2023年《半导体器件物理与工艺》课后习题答案下载3篇.docx

2023年半导体器件物理与工艺课后习题答案下载3篇半导体器件物理与工艺课后习题答案下载1半导体器件物理与工艺(第2版)分为三个部分：第1部分(第2、3章)描述半导体的基本特性和它的传导过程，尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的丰导体材料上。下面是我为大家整理的半导体器件物理与工艺课后习题答案下载3篇,供大家参考。半导体器件物理与工艺课后习题答案下载1半导体器件物理与工艺(第2版)分为三个部分：第1部分(第2、3章)描述半导体的基本特性和它的传导过程，尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的丰导体材料上。第l部分的.概念将在半导体器件物理与工艺(第2版)接下来的部分被用到，了解这些概念需要现代物理和微积分的基本知识。第2部分(第4-9章)讨论所有土要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始，接下来讨论双极型和场效应器件。最后讨论微波、量子效应、热电子和光电子器件。第3部分(第10-14章)则介绍从晶体生长到掺杂等工艺技术。我们介绍了制作器件时的各个主要步骤，包含理论和实际情况，并特别强调其在集成电路土的压用。 半导体器件物理与工艺课后习题答案下载3篇扩展阅读 半导体器件物理与工艺课后习题答案下载3篇（扩展1）半导体物理学(刘恩科 第七版)课后答案完整版3篇 半导体物理学(刘恩科 第七版)课后答案完整版1半导体物理学(刘恩科)第七版第一章到第五章完整课后题答案半导体物理学(刘恩科 第七版)课后答案完整版2半导体物理学(第7版)较全面地论述了半导体物理的基础知识。全书共13章，主要内容为：半导体的晶格结构和电子状态;杂质和缺陷能级;载流子的统计分布;载流子的散射及电导问题;非*衡载流子的产生、复合及其运动规律;pn结;金属和半导体的接触;半导体表面及MIS结构;半导体异质结构;半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶态半导体。半导体物理学(第7版)可作为高等学校电子科学与技术类微电子技术、半导体器件，以及集成电路设计等专业学生的教材，也可供从事相关专业的科技人员参考。半导体器件物理与工艺课后习题答案下载3篇（扩展2）半导体物理学试题及答案3篇半导体物理学试题及答案1一、 选择题1、 如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以( A )导电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以( E )导电为主;如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以( C )导电为主。A、本征 B、受主 C、空穴 D、施主 E、电子2、 受主杂质电离后向半导体提供( B )，施主杂质电离后向半导体提供( C )，本征激发向半导体提供( A )。A、 电子和空穴 B、 空穴 C、 电子3、 电子是带( B )电的( E );空穴是带( A )电的( D )粒子。A、正 B、负 C、零 D、准粒子 E、粒子4、 当Au掺入Si中时，它是( B )能级，在半导体中起的是( D )的作用;当B掺入Si中时，它是( C )能级，在半导体中起的是( A )的作用。A、受主 B、深 C、浅 D、复合中心 E、陷阱5、 MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型( A )。A、 相同 B、 不同 C、 无关6、 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是( B )。A、变大，变小 ;B、变小，变大;C、变小，变小; D、变大，变大。7、 砷有效的陷阱中心位置(B )A、 靠近禁带中央 B、 靠近费米能级8、 在热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( D )，当温度大于热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( A )。