方法其它方法：电注入、高能粒子辐照等。载流子的输运过程n扩散n漂移n复合半导体对光的吸收n物体受光照射，一部分光被物体反射，一部分光被物体吸收，其余的光透过物体。n吸收包括：本征吸收、杂质吸收、自由载流子吸收、激子吸收、晶体吸收n本征吸收由于光子作用使电子由价带跃迁到导带n只有在入射光子能量大于材料的禁带宽度时，才能发生本征激发杂质吸收和自由载流子吸收n引起杂质吸收的光子的最小能量应等于杂质的电离能n由于杂质电离能比禁带宽度小，所以这种吸收在本征吸收限以外的长波区PN结n将P型和N型半导体采用特殊工艺制造成半导体半导体内有一物理界面，界面附近形成一个极薄的特殊区域，称为PN结。n是二极管、三极管、集成电路和其它结型光电器件最基本的结构单元。PN 结反向偏置结反向偏置+内电场内电场外电场外电场变厚变厚NP+_内电场被被加强，多内电场被被加强，多子的扩散受抑制。少子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子子漂移加强，但少子数量有限，只能形成数量有限，只能形成较小的反向电流。较小的反向电流。RE PN结的伏安特性曲线 对应表:半导体的物理效应:光电效应与光热效应n是指单个光子的性质对产生的光电子直接作用，物体吸是指单个光子的性质对产生的光电子直接作用，物体吸收光子后，直接引起原子或分子内部电子状态的改变，收光子后，直接引起原子或分子内部电子状态的改变，光子能量的大小直接影响内部电子状态的改变，对光波光子能量的大小直接影响内部电子状态的改变，对光波频率有选择性，响应速度一般较快。光照射到物体表面频率有选择性，响应速度一般较快。光照射到物体表面上使物体发射电子、或导电率发生变化、或产生光电动上使物体发射电子、或导电率发生变化、或产生光电动势等，这种因光照而引起物体电学特性发生改变统称为势等，这种因光照而引起物体电学特性发生改变统称为光电效应。光电效应包括外光电效应和内光电效应。光电效应。光电效应包括外光电效应和内光电效应。n光热效应：物体吸收光辐射后，不直接引起原子或分子光热效应：物体吸收光辐射后，不直接引起原子或分子内部电子状态的改变，而是把吸收的光能量变为晶格的内部电子状态的改变，而是把吸收的光能量变为晶格的热运动能量，引起物体温度上升，进而引起物体电学特热运动能量，引起物体温度上升，进而引起物体电学特性或其他物理性质发生改变。性或其他物理性质发生改变。n外光电效应外光电效应：物体受光照后向外发射电子：物体受光照后向外发射电子n发生过程与发生条件发生过程与发生条件n内光电效应内光电效应：物体受到光照后所产生的光电子：物体受到光照后所产生的光电子只在物质内部而不会逸出物体外部只在物质内部而不会逸出物体外部多发生多发生在半导体在半导体n内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应n光电导效应光电导效应：半导体受光照后，内部产生光生：半导体受光照后，内部产生光生载流子，使半导体中载流子数显著增加而电阻载流子，使半导体中载流子数显著增加而电阻减少的现象减少的现象n光生伏特效应光生伏特效应：光照在半导体：光照在半导体PN结或金属结或金属半半导体接触上时，会在导体接触上时，会在PN结或金属结或金属半导体接触半导体接触的两侧产生光生电动势。的两侧产生光生电动势。n PN结的光生伏特效应：当用适当波长的光照结的光生伏特效应：当用适当波长的光照射射PN结时，由于内建场的作用（不加外电场），结时，由于内建场的作用（不加外电场），光生电子拉向光生电子拉向n区，光生空穴拉向区，光生空穴拉向p区，相当于区，相当于PN结上加一个正电压。结上加一个正电压。n半导体内部产生电动势（光生电压）；如将半导体内部产生电动势（光生电压）；如将PN结短路，则会出现电流（光生电流）。结短路，则会出现电流（光生电流）。