随机读写存储器.pptx

2.SRAM的组成图5.3 静态RAM结构组成原理图4K*1b第1页/共14页3.SRAM的读/写过程图5.4 静态RAM2b结构原理图4K*2b(1)读出过程A0A11加到RAM芯片的地址输入端发读控制信号(R/W=1)和片选信号.(2)写入过程A0A11加到RAM芯片的地址输入端将要写入的数据放在DB上.发写控制信号(R/W=0)和片选信号.第2页/共14页4.SRAM芯片举例图5.5 Intel 2114内部结构图(1)Intel 2114存储器芯片常用的SRAM芯片有 2114、2142、6116和6264等。1K*4b写内存读内存第3页/共14页(2)Intel 6264存储器芯片图5.7 Intel 6264内部结构1K*8b写内存读内存7根地址线第4页/共14页5.SRAM与CPU的连接(1)位扩展法图5.9 位扩展法组成8KB RAM存储器与CPU的连接，是通过三总线（地址、数据和控制线）完成的。目前生产的存储器的芯片的容量是有限的，所以要进行扩充才能满足实际存储器容量、位数的要求。第5页/共14页(2)字扩展法（容量扩展）图5.10 字扩展法组成64KB RAM第6页/共14页(3)字位同时扩展法 用2564位的芯片组成1KB RAM的方框图第7页/共14页(4)静态随机存取存储器的连接举例图5.11 SRAM 2114与CPU的连接Intel 2114存储器芯片的结构是1K*4b第8页/共14页图5.12 四管动态存储元1.四管动态存储元5.2.2动态MOS存储器(1)写入操作 写入时，I/O与I/O加相反的电平,(例如:写入1时,I/O=1,I/O=0)，字选择线的高电平打开T5和T6管,写入信息送至A、B端，将信息存储在T1和T2管的栅极电容上。(2)读出操作 读出时，先给出预充信号，使T9和T10管导通，于是电源就向位线上的电容充电，当 T5和T6管导通时，存储的信息通过A和B端位线输出。(3)再生(刷新)操作 只要定时给全部存储单元执行一遍读操作,而信息不向外输出,则可实现刷新.第9页/共14页图5.13 单管动态存储元图5.14 单管DRAM的存储矩阵2.单管动态存储元 写入时，字选择线为1,T1管导通,写入信息由位线(数据线)存入电容C中。读出时，字选择线为1,存储在电容C上的电荷,通过T1输出到数据线上,放大即可。需要有外部控制电路控制刷新过程。(字选线)第10页/共14页刷新定时器刷新地址计数器控制逻辑电路地址译码和行/列地址切换读写和刷新的仲裁和切换时序发生器刷新请求刷新周期启动地址总线控制总线读写地址控制信号刷新地址RAS0RASnCAS0CASnWE其它信号3.DRAM的刷新和DRAM控制器图5.15 DRAM 控制器的原理图(1)时序功能DRAM控制器需要按固定时序提供行地址选通信号RAS,为此,用一个计数器产生刷新地址,同时用一个刷新定时器产生刷新请求信号.(2)地址处理功能对来自地址总线的地址信号和刷新地址进行切换.(3)仲裁功能对读写请求和刷新请求进行仲裁第11页/共14页4.动态随机存取存储器举例图5.16 414256内部结构行414256的存储容量是256K*4b第12页/共14页5.高集成度DRAMDRAM的集成度越来越高,存储器的容量越来越大。微机系统内存的形式:通常把若干个高集成度DRAM芯片焊接在一小块电路板上,形成一个内存条,用户只需把内存条插到系统板上提供的内存条插座即可使用。第13页/共14页感谢您的观看！第14页/共14页