A、 大于1/2 B、 小于1/2 C、 等于1/2 D、 等于1 E、 等于09、 如图所示的P型半导体MIS结构的C-V特性图中，AB段代表( A)，CD段代表( B )。A、 多子积累 B、 多子耗尽C、 少子反型 D、 *带状态10、 金属和半导体接触分为：( B )。A、 整流的*基接触和整流的欧姆接触B、 整流的*基接触和非整流的欧姆接触C、 非整流的*基接触和整流的欧姆接触D、 非整流的*基接触和非整流的欧姆接触11、 一块半导体材料，光照在材料中会产生非*衡载流子，若光照忽然停止t?后，其中非*衡载流子将衰减为原来的( A )。A、 1/e B、 1/2 C、 0 D、 2/e12、 载流子在电场作用下的.运动为( A )，由于浓度差引起的运动为( B )。A、 漂移运动 B、 扩散运动 C、 热运动13、锗的晶格结构和能带结构分别是( C )。A、 金刚石型和直接禁带型 B、 闪锌矿型和直接禁带型C、 金刚石型和间接禁带型 D、 闪锌矿型和间接禁带型14、非简并半导体是指( A )的半导体。A、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度B、用费米分布计算载流子浓度15、 当半导体材料处于热*衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为( B)，并且该乘积和(D)有关，而与( C )无关。A、变化量; B、常数; C、杂质浓度和杂质类型; D、禁带宽度和温度半导体器件物理与工艺课后习题答案下载3篇（扩展3）学生半导体器件学习考研指导3篇学生半导体器件学习考研指导1考试科目名称：半导体物理 考试科目代码：829一、考试要求：要求考生系统地掌握半导体物理的基本概念和基本原理，并能利用基本原理分析半导体的物理性能。要求考生对半导体的晶体结构和能带论、载流子统计分布、载流子输运过程、p-n结理论、金属-半导体接触理论、半导体光电效应等基本原理有很好的掌握，并能熟练运用分析半导体的光电特性。二、考试内容：1)半导体晶体结构和能带论a:半导体晶格结构及电子状态和能带b:半导体中电子的运动c:本征半导体的导电机构d:硅和锗及常用化合物半导体的能带结构2)杂质半导体理论a:硅和锗晶体中的杂质能级b:常用化合物半导体中的杂质能级c:缺陷、位错能级3)载流子的统计分布a:状态密度与载流子的统计分布b:本征与杂质半导体的载流子浓度c:一般情况下载流子统计分布d:简并半导体4)半导体的导电性a:载流子的漂移运动与散射机构b:迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系c:多能谷散射、耿氏效应5)非*衡载流子a:非*衡载流子的注入、复合与寿命b:准费米能级c:复合理论、陷阱效应d:载流子的扩散、电流密度方程e:连续性方程6)p-n结理论a:p-n结及其能带图b:p-n结电流电压特性c:p-n结电容、p-n结隧道效应7)金属-半导体接触理论a:金-半接触、能带及整流理论b:欧姆接触8)半导体光电效应a:半导体的光学性质(光吸收和光发射)b:半导体的光电导效应c:半导体的光生伏特效应d:半导体发光二极管、光电二极管三、试卷结构：a)考试时间：180分钟，满分：150分b)题型结构a:概念及简答题(60分)b:论述题(90分)c)内容结构a:半导体晶体结构和能带论及杂质半导体理论(30分)b:载流子的统计分布(20分)c:半导体的导电性(20分)d:非*衡载流子(20分)e:p-n结理论和金属-半导体接触理论(30分)f:半导体光电效应(30分)学生半导体器件学习考研指导2“半导体物理与器件物理”(801)一、总体要求“半导体物理与器件物理”(801)由半导体物理、半导体器件物理二部分组成，半导体物理占60%(90分)、器件物理占40%(60分)。“半导体物理”要求学生熟练掌握半导体的相关基础理论，了解半导体性质以及受外界因素的影响及其变化规律。重点掌握半导体中的电子状态和带、半导体中的杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、半导体中的非*衡载流子等相关知识、基本概念及相关理论，掌握半导体中载流子浓度计算、电阻(导)率计算以及运用连续性方程解决载流子浓度随时间或位置的变化及其分布规律等。