第3章 半导体三极管及其基本放大电路.ppt

第第3章章 半导体三极管及其基本放大半导体三极管及其基本放大电路电路3.1双极型半导体三极管双极型半导体三极管3.2三极管基本应用电路及其分析方法三极管基本应用电路及其分析方法*3.3单极型半导体三极管及其电路分析单极型半导体三极管及其电路分析小结小结3.1 双极型半导体三极管双极型半导体三极管3.1.1三极管的结构与分类三极管的结构与分类1.三极管的结构与电路符号三极管的结构与电路符号三极管的结构示意图如三极管的结构示意图如图图3-1(a)所示，它是由三层不同性质的半所示，它是由三层不同性质的半导体组合而成的。导体组合而成的。按半导体的组合方式不同，可将其分为按半导体的组合方式不同，可将其分为NPN型管和型管和PNP型管。型管。三极管的电路符号如三极管的电路符号如图图3-1(b)所示，符号中的箭头方向表示发射所示，符号中的箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向。结正向偏置时的电流方向。2.三极管的分类三极管的分类(1)按其结构类型分为按其结构类型分为NPN管和管和PNP管。管。(2)按其制作材料分为硅管和锗管。按其制作材料分为硅管和锗管。(3)按工作频率分为高频管和低频管。按工作频率分为高频管和低频管。(4)按载流子的类型分为双极性半导体三极管和单极性半导体三按载流子的类型分为双极性半导体三极管和单极性半导体三极管。极管。下一页下一页3.1 双极型半导体三极管双极型半导体三极管3.1.1三极管的结构与分类三极管的结构与分类3.三极管的外形结构三极管的外形结构常见三极管的外形结构如常见三极管的外形结构如图图3-2所示。所示。下一页下一页上一页上一页3.1 双极型半导体三极管双极型半导体三极管3.1.2三极管的电流分配与放大作用三极管的电流分配与放大作用1.三极管的工作状态及偏置方式三极管的工作状态及偏置方式三极管的工作状态由两个三极管的工作状态由两个PN结的偏置方式决定，如结的偏置方式决定，如表表3-1所所示。示。三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。反向偏置。图图3-3(a)为为NPN管的偏置电路，管的偏置电路，图图3-3(b)为为PNP管的偏置电路。管的偏置电路。2.三极管内部载流子的运动过程三极管内部载流子的运动过程(以以NPN管为例管为例)图图3-4为三极管内部载流子运动的示意图。为三极管内部载流子运动的示意图。(1)发射区向基区发射电子的过程。发射区向基区发射电子的过程。(2)电子在基区的扩散和复合过程。电子在基区的扩散和复合过程。(3)电子被集电区收集的过程。电子被集电区收集的过程。下一页下一页上一页上一页3.1 双极型半导体三极管双极型半导体三极管3.1.2三极管的电流分配与放大作用三极管的电流分配与放大作用3.放大状态下三极管各极电流之间的关系放大状态下三极管各极电流之间的关系由图由图3-4不难得出不难得出:下一页下一页上一页上一页3.1 双极型半导体三极管双极型半导体三极管3.1.2三极管的电流分配与放大作用三极管的电流分配与放大作用4.三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用(1)综合载流子的运动规律，由于三极管的综合载流子的运动规律，由于三极管的ICBO较小，所以较小，所以电流分配关系可简写为电流分配关系可简写为(2)IC与与IB的比值基本保持不变，其大小由三极管的内部结的比值基本保持不变，其大小由三极管的内部结构决定。构决定。下一页下一页上一页上一页3.1 双极型半导体三极管双极型半导体三极管3.1.2三极管的电流分配与放大作用三极管的电流分配与放大作用(3)放大作用。放大作用。要使三极管工作在放大状态，必须具备两个条件：一是必须要使三极管工作在放大状态，必须具备两个条件：一是必须以正确的连接方式将三极管接入输入输出回路；二是必须外以正确的连接方式将三极管接入输入输出回路；二是必须外加正确的直流偏置电压，即发射结正向偏置、集电结反向偏加正确的直流偏置电压，即发射结正向偏置、集电结反向偏置。