光热效应n光热效应：材料受光照射后，光子能量与晶格相互作用，振动加剧，温度升高，材料的性质发生变化热释电效应：介质的极化强度随温度变化而变化，引起电荷表面电荷变化的现象辐射热计效应：入射光的照射使材料由于受热而造成电阻率变化的现象温差电效应：由两种材料制成的结点出现稳差而在两结点间产生电动势，回路中产生电流第三章 光电检测器件n光电器件的类型与特点光电器件的类型与特点n光电器件的基本特性参数光电器件的基本特性参数n半导体光电器件半导体光电器件光电导器件光电导器件光敏电阻光敏电阻光伏器件光伏器件光电池光电池光电二极管光电二极管/三极管三极管n真空光电器件真空光电器件光电管光电管光电倍增管光电倍增管n热电检测器件热电检测器件热敏电阻热敏电阻热电偶和热电堆热电偶和热电堆热释电探测器件热释电探测器件3.1 光电器件的类型与特点光电器件的类型与特点n光电效应：光照射到物体表面上使物体的电学特性发生变化n光电子发射：物体受光照后向外发射电子多发生于金属和金属氧化物n光电导效应：半导体受光照后，内部产生光生载流子，使半导体中载流子数显著增加而电阻减少n光生伏特效应：光照在半导体PN结或金属半导体接触上时，会在PN结或金属半导体接触的两侧产生光生电动势。光电检测器件的类型光电检测器件的类型n光电检测器件是利用物质的光电效应把光信号转换成电信号的器件.n光电检测器件分为两大类:光子(光电子)检测器件热电检测器件光电检测器件光电检测器件光子器件光子器件热电器件热电器件真空器件真空器件固体器件固体器件光电管光电倍增管真空摄像管变像管像增强管光敏电阻光电池光电二极管光电三极管光纤传感器电荷耦合器件CCD热电偶/热电堆热辐射计/热敏电阻热释电探测器光电检测器件的特点光子器件光子器件热电器件热电器件响应波长有选择性，一般有截止波长，超 过该波长，器件无响应。响应波长无选择性，对可见光到远红外的各种波长的辐射同样敏感响应快，吸收辐射产生信号需要的时间短，一般为纳秒到几百微秒响应慢，一般为几毫秒3.2 3.2 器件的基本特性参数器件的基本特性参数n响应特性n噪声特性n量子效率n线性度n工作温度一、响应特性一、响应特性响应度（或称灵敏度）：是光电探测器输出信号与输入光功率之间关系的度量。描述的是光电探测器件的光电转换效率。响应度是随入射光波长变化而变化的响应度分电压响应度和电流响应度n电压响应率 光电探测器件输出电压与入射光功率之比n电流响应率 光电探测器件输出电流与入射光功率之比光谱响应度：探测器在波长为的单色光照射下，输出电压或电流与入射的单色光功率之比积分响应度：检测器对各种波长光连续辐射量的反应程度响应时间：响应时间是描述光电探测器对入射光响应快慢的一个参数（如图）。上升时间：入射光照射到光电探测器后，光电探测器输出上升到稳定值所需要的时间。下降时间：入射光遮断后，光电探测器输出下降到稳定值所需要的时间。n光电探测器响应率与入射调制频率的关系 为调制频率为f 时的响应率 为调制频率为零时的响应率为时间常数（等于RC）频率响应：光电探测器的响应随入射光的调制频率而变化的特性称为频率响应由于光电探测器信号产生和消失存在着一个滞后过程，所以入射光的调制频率对光电探测器的响应会有较大的影响。光入射产生光电流是一个积分过程，是一阶系统，根据RC积分电路的特点，它是一低通电路，其幅频特性为：上限截止频率：上限截止频率时间常数决定了光电探测器频率响应的带宽时间常数决定了光电探测器频率响应的带宽返回返回二.光电转换定律n对于光电探测器，一端是光辐射量，另一端是光电流。把光辐射量转换为光电流量的过程称为光电转换。即光电流正比于入射光功率n量子效率（）：在某一特定波长上，每秒钟内产生的光电子数与入射光子数之比。n对理想的探测器，入射一个光量子发射一个电子，=1n实际上，1n量子效率是一个微观参数，量子效率愈高愈好。量子效率与响应度的关系量子效率与响应度的关系n光探测器对入射光功率有响应，响应的是光电流。因此，一个光子探测器总可视为一个电流源。n因为光功率P正比于光电场的平方，故常把光探测器称为平方率探测器，光探测器实质上是一个非线性器件。