南昌大学毕业论文书写样式知识讲解.doc

Good is good, but better carries it.精益求精，善益求善。南昌大学毕业论文书写样式-南昌大学本科生毕业设计（论文）书写式样二、目录：“目录”两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体，页码数字对齐。三、页眉和页码：页眉和页码从中文摘要开始，页眉为相应内容的标题，页码从中文摘要、Abstract、目录用罗马数字(I，II，III)编排，从正文第一章开始按照阿拉伯数字（1，2，3）编排。四、摘要1 中文摘要：标题小二号宋体加粗，“专业、学号、姓名、指导教师”五号宋体，“摘要”两字四号宋体，摘要内容小四号宋体，“关键词”三字小四号宋体加粗，2 英文摘要：标题小二号TimesNewRoman体加粗，“Abstract”四号TimesNewRoman体；“Abstract”内容小四号TimesNewRoman体，“Keyword”小四号TimesNewRoman体加粗。五、正文：标题四号宋体，正文内容小四号宋体。六、图表：图表内容五号宋体。七、参考文献：“参考文献”四字四号宋体，参考文献内容小四号宋体，其中英文用小四号TimesNewRoman体。八、致谢：“致谢”两字四号宋体，致谢内容小四号宋体。具体书写式样如下：密级：校名标识（cm）1.88×6.59，居中校名外文（大写）TimesNewRoman，四号，居中NANCHANGUNIVERSITYTimesNewRoman，四号，居中宋体，30磅，居中学士学位论文THESISOFBACHELOR中文：宋体；数字：TimesNewRoman四号，居中（2020年）宋体，四号，居右页面设置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm，页眉1.5cm,页脚1.75cm,1.35倍行距，应用于整篇文档校徽标识（cm）3.33×3.33，居中宋体，三号，居中题目宋体，四号，居中注意线条长度一致学院：系专业班级：学生姓名：学号：指导教师：职称：起讫日期：-此页可直接下载南昌大学学士学位论文原创性申明本人郑重申明：所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果。对本文的研究作出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式表明。本人完全意识到本申明的法律后果由本人承担。作者签名：日期：学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权南昌大学可以将本论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。保密，在年解密后适用本授权书。本学位论文属于不保密。（请在以上相应方框内打“”）作者签名：日期：导师签名：日期：页眉：中文宋体，五号，居中宋体，小二号，居中III-族氮化物及其高亮度蓝光宋体，五号，对齐居中LED外延片的MOCVD生长和性质研究专业：学号：学生姓名：指导教师：标题：宋体，四号，两端对齐，1.35倍行距内容：中文宋体，外文字符TimesNewRoman，小四，两端对齐，1.35倍行距关键词：“关键词”三字加粗，关键词用“；”分隔摘要宽禁带III族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。自1994年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了GaN基蓝光LED外延材料生长技术以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产GaN基LED。尽管如此，这项高技术仍处于高度保密状态，材料生长的关键思想及核心技术仍未公开，还无法从参考文献及专利公报中获取最重要的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究GaN基材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科学依据。本文在自制常压MOCVD和英国进口MOCVD系统上对III族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光LED外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。并获得了如下有创新和有意义的研究结果：1首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想，并在GaN外延生长上得以实现。采用这种缓冲层，显著改善了GaN外延膜的结晶性能，使GaN基蓝光LED器件整体性能大幅度提高，大大降低了GaN基蓝光LED的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。本文得到了国家863计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工程研究中心项目的资助。关键词：氮化物；MOCVD；LED；卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射谱页眉：外文TimesNewRoman，五号，居中TimesNewRoman，小二号，居中StudyonMOCVDgrowthandpropertiesofIII-nitridesandhighbrightnessblueLEDwafersAbstract标题：TimesNewRoman，四号，两端对齐，1.35倍行距内容：TimesNewRoman，小四，两端对齐，1.35倍行距关键词：“Keyword”三字加粗，关键词用“；”分隔GaNbased-nitrideshavepotentialapplicationsonhighbrightnessLEDs,shortwavelengthlasers,ultravioletdetectors,hightemperatureandhighpowerelectronicdevices.Studyonphysicsissuesandtechnologiesofnitridesopenanewareaof3thgenerationsemiconductor.MorethantencompaniesinAmericaandJapanreportedtohavedevelopedthenitridesgrowthtechnologysinceNichiacompanyinJapanfirstrealizedthecommercializationofGaNbasedblueLEDin1994.Inthisthesis,GaNanditsternaryweregrownbyahome-madeatmospherepressuremetalorganicchemicalvapordeposition(MOCVD)andThomasSwan6×2”MOCVDsystems.HighbrightblueLEDwaferswereobtainedbyoptimizingthenitridesgrowthtechnologyandwaferstructure.Someencouragingresultsarefollowingas:1.Wepresenttheideaofusingabufferlayerofdeviationfromstoichiometryformaterialsgrowthonlargelatticemismatchsubstrates.Thisideawasrealizedinnitridesgrowthinthisthesis.TheepilayercrystallinequalitywasimprovedandthedislocationdensitywasdecreasedbyusingGaNlowandhightemperaturebufferlayersofdeviationfromstoichiometry.TheRBS/channelingspectraexhibitedthattheminimumyieldminofGaNlayerswasjustonly1.5%.TheleakelectriccurrentofGaNbasedLEDwasobviouslydecreasedandlowerthan1Aat5voltreversevoltagebyusingthisnewbuffertechnology.Thisworkwassupportedby863programinChina.Keyword:Nitrides；MOCVD；LED；Photoluminescence；RBS/channeling；Opticalabsorption宋体，小三号，居中目录摘要Abstract第一章GaN基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”）11.1III族氮化物材料及其器件的进展与应用11.2III族氮化物的基本结构和性质41.3掺杂和杂质特性121.4氮化物材料的制备131.5氮化物器件191.6GaN基材料与其它材料的比较221.7本论文工作的内容与安排24第二章氮化物MOCVD生长系统和生长工艺312.1MOCVD材料生长机理312.2本论文氮化物生长所用的MOCVD设备32目录内容：中文宋体，英文和数字TimesNewRoman，小四页码编号：摘要,Abstract使用页码“I,II,”；正文开始使用页码“1,2,3,”；小节标题左侧缩进1字符；页码数字居中对齐结论136参考文献（References）138致谢150节标题：中文宋体，英文TimesNewRoman，四号居左章标题：中文宋体，英文TimesNewRoman，四号居中第一章GaN基半导体材料及器件进展1.1III族氮化物材料及其器件的进展与应用正文文字：中文宋体，英文TimesNewRoman，小四，两端对齐，段落首行左缩进2个汉字符，行距1.35倍（段落中有数学公式时，可根据表达需要设置该段的行距），段前0行，段后0行。在科学技术的发展进程中，材料永远扮演着重要角色。在与现代科技成就息息相关的千万种材料中，半导体材料的作用尤其如此。以Si为代表的第一代半导体诞生于20世纪40年代末，它们促成了晶体管、集成电路和计算机的发明。以GaAs为代表的第二代半导体诞生于20世纪60年代，它们成为制作光电子器件的基础。III族氮化物半导体材料及器件研究历时30余年，前20年进展缓慢，后10年发展迅猛。由于III族氮化物特有的带隙范围，优良的光、电性质，优异的材料机械和化学性能，使得它在短波长光电子器件方面有着广泛的应用前景；并且非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。III族氮化物半导体材料已引起了国内外众多研究者的兴趣。表标题置于表的上方，中文宋体，英文TimesNewRoman，五号加粗居中，表序与表名文字之间空一个汉字符宽度；内容：中文宋体，英文TimesNewRoman，五号，行距1.35。12III族氮化物的基本结构和性质表1-1用不同技术得到的带隙温度系数、Eg0、ac和T0的值样品类型实验方法带隙温度系数dEg/dT(eV/K)T=300KEg0(eV)ac(eV/K)T0(K)参考文献GaN/Al2O3光致发光-5.32´10-43.5035.08´10-4-99661GaN/Al2O3光致发光¾3.4897.32´10-470059GaN/Al2O3光致发光-4.0´10-4¾-7.2´10-460062GaN/Al2O3光吸收-4.5´10-43.471-9.3´10-477263图标题置于图的下方，中文宋体，英文TimesNewRoman，五号加粗居中，图序与图名文字之间空一个汉字符宽度；内容：中文宋体，英文TimesNewRoman，五号，行距1.35。加热电阻气流测温元件测温元件图1-1热风速计原理第二章氮化物MOCVD生长系统和生长工艺2.1MOCVD材料生长机理转换控制频率信号源频率控制器地址发生器波形存储器转换器滤波器频率设置波形数据设置图2-1DDS方式AWG的工作流程标题：中文宋体，四号，居中参考文献1WellMultiple-modulatorfraction-ndividerPUSPatent，50381171986-02-02参考文献内容：中文宋体，英文TimesNewRoman，四号，1.35倍行距，参考文献应在文中相应地方按出现顺序标引。2BrianMillerAmultiplemodulatorfractionldividerJIEEETransactiononinstrumentationandMeasurement，1991，40(2)：578-5833万心平，张厥盛集成锁相环路原理、特性、应用M北京：人民邮电出版社，1990302-3074MilerFrequencysynthesizersPUSPatent，46098811991-08-065CandyJCAuseofdouble-integretioninsigma-deltamodulationJIEEETransCommun，1985，33(COM)：249-2586丁孝永调制式小数分频锁相研究D北京：航天部第二研究院，1997常见参考文献格式：科技书籍和专著：编著者译者书名M（文集用C）版本出版地：出版者，出版年页码科技论文：作者篇名J刊名，出版年，卷号（期号）：页码作者篇名单位博（硕）论文，年参考文献必须标明文献类型标志：普通图书M；会议录C；汇编G；报纸N；期刊J；学位论文D；报告R；标准S；专利P；数据库DB；计算机程序CP；电子公告EB。电子文献载体类型标志：磁带MT；磁盘DK；光盘CD；联机网络OL。标题：宋体，四号，居中。内容：宋体，小四，1.35倍行距，两边对齐。致谢