置。下一页下一页上一页上一页3.1 双极型半导体三极管双极型半导体三极管3.1.3三极管的特性曲线及主要参数三极管的特性曲线及主要参数测试电路如图测试电路如图3-5所示。所示。1.输入特性曲线输入特性曲线共发射极输入特性曲线是指以共发射极输入特性曲线是指以集电极与发射极输出电压集电极与发射极输出电压UCE为为参变量，输入电流参变量，输入电流IB与输入电压与输入电压UBE之间的关系曲线，即之间的关系曲线，即1)UCE=0时的输入特性时的输入特性(图图3-6中曲线中曲线)2)UCE1V时的输入特性时的输入特性(图图3-6中曲线中曲线)2.输出特性曲线输出特性曲线输出特性曲线是指当三极管基极电流输出特性曲线是指当三极管基极电流IB为常数时，集电极电为常数时，集电极电流入流入IC与集电极、发射极间电压与集电极、发射极间电压UCE之间之间的关系，即的关系，即下一页下一页上一页上一页3.1 双极型半导体三极管双极型半导体三极管3.1.3三极管的特性曲线及主要参数三极管的特性曲线及主要参数输出特性曲线如输出特性曲线如图图3-7所示。所示。(1)放大区放大区:指指曲线上曲线上IIB 0和和UCE1V之间的之间的部分，此时部分，此时发射结正偏、集电结反偏，三极管处于放大状态。发射结正偏、集电结反偏，三极管处于放大状态。(2)截止区截止区:指曲线上指曲线上I B 0的区域，此时发射结反偏，三极的区域，此时发射结反偏，三极管为截止状态管为截止状态，IC很小很小，集电极与发射极间相当于开路，三，集电极与发射极间相当于开路，三极管相当于断开的开关。极管相当于断开的开关。(3)饱和区饱和区:指曲线上指曲线上UCEUBE的区域，此时的区域，此时IC与与I B无对应关无对应关系，集电极与发射极均系，集电极与发射极均处于正向偏置，集电极与发射极之间处于正向偏置，集电极与发射极之间的压降称为饱和电压，用的压降称为饱和电压，用UCES表示表示。下一页下一页上一页上一页3.1 双极型半导体三极管双极型半导体三极管3.1.4三极管的主要参数三极管的主要参数1.电流放大系数电流放大系数2.极间反向截止电流极间反向截止电流1)集电极集电极-基极反向饱和电流基极反向饱和电流ICBO1)集电极集电极-发射极反向饱和电流发射极反向饱和电流ICEO下一页下一页上一页上一页3.1 双极型半导体三极管双极型半导体三极管3.1.4三极管三极管的主要参数的主要参数3.极限参数极限参数1)集电极集电极最大允许电流最大允许电流ICM2)反向击穿电压反向击穿电压U(BR)CEO3)集电极最大允许功耗集电极最大允许功耗PCM根据给定的根据给定的PCM值可以作出一条值可以作出一条PCM曲线如曲线如图图3-8所示，由所示，由PCM、ICM和和U(BR)CEO包围的区域为三极管安全工作区。包围的区域为三极管安全工作区。下一页下一页上一页上一页3.1 双极型半导体三极管双极型半导体三极管3.1.5温度对三极管的特性与参数的影响温度对三极管的特性与参数的影响1.温度温度对对UBE的影响的影响 三极管的输入特性曲线与二极管的正向特性曲线相似，温度三极管的输入特性曲线与二极管的正向特性曲线相似，温度升高，曲线左移，如升高，曲线左移，如图图3-9所示。所示。2.温度对温度对ICBO的影响的影响三极管输出特性曲线随温度升高将向上移动，如图三极管输出特性曲线随温度升高将向上移动，如图3-10所所示。示。3.温度对温度对的影响的影响 温度升高，输出特性各条曲线之间的间隔增大，从而温度升高，输出特性各条曲线之间的间隔增大，从而值增值增大，如大，如图图3-10所所示。示。下一页下一页上一页上一页3.1 双极型半导体三极管双极型半导体三极管3.1.6三极管的判别及其手册的查阅方法三极管的判别及其手册的查阅方法1.三极管型号的意义三极管型号的意义三极管的型号三极管的型号一般由五大部分组成如一般由五大部分组成如3AX31A、3DG12B、3CG14G等。