三、噪声特性n在一定波长的光照下光电探测器输出的电信号并不是平直的，而是在平均值上下随机地起伏，它实质上就是物理系统内部的起伏干扰：如电阻中自由电子的热运动，光电阴极的随即发射，载流子的随机产生和复合等。服从统计规律，其平均值为零。用均方噪声来表示噪声值大小。由于产生探测器起伏噪声的因素很多，且这些因素又彼此独立，总的噪声功率为各种噪声功率之和。n噪声在实际的光电探测系统中是极其有害的。n由于噪声总是与有用信号混在一起，因而影响对信号特别是微弱信号的正确探测。n一个光电探测系统的极限探测能力往往受探测系统的噪声所限制。n所以在精密测量、通信、自动控制等领域，减小和消除噪声是十分重要的问题。光电探测器常见的噪声n热噪声n散粒噪声n产生-复合噪声n1/f噪声1、热噪声n或称约翰逊噪声，即载流子无规则的热运动造成的噪声。n导体或半导体中每一电子都携带着电子电量作随机运动(相当于微电脉冲)，尽管其平均值为零，但瞬时电流扰动在导体两端会产生一个均方根电压，称为热噪声电压。n热噪声存在于任何电阻中，热噪声与温度成正比，与频率无关，热噪声又称为白噪声2、散粒噪声n散粒噪声：无光照下，由于热激发射到光探测器表面的光子是随机的，光电子从光电阴极表面逸出是随机的，PN结中通过结区的载流子数也是随机的。n散粒噪声也是白噪声，与频率无关。n散粒噪声是光电探测器的固有特性，对大多数光电探测器的研究表明：散粒噪声具有支配地位。n例如光伏器件的PN结势垒是产生散粒噪声的主要原因。n热激发平均电流，暗电流3、产生-复合噪声n对光导探测器，热激发载流子产生电子空穴对，与光伏器件不同，存在严重的复合过程，复合过程也式随机的，使起伏加倍。n在平衡状态时，在载流子产生和复合的平均数是一定的n但在某一瞬间载流子的产生数和复合数是有起伏的。n载流子浓度的起伏引起半导体电导率的起伏。nM为光电导的内部增益。4、1/f噪声n或称闪烁噪声或低频噪声。n噪声的功率近似与频率成反比n多数器件的1/f噪声在200300Hz以上已衰减到可忽略不计。、信噪比n信噪比是判定噪声大小的参数。n是负载电阻上信号功率与噪声功率之比n若用分贝（dB）表示，为、噪声等效功率(NEP)n定义：信号功率与噪声功率比为1（SNR=1）时，入射到探测器件上的辐射通量(单位为瓦)。n这时，入射到探测器上的辐射功率所产生的输出电压（或电流）等于探测器本身的噪声电压（或电流）n一般一个良好的探测器件的NEP约为10-11W。nNEP越小，噪声越小，器件的性能越好。噪声等效功率是一个可测量的量。设入射辐射的功率为P，测得的输出电压为U0然后除去辐射源，测得探测器的噪声电压为UN则按比例计算，要使U0UN，的辐射功率为、探测率与归一化探测率探测率D定义为噪声等效功率的倒数经过分析，发现NEP与检测元件的面积Ad和放大器带宽f 乘积的平方根成正比归一化探测率D*，即D*与探测器的敏感面积、放大器的带宽无关。返回四、线性度n线性度是描述光电探测器输出信号与输入信号保持线性关系的程度。n在某一范围内探测器的响应度是常数，称这个范围为线性区。n非线性误差：max/(I2 I1)max：实际响应曲线与拟合曲线之间的最大偏差；I2 和 I1：分别为线性区中最小和最大响应值。五、工作温度n工作温度就是指光电探测器最佳工作状态时的温度。n光电探测器在不同温度下，性能有变化。例如，半导体光电器件的长波限和峰值波长会随温度而变化；热电器件的响应度和热噪声会随温度而变化。半导体光电检测器件及应用半导体光电检测器件及应用n光电管与光电倍增管光电管与光电倍增管n光敏电阻光敏电阻n光电池与四象限光电池光电池与四象限光电池n光电二极管及及阵列光电二极管光电二极管及及阵列光电二极管n光电三极管光电三极管n发光器件与光耦合器件发光器件与光耦合器件nPSD与与CCD器件器件光电管与光电倍增管（外光电效应器件）：n光电管是依据光电发射效应而工作的一种光电探测器，主要由光电阴极K、阳极A和管壳组成。分为真空光电管和充气（增益气体）光电管。接收形式有反射型和透射型。n光电阴极：银氧铯光电阴极、锑化物光电阴极、负电子亲和势光电阴极。