常用电子器件精选PPT.ppt
关于常用电子器件第1页，讲稿共36张，创作于星期日1、电阻的单位：国际单位为欧姆（）。常用单位有：M,K,m,.2、电阻按材料分可分成以下几类：a、碳膜电阻b、金属膜电阻 1.1 电阻电阻1 1 常用电子半导体器件常用电子半导体器件第2页，讲稿共36张，创作于星期日c、绕线电阻d、水泥电阻第3页，讲稿共36张，创作于星期日第4页，讲稿共36张，创作于星期日B.标准功率：W,W,W,W,1W,2W,5W,50W,100W.C.精度：（1%，5%）绕线电阻有0.1%精度1.01.0，1.21.2，1.51.5，1.81.8，2.02.0，2.22.2，2.42.4，2.72.7，3.03.0，3.33.3，3.63.6，3.93.9，4.34.3，4.74.7，5.05.0，5.15.1，5.65.6，6.26.2，6.86.8，7.57.5，8.28.2，9.1 9.1 0 0。A.标称阻值。如：1，10K.第5页，讲稿共36张，创作于星期日1.2 1.2 电容器电容器1.电容器的符号第6页，讲稿共36张，创作于星期日2.电容单位3.电容器分类：a、瓷片电容瓷片电容，有高压低压之分，高压瓷片可做成几万伏耐压。b、CBB电容电容（金属化薄膜电容，高低压均有）第7页，讲稿共36张，创作于星期日c、独石电容、独石电容d、钽电容、钽电容e、铝电解电容、铝电解电容第8页，讲稿共36张，创作于星期日 贴片元器件贴片元器件贴片钽电容贴片钽电容贴片铝电解电容电容贴片铝电解电容电容第9页，讲稿共36张，创作于星期日穿心电容穿心电容第10页，讲稿共36张，创作于星期日4、电容元件的主要技术参数a、标称容量,如:电解电容100F/25V,1.0，1.2，1.5，1.8，2.2，2.7，3.3，3.6，3.9，4.2，4.7，5.6，6.2，6.8，7.5，8.2。例：例：CBBCBB电容电容 2700pF/63V 2700pF/63V、272J(K)272J(K)b、耐压：6.3V,10V,16V,25V,35V,50V,63V,100V,160V,250V,400V,450V,6.3V,10V,16V,25V,35V,50V,63V,100V,160V,250V,400V,450V,630V,1000V,1250V,2KV,3KV,5KV,10KV 630V,1000V,1250V,2KV,3KV,5KV,10KV。c、精度：5%(J5%(J级级)10%(K)10%(K级级)，20%(M20%(M级级)电解电容允许误差。电解电容允许误差。d、损耗角：tg e、串联等效电阻：ESR高频电路或开关电高频电路或开关电源中这两个参数很源中这两个参数很重要重要第11页，讲稿共36张，创作于星期日f、最大脉动电流：400V/10F/280mAg、寿命：普通电容（CD11系列）寿命1000小时/85下，工作温度每降低10C，电解电容寿命增加一倍。每增加10C，寿命减少一倍。h、漏电流：I=0.02CV+25A、如：400V/10F电容 I=105A 第12页，讲稿共36张，创作于星期日第13页，讲稿共36张，创作于星期日第14页，讲稿共36张，创作于星期日1.3 电感电感1、符号空芯电感有铁芯电感第15页，讲稿共36张，创作于星期日2、分类：a、色码电感：（空芯电感，容量小，只有H级）b、高频（铁氧体芯）电感：可做H、mH级，非线性元件，电感量随工作频率而改变。c、低频（矽钢片）电感：可做mH级。第16页，讲稿共36张，创作于星期日3、单位（亨利）4、参数a、标称容量：（mH）b、额定电流：（载流能力）0.5A，1A。c、额定电压：高压应用场合，要考虑耐压问题。d、损耗：铁损：磁损耗，随频率的增加而大幅度增加铜损：漆包线电阻损耗 第17页，讲稿共36张，创作于星期日第18页，讲稿共36张，创作于星期日第19页，讲稿共36张，创作于星期日第20页，讲稿共36张，创作于星期日 1.41.4、三极管、三极管1、符号2、分类按材料分：a、硅管（PN结压降：0.7V）b、锗管（PN结压降：0.3V）第21页，讲稿共36张，创作于星期日3、主要技术指标：a、电流放大系数：注意标志：F标志 ：50-70 G标志 ：70-90H标志：100-120I标志：120-150*管管子子耐耐压压越越高高，额额定定工工作作电电流流（I ICMCM）越越大大，则则 越越小小。例:MJE13005，500V/5A，:15-35之间S8050，45V/1A，:70-200之间第22页，讲稿共36张，创作于星期日b、反向击穿电压：Ucbo (发射极开路发射极开路)Uebo（集电极开路）（集电极开路）Uceo（基极开路）（基极开路）c、集电极最大允许电流ICMd、集电极最大允许耗散功率PCMPc=IcUce耗耗散散功功率率与与环环境境温温度度和和散散热热条条件件有有关关（RoJ），手手册册上上一一般般给给出出环环境境温温度为度为20时时PCM值。值。e、截止频率：共射极截止频率fb,定义为降低到0.707倍时的频率称为fb三个参数中选最小一个为晶体管击穿电压，一般为Uebo 第23页，讲稿共36张，创作于星期日4、封装形式：第24页，讲稿共36张，创作于星期日第25页，讲稿共36张，创作于星期日第26页，讲稿共36张，创作于星期日第27页，讲稿共36张，创作于星期日第28页，讲稿共36张，创作于星期日1.功率功率MOSFET的结构的结构1.5 1.5 功率场效应晶体管结构特点功率场效应晶体管结构特点图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号第29页，讲稿共36张，创作于星期日2、MOS管特点 a、电压控制元件，输入阻抗高。、电压控制元件，输入阻抗高。b、导通电阻、导通电阻Ron大大.c、工作频率高（对功率器件而言）、工作频率高（对功率器件而言）d、是一种元细胞集成器件、是一种元细胞集成器件,适合并联适合并联 e、DS极极之间内部寄生二极管之间内部寄生二极管3、主要技术指标：a、额定电压、额定电压Uds,它主要由它主要由VMOS管的漏源击穿电压管的漏源击穿电压U(BR)DS决定决定 b、最大漏极电流、最大漏极电流Idmax(标称标称MOS管电流额定参数管电流额定参数)c、阀值电压、阀值电压Ugs(th)(又称门极开启电压又称门极开启电压)d、导通电阻、导通电阻：Ron第30页，讲稿共36张，创作于星期日e、最高工作频率fm:Uds作用下，电子从源区（作用下，电子从源区（S）通过沟道到漏区所需要的时间）通过沟道到漏区所需要的时间f、开通时间和关断时间：开通和关断时间越大开通和关断时间越大,则则MOS管开关损耗越大管开关损耗越大.g、极间电容输入电容：Ciss=CGS+CGD输出电容：Coss=CDS+CGD第31页，讲稿共36张，创作于星期日5、常用MOS器件：2N700060V/0.2AIRFD01460V/1.7AIRFD210200V/0.6AIRFD110100V/1.0AIRF530100V/15AIRF630200V/9AIRF730400V/5.5AIRF830500V/4.5AIRF840500V/8AIRFBF20 900V/1.7AIRFBF30900V/3.6A第32页，讲稿共36张，创作于星期日第33页，讲稿共36张，创作于星期日第34页，讲稿共36张，创作于星期日第35页，讲稿共36张，创作于星期日感感谢谢大大家家观观看看第36页，讲稿共36张，创作于星期日