等。2.三极管手册的查阅方法三极管手册的查阅方法1)三极管手册的基本内容三极管手册的基本内容(1)三极管的型号。三极管的型号。(2)电参数符号说明。电参数符号说明。(3)主要用途。主要用途。(4)主要参数。主要参数。2)三极管手册的查阅方法三极管手册的查阅方法(1)已知三极管的型号查阅其性能参数和使用范围。已知三极管的型号查阅其性能参数和使用范围。(2)根据使用要求选择三极管。根据使用要求选择三极管。下一页下一页上一页上一页3.1 双极型半导体三极管双极型半导体三极管3.1.6三极管的判别及其手册的查阅方法三极管的判别及其手册的查阅方法3.判别三极管的管型和管脚判别三极管的管型和管脚(1)根据三极管外壳上的型号，初判其类型。根据三极管外壳上的型号，初判其类型。(2)根据三极管的外形特点，初判其管脚。根据三极管的外形特点，初判其管脚。(3)用万用表判别三极管的管脚及管型。用万用表判别三极管的管脚及管型。基极的判别，如基极的判别，如图图3-11所示。所示。集电极和发射极的判别。具体测试方法如集电极和发射极的判别。具体测试方法如图图3-12所示。所示。根据硅管的发射结正向压降大于锗管的正向压降的特点，根据硅管的发射结正向压降大于锗管的正向压降的特点，来判断其材料。如来判断其材料。如图图3-13所示。所示。下一页下一页上一页上一页3.1 双极型半导体三极管双极型半导体三极管3.1.6三极管的判别及其手册的查阅方法三极管的判别及其手册的查阅方法4.三极管的质量粗判及代换方法三极管的质量粗判及代换方法1)判别三极管的质量好坏判别三极管的质量好坏用指针式万用表测一般三极管，可将三极管看成两个用指针式万用表测一般三极管，可将三极管看成两个“首首首首”相连或相连或“尾尾尾尾”相连的二极管来看待，若相连的二极管来看待，若“首首”为正极为正极“尾尾”为负极，则前者为为负极，则前者为PNP型，后者为型，后者为NPN型。型。2)三极管的代换方法三极管的代换方法(1)更换时，尽量更换相同型号的三极管。更换时，尽量更换相同型号的三极管。(2)无相同型号更换时，新换三极管的极限参数应等于或大于原无相同型号更换时，新换三极管的极限参数应等于或大于原三极管的极限参数。三极管的极限参数。(3)性能好的三极管可代替性能差的三极管。性能好的三极管可代替性能差的三极管。(4)在集电极耗散功率允许的情况下，可用高频管代替低频管。在集电极耗散功率允许的情况下，可用高频管代替低频管。(5)开关三极管可代替普通三极管。开关三极管可代替普通三极管。上一页上一页返返 回回3.2 三极管基本应用电路及其分析三极管基本应用电路及其分析方法方法3.2.1三极管基本放大电路的组成三极管基本放大电路的组成三极管基本放大电路可由正弦波三极管基本放大电路可由正弦波信号源信号源US、晶体三极管、晶体三极管V、输出负载输出负载RL及电源偏置电路及电源偏置电路(UBB、Rb、UCC、RC)组成，如组成，如图图3-14所示。所示。(1)图图3-14中晶体三极管采用中晶体三极管采用NPN型硅管，具有电流放大型硅管，具有电流放大作用，使作用，使IC=IB。(2)图图3-14中基极电阻中基极电阻Rb又称偏流电阻，它和电源又称偏流电阻，它和电源UBB一一起给基极提供一个合适的基极直流起给基极提供一个合适的基极直流IBB，使晶体管能工作在特，使晶体管能工作在特性曲线的线性部分性曲线的线性部分。(3)图图3-14中中RC为集电极负载电阻。为集电极负载电阻。(4)图图3-14中藕合电容中藕合电容C1、C2起到一个起到一个“隔直导交隔直导交”的作的作用，它把信号源与放大电路之间，放大电路与负载之间的直用，它把信号源与放大电路之间，放大电路与负载之间的直流隔开。流隔开。下一页下一页3.2 三极管基本应用电路及其分析三极管基本应用电路及其分析方法方法3.2.2放大电路的两种工作状态放大电路的两种工作状态1.