《微电子制造概论》课程教学大纲（模板）.docx
微电子制造概论课程教学大纲一、课程基本情况课程编号：083W33A学分：2周学时：2总学时：34 开课学期：3.1开课学院：理学院英文名称：The concept of the microelectronicMamifcicturing适用专业：微电子科学与工程课程类别：专业方向模块课通识公共课/通识选修课（一般/核心）/大类平台课/专业教育平台课/专业方向模块课/任意选修 课/其他课程修读条件：半导体器件物理1,2、模拟CMOS集成电路设计等网络课程地址：课程负责人：所属基层学术组织：微电子科学与工程系二、课程简介课程内容概要、修读意义本课程围绕集成电路制造技术的现有技术，介绍集成电路工艺制造的成套工艺流程和各 工艺单步的技术，讲述了流程调度实施的技术与算法；对于各工艺单步，首先根据各单项工 艺技术的作用进行了粗略分类，在此基础上，使学生了解和掌握从工艺原理、工艺设备技术 特点、实践操作等知识。本课程与其它课程的关系微电子制造基础是一门主要讲述集成电路制造工艺为什么是这样的课程，重点说明如何 正确和科学地理解集成电路的制造工艺和流程。三、教学目标总目标：要求学生了解半导体物理、半导体器件物理、大规模集成电路方面的基础知识, 了解微电子技术的现状、发展规律和发展趋势。知识目标：要求学生了解半导体物理、半导体器件物理、大规模集成电路方面的基础知 识。能力目标：集成电?各的制造工艺、设川寺点、设计规则和设计方法。素质目标：了解集成电路的制造工艺原理，又能掌握其设H特点、设计规则和设计方法。四、教学内容及学时分配（应体现教学单元的教学目标、基本内容、学时分配、教学方法、课外 学习任务及要求等内容）第1章 集成电路制造技术概论（4学时）教学目标：让学生了解集成电路制造技术的发展历史与趋势，大致了解微结构的概念和微结 构制造流程的一些实例。基本内容：1.集成电路的发展历史与趋势。2.微结构的概念。3.微结构制造流程举例。第2章 新材料生成类工艺（6学时）教学目标：新材料生成类工艺,包括化学气相和物理淀积，硅外延和多晶硅的化学气相淀积。基本内容：1.化学气相淀积。2.物理淀积。3.硅外延和多晶硅的化学气相淀积。4.化学气相淀积Si02 薄膜。第3章 改变材料层属性的工艺（I） （5学时）教学目标：使学生了解改变材料属性的工艺方法，包括热氧化、杂质扩散、离子注入等微电 子制造的基本技术。基本内容：1.热氧化。2.杂质扩散。3,离子注入。4.金属硅化物。第4章改变材料层属性的工艺（II） （5学时）教学目标：使学生了解和掌握刻蚀及其设备的知识，清楚刻蚀机的操作编程方法，及其他材料去除工艺 方法。基本内容：1 .刻蚀。2.刻蚀设备。3.刻蚀机的操作编程。4.其他材料去除工艺第5章 定位工艺技术（4学时）教学目标：了解光刻的工艺过程和曝光原理；并能从结构上知道光刻机的结构组成和其 使用维护方法。基本内容：1 .光刻工艺过程。2.曝光原理。3.光刻机的结构组成。4.光刻机的使用维护第6章 流程运行调度技术（4学分时）教学目标：使学生了解流程运行调度技术的相关知识，着重掌握调度问题和流水线式调 度方法。基本内容：1.调度问题概述。2.流水线式调度。3.流水线式调度特点及应用的讨论。第7章 新颖性工艺技术前瞻（4学时）教学目标：了解新颖性工艺技术的前沿性探讨，如SiGe材料、器件与电路和应变硅材料与器件等知 识，并初步了解ALD工艺技术和激光退火与超浅结退火。基本内容：l.SiGe材料、器件与电路。2.应变硅材料与器件。3. ALD工艺技术。4.激光退火与超浅结退火。五、考核及成绩评定方式(请明确说明教学过程考核方式和期末考核方式，各项考核成绩占课程总成绩的比例，原则上平时成绩比重不低于50%o)六、教材及参考书目:序号考核方式成绩比重(%)期末考核50平时成绩、考勤，作业50合计类别教材名称编者出版社出版时间教材微电子制造技术概论严利人、周卫、 刘道广清华大学出版社2010.3参考书微电子概论郝跃，贾新章， 吴玉广高等教育出版社2003.12撰写人： 审核人： 制定时间:
