耐高电压大电流的双极结型晶体管.pptx

模块第1页/共24页IGBT第2页/共24页1.1 1.1 什么是电力电子技术-电力电子器件第3页/共24页开关器件IGCT驱动电路GCT4kA/4.5kV IGCT663A/4.5kV IGCTGCT分解部件1.1 1.1 什么是电力电子技术-开关器件第4页/共24页第一节 门极可关断（GTOGTO）晶闸管1.1.1.1.结构结构结构结构与与普普通通晶晶闸闸管管的的相相同同点点：PNPNPNPN四四层层半半导导体体结结构，外部引出阳极、阴极和门极；构，外部引出阳极、阴极和门极；和和普普通通晶晶闸闸管管的的不不同同点点：GTOGTO是是一一种种多多元元的的功功率率集集成成器器件件，内内部部包包含含数数十十个个甚甚至至数数百百个个共共阳阳极极的的小小GTOGTO元元，这这些些GTOGTO元元的的阴阴极极和和门门极极则则在在器件内部并联在一起。器件内部并联在一起。第5页/共24页2.2.导通关断条件导通关断条件导通：同晶闸管，AK正偏，GK正偏关断：门极加负脉冲电流第6页/共24页3.特点全控型容量大 off5电流控制型电流关断增益电流关断增益 off：最大可关断最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大阳极电流与门极负脉冲电流最大值值IGM之比称为电流关断增益之比称为电流关断增益1000A的的GTO关断时门极负脉关断时门极负脉冲电流峰值要冲电流峰值要200A。第7页/共24页第二节第二节 GTRGTR电力晶体管电力晶体管电力晶体管电力晶体管GTR（GiantTransistor，巨型晶体管）巨型晶体管）耐耐高高电电压压、大大电电流流的的双双极极结结型型晶晶体体管管（BipolarJunctionTransistorBJT），英英文文有有时时候候也也称称为为PowerBJT在在电电力力电电子子技技术术的的范范围围内内，GTR与与BJT这这两两个个名名称称等等效。效。应用应用应用应用20世世纪纪80年年代代以以来来，在在中中、小小功功率率范范围围内内取取代代晶晶闸闸管，但目前又大多被管，但目前又大多被IGBT和电力和电力MOSFET取代取代第8页/共24页1.1.单管GTR 单管单管GTRGTR的基本工作原理与晶体管相同的基本工作原理与晶体管相同作为大功率开关管应用时，作为大功率开关管应用时，GTRGTR工作在截止和导通两种状态。工作在截止和导通两种状态。主要特性是耐压高、电流大、开关特性好主要特性是耐压高、电流大、开关特性好第9页/共24页2达林顿GTR单单管管 GTRGTR的的电电流流增增益益低低，将将给给基基极极驱驱动动电电路路造造成成负负担担。达达林林顿顿结结构构是是提提提提高高高高电电电电流流流流增益增益增益增益一种有效方式。一种有效方式。达达林林顿顿结结构构由由两两个个或或多多个个晶晶体体管管复复合合而而成成，可可以以是是PNPPNP型型也也可可以以是是NPNNPN型型，其其性性质由驱动管来决定质由驱动管来决定 达林顿达林顿GTRGTR的开关速度慢，损耗大的开关速度慢，损耗大 第10页/共24页3GTR 模块将 GTR管芯、稳定电阻、加速二极管、续流二极管等组装成一个单元，然后根据不同用途将几个单元电路组装在一个外壳之内构成GTR模块。目前生产的GTR模块可将多达6个互相绝缘的单元电路做在同一模块内，可很方便地组成三相桥式电路。第11页/共24页3.GTR的二次击穿现象的二次击穿现象一次击穿一次击穿v集集电电极极电电压压升升高高至至击击穿穿电电压压时时，Ic迅迅速速增增大大，出出现现雪崩击穿；雪崩击穿；v只只要要Ic不不超超过过限限度度，GTR一一般般不不会会损损坏坏，工工作作特特性也不变。性也不变。二次击穿二次击穿v一一次次击击穿穿发发生生时时，如如果果继继续续增增高高外外接接电电压压，则则Ic继继续续增增大大，当当达达到到某某个个临临界界点点时时，Uce会会突突然然降降低低至至一一个个小小值值，同同时时导导致致Ic急急剧剧上上升升，这这种种现现象象称称为为二二次击穿，次击穿，v二二次次击击穿穿的的持持续续时时间间很很短短，一一般般在在纳纳秒秒至至微微秒秒范范围，常常立即导致器件的永久损坏。必需避免。围，常常立即导致器件的永久损坏。必需避免。第12页/共24页安全工作区防止二次击穿，采用保护电路，同时考虑器件的安全裕量，尽防止二次击穿，采用保护电路，同时考虑器件的安全裕量，尽量使量使GTR工作在安全工作区。工作在安全工作区。第13页/共24页4.特点全控型，电流控制型二次击穿（工作时要防止）中大容量，开关频率较低第14页/共24页第三节 功率场效应晶体管（MOSFET）GGGG：栅极栅极栅极栅极D D D D：漏极漏极漏极漏极S S S S：源极源极源极源极 电力MOSFET的结构和电气图形符号 a)内部结构断面示意图 b)电气图形符号 第15页/共24页1.导通关断条件漏源极导通条件：漏源极导通条件：在栅源极间加正电压在栅源极间加正电压在栅源极间加正电压在栅源极间加正电压U UGSGS漏源极关断条件：漏源极关断条件：栅源极间电压栅源极间电压栅源极间电压栅源极间电压U UGSGS为零为零为零为零第16页/共24页2.2.特点特点控制级输入阻抗大驱动电流小防止静电感应击穿中小容量，开关频率高导通压降大（不足）第17页/共24页第四节 绝缘栅双极晶体管IGBT）绝 缘 栅 双 极 型 晶 体 管 简 称 为IGBT（Insulated Gate Biopolar Transistor）,是80年代中期发展起来的一种新型复合器件复合器件。IGBT综合了MOSFETMOSFET和GTRGTR的输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大的优点。成为当前电力半导体器件的发展方向。第18页/共24页1.结构复合结构（=MOSFETMOSFET+GTRGTR）栅极集电极集电极发射极发射极第19页/共24页2.导通关断条件驱动原理与电力MOSFET基本相同，属于场控器件，通断由栅射极电压uGE决定导通条件：导通条件：在栅射极间加正电压在栅射极间加正电压在栅射极间加正电压在栅射极间加正电压U UGEGEUGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。关断条件：关断条件：栅射极反压或无信号栅射极反压或无信号栅射极反压或无信号栅射极反压或无信号栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。第20页/共24页3.特点高频，容量大反向耐压低（必须反接二极管）模块化驱动和保护有专用芯片第21页/共24页其他电力电子器件MCTMOS控制晶闸管SIT静电感应晶体管SITH静电感应晶闸管第22页/共24页本章小结本章小结1、根据开关器件是否可控分类、根据开关器件是否可控分类（1）不可控器件：二极管VD（2）半控器件：普通晶闸管SCR（3）全控器件：GTO、GTR、功率MOSFET、IGBT等。2、根据门极、根据门极(栅极栅极)驱动信号的不同驱动信号的不同（1）电流控制器件：驱动功率大，驱动电路复杂，工作频率低。该类器件有SCR、GTO、GTR。（2）电压控制器件：驱动功率小，驱动电路简单可靠，工作频率高。该类器件有P-MOSEET、IGBT。第23页/共24页感谢您的观看！第24页/共24页