静态工作情况分析静态工作情况分析在在图图3-15所示电路中，当所示电路中，当Ui=0时，放大电路中没有交流成时，放大电路中没有交流成分，称为静态工作状态，这时藕合电容分，称为静态工作状态，这时藕合电容C1、C2视为开路，直视为开路，直流通路如流通路如图图3-16(a)所示。所示。三极管特性曲线上所确定的点称为静态工作点，用三极管特性曲线上所确定的点称为静态工作点，用Q表示，表示，如如图图3-16(b)所示。所示。2.动态工作情况分析动态工作情况分析输入端加上正弦交流信号电压输入端加上正弦交流信号电压1l时，放大电路的工作状态为时，放大电路的工作状态为动态，如动态，如图图3-17所示。这时电路中既有直流成分，也有交流所示。这时电路中既有直流成分，也有交流成分，各极的电流和电压都是在静态值的基础上再叠加交流成分，各极的电流和电压都是在静态值的基础上再叠加交流分量，如分量，如图图3-18所示所示。下一页下一页上一页上一页3.2 三极管基本应用电路及其分析三极管基本应用电路及其分析方法方法3.2.3图解分析法图解分析法1.用图解法确定静态工作点用图解法确定静态工作点在分析静态值时，只需研究直流通路，在分析静态值时，只需研究直流通路，图图3-19用图解法分析用图解法分析电路的步骤如下电路的步骤如下:1)作直流负载线作直流负载线上式确定的直线就是直流负载线。上式确定的直线就是直流负载线。2)确定静态工作点确定静态工作点利用利用 ，求得，求得IBQ的近似值。在输出特的近似值。在输出特性曲线上，确定性曲线上，确定IIB=IBQ的一条曲线。该曲线与直线的一条曲线。该曲线与直线MN的的交点交点Q就是静态工作点。就是静态工作点。下一页下一页上一页上一页3.2 三极管基本应用电路及其分析三极管基本应用电路及其分析方法方法3.2.3图解分析法图解分析法2.动态图解分析法动态图解分析法1)空载分析空载分析放大电路的输入端有输入信号，输出端开路，这种电路称为放大电路的输入端有输入信号，输出端开路，这种电路称为空载放大电路，虽然电压和电流增加了交流成分，但输出回空载放大电路，虽然电压和电流增加了交流成分，但输出回路路仍与静态的直流通路完全一样。仍与静态的直流通路完全一样。如如图图3-20所示。所示。2)带负载的动态分析带负载的动态分析在在图图3-19(a)所示电路中接上负载所示电路中接上负载RL，其交流通路如，其交流通路如图图3-21所示。所示。下一页下一页上一页上一页3.2 三极管基本应用电路及其分析三极管基本应用电路及其分析方法方法3.2.4微变等效电路法微变等效电路法1.晶体管微变等效晶体管微变等效1)输入端等效输入端等效图图3-22(a)是三极管的输入特性曲线，是非线性的。如果输入是三极管的输入特性曲线，是非线性的。如果输入信号很小，在静态工作点信号很小，在静态工作点Q附近的工作段可近似地认为是直附近的工作段可近似地认为是直线。线。2)输出端等效输出端等效图图3-22(b)是三极管的输出特性曲线族，若动态是在小范围内，是三极管的输出特性曲线族，若动态是在小范围内，特性曲线不但互相平行、间隔均匀，且与特性曲线不但互相平行、间隔均匀，且与uCE轴线平行。轴线平行。由上述方法得到的晶体管微变等效电路如由上述方法得到的晶体管微变等效电路如图图3-23所示。所示。2.放大电路的微变等效电路放大电路的微变等效电路通过放大电路的交流通路和三极管的微变等效，可得出放大通过放大电路的交流通路和三极管的微变等效，可得出放大电路的微变等效电路，如电路的微变等效电路，如图图3-24所示。所示。上一页上一页返返 回回*3.3 单极型半导体三极管及其电路单极型半导体三极管及其电路分析分析3.3.1单极型半导体三极管单极型半导体三极管场效应管场效应管(简称简称FET)是利用输入电压产生的电场效应来控制输是利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流的，所以又称之为电压控制型器件。它工作时只有一出电流的，所以又称之为电压控制型器件。它工作时只有一种载流子种载流子(多数载流子多数载流子)参与导电，故也叫单极型半导体三极管。参与导电，故也叫单极型半导体三极管。