“器件物理”要求学生掌握MOSFET器件物理的基本理论和基本的分析方法，使学生具备基本的器件分析、求解、应用能力。要求掌握MOS基本结构和电容电压特性;MESFET器件的基本工作原理;MOSFET器件的频率特性;MOSFET器件中的非理想效应;MOSFET器件按比例缩小理论;阈值电压的影响因素;MOSFET的击穿特性;掌握器件特性的基本分析方法。“半导体物理与器件物理”(801)研究生入学考试是所学知识的总结性考试，考试水*应达到或超过本科专业相应的课程要求水*。二、各部分复习要点“半导体物理”部分各章复习要点(一)半导体中的电子状态1.复习内容半导体晶体结构与化学键性质，半导体中电子状态与能带，电子的运动与有效质量，空穴，回旋共振，元素半导体和典型化合物半导体的能带结构。2.具体要求半导体中的电子状态和能带半导体中电子的运动和有效质量本征半导体的导电机构空穴的概念回旋共振及其实验结果Si、Ge和典型化合物半导体的能带结构(二)半导体中杂志和缺陷能级1.复习内容元素半导体中的杂质能级，化合物半导体中的杂质能级、位错和缺陷能级。2.具体要求Si和Ge晶体中的杂质能级杂质的补偿作用深能级杂质-族化合物半导体中的杂质能级等电子杂质与等电子陷阱半导体中的缺陷与位错能级(三)半导体中载流子的统计分布1.复习内容状态密度，Fermi能级，载流子统计分布，本征和杂质半导体的载流子浓度，补偿半导体的载流子浓度，简并半导体2.具体要求状态密度的定义与计算费米能级和载流子的统计分布本征半导体的载流子浓度杂质半导体的载流子浓度杂质补偿半导体的载流子浓度简并半导体及其载流子浓度、简并化条件、简并半导体的特点与杂质带导电载流子浓度的分析计算方法及其影响载流子浓度的因素(四)半导体的导电性1.复习内容载流子的漂移运动，迁移率，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，电阻率与杂质浓度和温度的关系，强场效应与热载流子2.具体要求载流子漂移运动迁移率载流子散射半导体中的各种散射机制迁移率与杂质浓度和温度的关系电阻率及其与杂质浓度和温度的关系强电场下的效应高场畴区与Gunn效应;(五)非*衡载流子1.复习内容非*衡载流子的产生与复合，非*衡载流子寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，非*衡载流子载流子的扩散与漂移，爱因斯坦关系，连续性方程。2.具体要求非*衡载流子的注入与复合准费米能级非*衡载流子的寿命复合理论陷阱效应载流子的扩散运动载流子的漂移运动Einstein关系连续性方程的建立及其应用“器件物理”部分各章复习要点(一)金属-氧化物-半导体场效应结构物理基础1.复习内容MOS结构的物理性质，能带结构与空间电荷区，*带电压与阈值电压，电容电压特性2.具体要求MOS结构的物理性质n型和p型衬底MOS电容器的能带结构耗尽层厚度的计算功函数的基本概念以及金属-半导体功函数差的计算方法*带电压的定义与求解;阈值电压的"影响因素;MOS电容的定义，理想的C-V特性;影响C-V特性的主要因素(二)MOSFET基本工作原理1.复习内容MOSFET基本结构，MOSFET电流电压关系，衬底偏置效应。MOSFET的频率特性。闩锁现象2.具体要求MOSFET电流电压关系的定性分析，漏极电流与栅压之间的关系;衬偏效应的概念及影响小信号等效电路的概念与分析方法MOSFET器件频率特性的影响因素CMOS基本技术及闩锁现象(三)MOSFET器件的深入概念1.复习内容MOSFET中的非理想效应;MOSFET的按比例缩小理论;小尺寸器件的阈值电压;MOSFET器件的击穿特性2.具体要求理解实际器件与理想特性之间的偏差及其原因器件按比例缩小的基本方法动态电路方程及其求解短沟道效应与窄沟道效应对MOSFET器件阈值电压的影响MOSFET器件的各种击穿模式，击穿电压的影响因素三、试卷结构与考试方式1、题型结构：名词解释、简答题、问答题、计算题、判断题、绘图题等。试卷满分为150分。2、考试方式：闭卷，考试必须按照规定携带不具备编程和存储功能的函数计算器。3、考试时间：180分钟。四、参考书目1、半导体物理学(第七版)，刘恩科、朱秉升、罗晋生等著，电子工业出版社 2023年3月。