《微电子工艺设计》实验教学大纲.docx

微电子工艺设计实验教学大纲目录微电子工艺设计1一、课程简介2二、课程实验教学的目的、任务与要求2三、实验方式与基本要求2四、实验项目设置2五、教材（讲义、指导书）3六、实验报告要求3七、考试（考核）方式3八、使用说明4课程名称：微电子工艺设计课程编号:056511英文名称： Microelectronics Process Design课程性质：非独立设课课程属性：专业方向课应开实验学期：第7学期学时学分：课程总学时-48实验学时-16课程总学分一-3实验学分一一 实验者类别：本科生适用专业：电子信息工程；电子科学与技术。先修课程：数字电子技术；模拟电子技术。一、课程简介微电子工艺学时电子科学与技术专业的一门专业课程，其任务是介绍半导体 器件，集成电路的材料性能，工艺原理、工艺步骤及工艺集成的基础知识，使学 生对微电子工艺的设计与实施有一个基本的系统知识为日后从事半导体器件及 集成电路的设计及生产提供知识储备。通过本课程的学习，学生需要熟悉半导 体衬底的特点；掌握微电子工艺的设计与实施步骤；了解工艺集成的原理与方法。 二、课程实验教学的目的、任务与要求通过本课程的学习，使学生掌握半导体器件的制作方法和工艺过程，培养学 生实际动手能力、独立处理问题和解决问题的能力。三、实验方式与基本要求实验方式：学生12人一机，独立进行实验，配合所学课程，记录实验数据，进 行结果分析。基本要求：1、掌握利用热氧化方法制备SiOz的原理、方法和工艺过程。2、掌握光刻的方法，学会能够按照平面晶体管和集成电路的设计要求，在Si。? 或金属蒸发层上面刻蚀出与掩膜版完全相对应的几何图形。3、掌握真空蒸发制备铝薄膜的方法，学会利用干涉法测量铝薄膜的厚度。4、通过实验了解光刻掩膜版在硅平面生产器件中的作用，掌握制版工艺原理及 一些简单的工艺操作。5、学会使用晶体管特性测试仪，并利用其简单检测晶体管的质量。四、实验项目设置注 凝出；1.标2验正1综的设南惊5.其他 加黜1.撷吟利撷n专业"4其它 匆陵 1.必修2.选留3.艇序号实验编号实验项目名称实验内容提要实验 时数实验 类型实验 类别实验 要求每组 人数101热氧化制备Si02利用热氧化方法制备Si02 的原理、方法和工艺过程2必修202光刻工艺在Si(L或金属蒸发层上面 刻蚀事与掩膜版完全相对 应的几何图形2必修303蒸发工艺真空蒸发制备铝薄膜6必修404制版工艺简单掩膜版的制备4必修505P-N结特性测量使用晶体管特性测试仪，并 利用其简单检测晶体管的 质量2必修合计16五、教材(讲义、指导书)(1)美Stephen A. Campbell著，曾莹等译，微电子制造科学原理与工程技术， 电子工业出版社。(2)庄同曾，集成电路制造技术一一原理与实践，电子工业出版社六、实验报告要求要求有实验目的、原理、内容和步骤以及实验结果和数据分析，不可偷工减 料。七、考试(考核)方式(1)平时成绩考查学生预习情况、在平时的实验中注意人身安全和设备的安全情况、 实验课的出勤情况等。(2)实验操作在每次的实验中，我们认真对每个同学的实验过程、仪器操作使用、实验技能与效果，以及实验记录等四个环节进行当场评价、登记。(3)实验报告实验报告质量是衡量实验效果的依据，是反映学生分析问题、研究问题、 解决问题、撰写科技论文的能力。八、使用说明本实验教学大纲适用于电子科学与技术、电子信息科学与技术、电子信息工 程等专业的微电子工艺设计课程，课程总学时为48,实验学时为16。