决定带宽，峰值波长。n光电特性和伏安特性曲线n光电特性：1，2，3是真空光电管光电特性；在一定范围内光电流与光照度为线性关系，4，5，6是充气光电管光电特性，二者相比，真空光电管线性好，动态范围大，稳定性好，但灵敏度低一些。在不同的入射P下，u=50-100V时，所有的光电子都能到达阳极，光电流饱和，电压再增高，光电流不在增大。在饱和区，当u一定时光电流与入射功率成线性变化，光电管通常工作在饱和区，即u要高于50-100V。伏安特性光电管两端电压与流过电流关系）由偏置电路u=Ub-iRLn1.无光照情况：当光照功率=0时，电流i不为零，暗电阻Rd=u/i=1/n 称为光电管的暗电导(漏电导）2.表征光电管进入饱和区快慢的参数G0饱和电导（初始电导）设对应于M点的电压与电流分别为U0(转折电压）,I0。则I0=G0U0,G0称为光电管的饱和电导。因为OM是所有曲线进入饱和区的分界线。3.光电管的工作负载线伏安特性：u=Ub-iRL,Ub为偏置电压,u为光电管两端电压。i=0,u=Ub,u=0,i=Ub/RL,MH线即为光电管的工作负载线.当偏置电压一定时，RL从零到无穷，负载线从垂直向左旋转900n4.光电管线性工作区确定n光电管线性工作区是指光功率的变化与电流和电压变化成线性关系的区域，设0为如射入光功率的直流分量，max min 为变化区间，Q为静态工作点。即负载线必须在M点的上方通过,对M点：I=Id+Ip G0 U0=GU0+S max U0=S max/(G0 G)U0称为转折电压。计算负载电阻和偏置电压。为保证最大线性输出条件，负载线和与对应的伏安线交点不能低于转折点M.(Ub-U0)GL=G0 U0 U0当Ub已知时，可计算出负载电导GL或电阻RL为当RL1/GL为已知时，可计算出偏置电源电压Ub为n计算输出电压幅度当输入光通量由min变化到max时，输出电压幅度为UUmaxU0。GL（Ub-Umax）=GUmaxS min （在H点）GL（Ub-U0）=GU0S max （在M点）电压幅度与输入光通量的增量和光电灵敏度成正比，与结间漏电导和负载电导之和成反比。计算输出电流幅度IImaxIminGLU通常GLG，IS（maxmin）S计算输出电功率由功率关系PIU可得若仅要求输出光电流，可选择UbU0 RL频率特性：由伏安特性，光电管等效为一个高内阻的电流源，其等效电路可表示为：图中为光电管电容，由等效电路得截止频率为：n环境和温度变化使光电管的灵敏度和暗电流发生变化，要求温度保持在光电倍增管n光电倍增管结构原理如图所示，由光电阴极K、阳极A和倍增极及管壳组成。n倍增极由某些金属，半导体及氧化物等负电子亲和势材料组成。其特点是受到高速电子轰击产生二次电子发射获得很高的电流内增益。n供电电压为千伏数量级，采用电阻或齐纳稳压管分压，分级电压为百伏数量级。n两种供电电路：阳极接地，负高压供电；阴极接地，正高压供电。n负高压供电可消除外部信号电路与阳极中间的电位差，输出光电流可直接与电流计或电流电压转换的运算放大器相连。正高压供电使用耐高压的耦合电容输出信号，用于交流或信号脉冲测量系统。信号输出方式：光电倍增管用以检测微弱的光信号，其输出电流很小，常采用放大器输出。光电特性和伏安特性n光电倍增管的光电特性与伏安特性与真空管十分相似，其分析方法与光电管基本一样。n频率特性：截止频率为：噪声特性：由于温度变化，光电倍增管的暗电流产生较大的散粒噪声，因此在使用中一定要制冷。一、光敏电阻n光敏电阻是光电导型器件。n光敏电阻材料：主要是硅、锗和化合物半导体，例如：硫化镉（CdS），锑化铟（InSb）等。n特点：光谱响应范围宽（特别是对于红光和红外辐射）；偏置电压低，工作电流大；动态范围宽，既可测强光，也可测弱光；光电导增益大，灵敏度高；无极性，使用方便；在强光照射下，光电线性度较差光电驰豫时间较长，频率特性较差。光敏光敏电阻电阻(LDR)(LDR)和它的和它的符号符号：符号符号1.光敏电阻的工作原理光敏电阻的工作原理n光敏电阻结构光敏电阻结构：在一块均匀光电导体两端加上：在一块均匀光电导体两端加上电极，贴在硬质玻璃、云母、高频瓷或其他绝电极，贴在硬质玻璃、云母、高频瓷或其他绝缘材料基板上，两端接有电极引线，封装在带缘材料基板上，两端接有电极引线，封装在带有窗口的金属或塑料外壳内。（有窗口的金属或塑料外壳内。（如图如图）n工作机理工作机理：当入射光子使半导体中的电子由价：当入射光子使半导体中的电子由价带跃迁到导带时，导带中的电子和价带中的空带跃迁到导带时，导带中的电子和价带中的空穴均参与导电，其阻值急剧减小，电导增加。穴均参与导电，其阻值急剧减小，电导增加。入射光入射光返回本征型和杂质型光敏电阻n本征型光敏电阻：当入射光子的能量等于或大于半导体材料的禁带宽度Eg时，激发一个电子空穴对，在外电场的作用下，形成光电流。n杂质型光敏电阻：对于型半导体，当入射光子的能量等于或大于杂质电离能时，将施主能级上的电子激发到导带而成为导电电子，在外电场的作用下，形成光电流。n本征型用于可见光长波段,杂质型用于红外波段。价带导带电子空穴Eg价带导带电子空穴施主光电导与光电流n光敏电阻两端加电压（直流或交流）无光照时，阻值（暗电阻）很大，电流（暗电流）很小；光照时，光生载流子迅速增加，阻值（亮电阻）急剧减少在外场作用下，光生载流子沿一定方向运动，形成光电流（亮电流）。n光电流：亮电流和暗电流之差；I光 =IL -Idn光电导：亮电导和暗电导之差；G =GL -Gdn光敏电阻的暗阻越大越好，而亮阻越小越好，也就是说暗电流要小，亮电流要大，这样光敏电阻的灵敏度就高。n光电流与光照强度电阻结构的关系。设载流子的迁移率分别为（单位电场作用下的运动速率）。n无光照，暗电导率n光照下电导率 n附加光电导率附加光电导率,简称光电导简称光电导n光电导相对值光电导相对值n要制成附加光电导相对值高的光敏电阻应使要制成附加光电导相对值高的光敏电阻应使p0和和n0小，因此光敏电阻一般采用禁带宽度大的小，因此光敏电阻一般采用禁带宽度大的材料或在低温下使用。材料或在低温下使用。n无光照时，光敏电阻的暗电流为n光照时，光敏电阻的光电流为光敏电阻的工作特性光敏电阻的工作特性n光电特性光电特性n伏安特性伏安特性n时间响应和频率特性时间响应和频率特性n温度特性温度特性n光电特性：光电流与入射光照度的关系：(1)弱光时，弱光时，=1，光电流与照度成线性关系，光电流与照度成线性关系(CdS)(2)强光时，强光时，=0.5，光电流与照度成抛物线，光电流与照度成抛物线光照增强的同时，载流子浓度不断的增加，同时光敏光照增强的同时，载流子浓度不断的增加，同时光敏电阻的温度也在升高，从而导致载流子运动加剧，因电阻的温度也在升高，从而导致载流子运动加剧，因此复合几率也增大，光电流呈饱和趋势。（冷却可以此复合几率也增大，光电流呈饱和趋势。（冷却可以改善）改善）光敏电阻的光电特性在弱光照下，光电流与E具有良好的线性关系在强光照下则为非线性关系其他光敏电阻也有类似的性质。n光电导灵敏度:光电导G与照度E之比.不同波长的光，不同波长的光，光敏电阻的灵敏光敏电阻的灵敏度是不同的。度是不同的。在选用光电器件在选用光电器件时必须充分考虑时必须充分考虑到这种特性。到这种特性。n光电导增益光电导增益反比于电极间距的平方。n量子效率：光电流与入射光子流之比。伏安特性伏安特性n在一定的光照下，光敏电阻的光电流与在一定的光照下，光敏电阻的光电流与所加的电压关系所加的电压关系n光敏电阻是一个纯电阻，因此符合欧姆光敏电阻是一个纯电阻，因此符合欧姆定律，其伏安特性曲线为直线。定律，其伏安特性曲线为直线。n不同光照度对应不同直线不同光照度对应不同直线受耗散功率的限制，在使用时，光敏电阻两端的电压不能 超过最高工作电压，图中虚线为允许功耗曲线由此可确定光敏电阻正常工作电压。