2、半导体物理与器件(第4版)赵毅强等译 电子工业出版社 2023年。半导体器件物理与工艺课后习题答案下载3篇（扩展4）固体废物处理与处置宁*著课后习题答案下载3篇固体废物处理与处置宁*著课后习题答案下载1点击此处下载固体废物处理与处置（宁*著）课后答案固体废物处理与处置宁*著课后习题答案下载2开本： 16开ISBN ： 9787504583758所属分类： 图书 >> 工业技术 >> 环境科学 >> 三废处理与综合利用定价：￥29.00半导体器件物理与工艺课后习题答案下载3篇（扩展5）声学基础许肖梅著课后习题答案下载3篇声学基础许肖梅著课后习题答案下载1点击此处下载声学基础（许肖梅著）课后答案声学基础许肖梅著课后习题答案下载2声学基础可作为高等院校的教材，也可供专业研究和工程技术人员参考。声学是一门既古老又迅速发展着的学科，近年来已渗透到几乎所有重要的.自然科学和工程技术领域，并已融入于当代科学技术的前沿之中，声学基础系统地介绍了声学的基础理论，其中包括声的辐射、传播、接收与散射，并适当地介绍了近期活跃的非线性声学基础理论。半导体器件物理与工艺课后习题答案下载3篇（扩展6）大学物理下册罗圆圆著课后答案下载3篇大学物理下册罗圆圆著课后答案下载1点击此处下载大学物理下册（罗圆圆著）课后答案大学物理下册罗圆圆著课后答案下载2大学物理系统地阐述了物理学的基本规律和基本概念。主要内容包括：力和运动、动量、功和能、刚体的转动、机械振动和波动、气体分子动理论、热力学基础、真空中的静电场、静电场中的导体和电介质、恒定电流的磁场、电磁感应、波动光学、狭义相对论和量子物理基础，共13章。大学物理的内容紧紧围绕大学物理课程的基本要求，难度适中，物理概念清晰，论述深入浅出，例题丰富。书中概念的引入明确而完整，并有一定的技术应用和理论扩展，力求简明而不简单，深入而不深奥。本书可作为一般理工类专业的大学物理教材，也可作为各类工程技术院校有关专业的自主学习教材，还可供中学物理教师参考。半导体器件物理与工艺课后习题答案下载3篇（扩展7）大学物理汪晓元著课后答案下载3篇大学物理汪晓元著课后答案下载1点击此处下载大学物理（汪晓元著）课后答案大学物理汪晓元著课后答案下载2叶伟国等编著的大学物理系统地阐述了物理学的基本规律和基本概念。主要内容包括：力和运动、动量、功和能、刚体的转动、机械振动和波动、气体分子动理论、热力学基础、真空中的静电场、静电场中的导体和电介质、恒定电流的磁场、电磁感应、波动光学、狭义相对论和量子物理基础，共13章。大学物理的内容紧紧围绕大学物理课程的基本要求，难度适中，物理概念清晰，论述深入浅出，例题丰富。书中概念的"引入明确而完整，并有一定的技术应用和理论扩展，力求简明而不简单，深入而不深奥。本书可作为一般理工类专业的大学物理教材，也可作为各类工程技术院校有关专业的自主学习教材，还可供中学物理教师参考。半导体器件物理与工艺课后习题答案下载3篇（扩展8）纤维化学与物理蔡再生著课后答案下载 (菁选2篇)纤维化学与物理蔡再生著课后答案下载1点击此处下载纤维化学与物理（蔡再生著）课后答案纤维化学与物理蔡再生著课后答案下载2出版社: *纺织出版社; 第1版 (2023年8月1日)丛书名: 纺织高等教育教材*装: 307页语种： 简体中文开本: 16ISBN: 7506430029条形码: 9787506430029商品尺寸: 25.6 x 18.2 x 1.6 cm商品重量: 558 g品牌: *纺织出版社ASIN: B0011ASQYU用户评分: *均4.0 星 浏览全部评论 (1 条商品评论)亚马逊热销商品排名: 图书商品里排第3,014,655名 (查看图书商品销售排行榜)第1332位 - 图书 > 科技 > 轻工业、手工业 > 纺织工业、染整工业第23005位 - 图书 > 教材教辅与参考书 > 大中专教材教辅 > 本科 > 数理化第30774位 - 图书 > 教材教辅与参考书 > 大中专教材教辅 > 本科 > 工科半导体器件物理与工艺课后习题答案下载3篇（扩展9）化学工程与工艺专业英语*著课后答案下载化学工程与工艺专业英语*著课后答案下载1点击此处下载化学工程与工艺专业英语（*著）课后答案半导体器件物理与工艺课后习题答案下载3篇（扩展10）电气控制与PLC课后习题及答案免费下载电气控制与PLC课后习题及答案免费下载1/