1.MOS场效应管场效应管由于这种场效应管是由金属由于这种场效应管是由金属(melal),氧化物氧化物(oxide)和半导体和半导体(setni-conductor)组成的，故称组成的，故称MOS管。管。1)增强型增强型N沟道绝缘栅场效应管的结构和符号沟道绝缘栅场效应管的结构和符号图图3-25是是N沟道增强型沟道增强型MOS管的示意图。管的示意图。下一页下一页*3.3 单极型半导体三极管及其电路单极型半导体三极管及其电路分析分析3.3.1单极型半导体三极管单极型半导体三极管2)工作原理和转移特性曲线工作原理和转移特性曲线(1)工作原理。工作原理。图图3-26是是N沟道增强型沟道增强型MOS管的工作原理示意图，图管的工作原理示意图，图3-26(b)是相应的电路图。是相应的电路图。(2)转移特性曲线。转移特性曲线。如如图图3-27所示。所示。(3)输出特性曲线。输出特性曲线。图图3-28为输出特性曲线，分为可变电阻区、恒流区为输出特性曲线，分为可变电阻区、恒流区(放大区放大区)、夹断区夹断区(饱和区饱和区)。下一页下一页上一页上一页*3.3 单极型半导体三极管及其电路单极型半导体三极管及其电路分析分析3.3.1单极型半导体三极管单极型半导体三极管2.耗尽型耗尽型N沟道沟道MOS场效应管场效应管N沟道耗尽型沟道耗尽型MOS管在制造时，在二氧化硅绝缘层中掺入了管在制造时，在二氧化硅绝缘层中掺入了大量的正离子，这些正离子的存在，使得队、大量的正离子，这些正离子的存在，使得队、=0时，就有垂时，就有垂直电场进入半导体，并吸引自由电子到半导体的表层而形成直电场进入半导体，并吸引自由电子到半导体的表层而形成N型导电沟道。型导电沟道。这种管子的栅源电压这种管子的栅源电压UGS可以是正的，也可以是负的。改变可以是正的，也可以是负的。改变UGS，就可以改变沟道的宽窄，从而控制漏极电流，就可以改变沟道的宽窄，从而控制漏极电流ID。下一页下一页上一页上一页*3.3 单极型半导体三极管及其电路单极型半导体三极管及其电路分析分析3.3.2结型场效应管结型场效应管1.结构和符号结构和符号N沟道结型场效应管如沟道结型场效应管如图图3-29所示。所示。2.工作原理工作原理如如图图3-30所示，场效应管工作时它的两个所示，场效应管工作时它的两个PN结始终要加反向结始终要加反向电压。电压。当当G、S两极间电压两极间电压UGS改变时，沟道两侧耗尽层的宽度也随改变时，沟道两侧耗尽层的宽度也随着改变，由于沟道宽度的变化，导致沟道电阻值的改变，从着改变，由于沟道宽度的变化，导致沟道电阻值的改变，从而实现了利用电压而实现了利用电压UGS控制电流控制电流ID的目的。的目的。下一页下一页上一页上一页*3.3 单极型半导体三极管及其电路单极型半导体三极管及其电路分析分析3.3.3场效应管的主要参数场效应管的主要参数1.主要参数主要参数1)开启开启电压电压UGS(th)和夹断电压和夹断电压UGS(off)2)饱和漏极电流饱和漏极电流IDSS3)低频跨导低频跨导gm(又称低频互导又称低频互导)4)直流输入电阻直流输入电阻RGS5)漏源击穿电压漏源击穿电压U(BR)DS6)栅源击穿电压栅源击穿电压U(BR)GS7)最大耗散功率最大耗散功率PDM下一页下一页上一页上一页*3.3 单极型半导体三极管及其电路单极型半导体三极管及其电路分析分析3.3.3场效应管的主要参数场效应管的主要参数2.注意事项注意事项(1)在使用场效应管时，要注意漏源电压在使用场效应管时，要注意漏源电压UDS、漏源电流、漏源电流ID、栅、栅源电压源电压UGS、及耗散功率等值不能超过最大允许值。、及耗散功率等值不能超过最大允许值。(2)场效应管从结构上看漏源两极是对称的，可以互相调用，场效应管从结构上看漏源两极是对称的，可以互相调用，但有些产品制作时已将衬底和源极在内部连在一起，这时漏但有些产品制作时已将衬底和源极在内部连在一起，这时漏源两极不能对换用。源两极不能对换用。(3)结型场效应管的栅源电压结型场效应管的栅源电压UGS、不能加正向电压，因为它、不能加正向电压，因为它工作在反偏状态。工作在反偏状态。(4)绝缘栅型场效应管的栅源两极绝不允许悬空，因为栅源两绝缘栅型场效应管的栅源两极绝不允许悬空，因为栅源两极如果有感应电荷，就很难泄放，电荷积累会使电压升高，极如果有感应电荷，就很难泄放，电荷积累会使电压升高，而使栅极绝缘层击穿，造成管子损坏。而使栅极绝缘层击穿，造成管子损坏。(5)注意各极电压的极性不能接错。注意各极电压的极性不能接错。上一页上一页返返 回回小结小结(1)三极管是具有放大作用的半导体器件，根据结构及工作原三极管是具有放大作用的半导体器件，根据结构及工作原理的不同可分为双极型和单极型。理的不同可分为双极型和单极型。(2)晶体三极管是由两个晶体三极管是由两个PN结组成的有源三端器件，分为结组成的有源三端器件，分为NPN和和PNP两种类型，根据材料不同有硅管和锗管之分。两种类型，根据材料不同有硅管和锗管之分。(3)晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。作状态。(4)使用晶体三极管时应特别注意管子的极限参数。使用晶体三极管时应特别注意管子的极限参数。(5)场效应管是利用栅极电压改变导电沟道的宽、窄而实现对场效应管是利用栅极电压改变导电沟道的宽、窄而实现对漏极电流的控制的，由于输入电流极小，故称为电压控制电漏极电流的控制的，由于输入电流极小，故称为电压控制电流器件。流器件。(6)在三极管电路中，只研究直流电源作用下，电路中各直流在三极管电路中，只研究直流电源作用下，电路中各直流量大小的称直流分析量大小的称直流分析(或称为静态分析或称为静态分析)，由此而确定的各极直，由此而确定的各极直流电压和电流称为静态工作点。流电压和电流称为静态工作点。返返 回回图图3-1常见三极管的外形结钩常见三极管的外形结钩返返 回回图图3-2 常见二极管的外形结构常见二极管的外形结构返返 回回表表3-1 三极管的偏置方式及工作状三极管的偏置方式及工作状态态返返 回回图图3-3 三极管具有放大作用的外部三极管具有放大作用的外部条件条件返返 回回图图3-4 三极管内部载流子的运动情三极管内部载流子的运动情况况返返 回回图图3-5 电流分配关系测试电路电流分配关系测试电路返返 回回图图3-6 三极管的输入特性曲线图三极管的输入特性曲线图返返 回回图图3-7 三极管的输出特性曲线三极管的输出特性曲线返返 回回图图3-8返返 回回图图3-9 温度对输入特性的影响温度对输入特性的影响返返 回回图图3-10 温度对输出特性的影响温度对输出特性的影响返返 回回图图3-11 三极管基极的测试三极管基极的测试返返 回回图图3-12 三极管集电极、发射极的判三极管集电极、发射极的判断断返返 回回图图3-13 判断硅管和锗管的电路判断硅管和锗管的电路返返 回回图图3-14 基本共射极放大电路基本共射极放大电路返返 回回图图3-15 放大电路的习惯画法放大电路的习惯画法返返 回回图图3-16 静态工作情况静态工作情况返返 回回图图3-17 放大电路的交流通路放大电路的交流通路返返 回回图图3-18 放大电路的各极间波形放大电路的各极间波形返返 回回图图3-19 放大电路图解法放大电路图解法返返 回回图图3-20 空载图解分析法空载图解分析法返返 回回图图3-21 交流通路交流通路返返 回回图图3-22 二极管特性曲线二极管特性曲线返返 回回图图3-23 晶体二极管及微变等效晶体二极管及微变等效返返 回回图图3-24 基本放大电路的交流通路及基本放大电路的交流通路及微变等效电路微变等效电路返返 回回图图3-25 MOS管的结构及其图形符号管的结构及其图形符号返返 回回图图3-26 N沟道增强型沟道增强型MOS管工作原管工作原理理返返 回回图图3-27 移特性曲线移特性曲线返返 回回图图3-28 输出特性曲线输出特性曲线返返 回回图图3-29 N沟道结型场效应管沟道结型场效应管返返 回回图图3-30 场效应管的工作原理场效应管的工作原理返返 回回