光敏电阻的信号输入电路nR=1/(Gp+Gd)，IL=Ub/(R+RL),当输入光通量变化时，IL=-UbR/(R+RL)2,由Gp=SE=S,R=1/(Gp+Gd)得：R=-R2SIL=-UbR/(R+RL)2=Ub R2S/(R+RL)2UL=IL RL=Ub R2SRL/(R+RL)2光敏电阻的偏置电压：每个光敏电阻都有额定的最大耗散功率Pmax,在一定的光照下，要求：IL2R Pmax，即 Ub（Pmax/R)0.5(R+RL)n光敏电阻时间常数比较大，其上限截止频光敏电阻时间常数比较大，其上限截止频率低。只有率低。只有PbSPbS光敏电阻的频率特性稍好光敏电阻的频率特性稍好些，可工作到几千赫。些，可工作到几千赫。频率特性光敏电阻是多数载流子导电，温度特性复杂。随着温度光敏电阻是多数载流子导电，温度特性复杂。随着温度的升高，光敏电阻的暗电阻和灵敏度都要下降，温度的的升高，光敏电阻的暗电阻和灵敏度都要下降，温度的变化也会影响光谱特性曲线。变化也会影响光谱特性曲线。尤其是红外探测器要采取制冷措施尤其是红外探测器要采取制冷措施温度特性光敏电阻参数n使用材料：硫化镉（CdS），硫化铅（PbS），锑化铟（InSb），碲镉汞（HgCdTe），碲锡铅（PbSnTe）.n光敏面：1-3 mmn工作温度：-40 80 oCn温度系数：1n极限电压：10 300Vn耗散功率：100 Wn时间常数：5 50 msn光谱峰值波长：因材料而不同，在可见/红外远红外n暗电阻：108 欧姆n亮电阻：104 欧姆光敏电阻的应用n基本功能：根据自然光的情况决定是否开灯。n基本结构：整流滤波电路；光敏电阻及继电器控制；触电开关执行电路n基本原理：光暗时，光敏电阻阻值很高，继电器关，灯亮；光亮时，光敏电阻阻值降低，继电器工作，灯关。照明灯自动控制电路K220V灯常闭CdS光电池(光伏工作模式）n光电池是根据光生伏特效应制成的将光能转换光电池是根据光生伏特效应制成的将光能转换成电能的一种器件。成电能的一种器件。nPN结的光生伏特效应：当用适当波长的光照射结的光生伏特效应：当用适当波长的光照射PN结时，由于内建场的作用（不加外电场），结时，由于内建场的作用（不加外电场），光生电子拉向光生电子拉向n区，光生空穴拉向区，光生空穴拉向p区区.n半导体内部产生电动势（光生电压）；如将半导体内部产生电动势（光生电压）；如将PN结短路，则会出现电流（光生电流）方向为结短路，则会出现电流（光生电流）方向为N-P。光电池的结构特点n光电池核心部分是一个光电池核心部分是一个PN结，一般作成面积大的薄片状，结，一般作成面积大的薄片状，来接收更多的入射光。来接收更多的入射光。n硅光电池硅光电池n在在N型硅片上扩散型硅片上扩散P型杂质（如硼），形成一个型杂质（如硼），形成一个P+N结，结，受光面是受光面是P型层（代号型层（代号2CR)n或在或在P型硅片上扩散型硅片上扩散N型杂质（如磷），形成一个型杂质（如磷），形成一个N+P结，结，受光面是受光面是N型层。型层。(代号代号2DR)n高参杂的目的使空间势垒加宽，增加光生载流子数目，高参杂的目的使空间势垒加宽，增加光生载流子数目，减小反向饱和电流。减小反向饱和电流。n受光面有二氧化硅抗反射膜，起到增透作用和受光面有二氧化硅抗反射膜，起到增透作用和保护作用保护作用n由于光子入射深度有限，为使光照到由于光子入射深度有限，为使光照到PN结上，结上，实际使用的光电池制成薄实际使用的光电池制成薄P型或薄型或薄N型。型。1 1、光谱响应度、光谱响应度n硅光电池硅光电池 响应波长微米，响应波长微米，峰值波长微米。峰值波长微米。n硒光电池硒光电池 响应波长微米，响应波长微米，峰值波长峰值波长0.540.54微米。微米。2、伏安特性、伏安特性无光照时，光电池伏安特性曲线与普通半无光照时，光电池伏安特性曲线与普通半导体二极管相同。导体二极管相同。有光照时，沿电流轴方向平移，平有光照时，沿电流轴方向平移，平移幅度与光照度成正比。移幅度与光照度成正比。曲线与电压轴交点称为开路电压曲线与电压轴交点称为开路电压VOC，与电流轴交点称为短路电流，与电流轴交点称为短路电流ISC。光电池伏安特性曲线光电池伏安特性曲线3.光电池等效电路光电池等效电路等效为一个电流源与一个普通二极