半导体存储器和可编程逻辑器件精选PPT.ppt

半导体存储器和可编程逻辑器件第1页，此课件共60页哦一一 RAM的基本结构的基本结构 由由存存储储矩矩阵阵、地地址址译译码码器器、读读写写控控制制器器、输输入入/输输出出控控制制、片片选控制等几部分组成。选控制等几部分组成。7.1 随机存取存储器随机存取存储器（RAM）第2页，此课件共60页哦 1.存储矩阵存储矩阵图图中中，1024个个字字排排列成列成3232的矩阵。的矩阵。为为了了存存取取方方便便，给给它它们编上号。们编上号。32行行编编号号为为X0、X1、X31，32列列编编号号为为Y0、Y1、Y31。这这样样每每一一个个存存储储单单元元都都有有了了一一个个固固定定的编号，称为地址的编号，称为地址。第3页，此课件共60页哦2地地址址译译码码器器将将寄寄存存器器地地址址所所对对应应的的二二进进制制数数译译成成有有效效的的行行选选信信号号和和列列选选信信号号，从从而而选选中中该该存存储单元。储单元。采用双译码结构。采用双译码结构。行行地地址址译译码码器器：5输输入入32输输出出，输输入入为为A0、A1、A4，输输出出为为X0、X1、X31；列列地地址址译译码码器器：5输输入入32输输出出，输输入入为为A5、A6、A9，输输出出为为Y0、Y1、Y31，这样共有这样共有10条地址线。条地址线。例例如如，输输入入地地址址码码A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0=0000000001，则则行行选选线线X11、列选线、列选线Y01，选中第，选中第X1行第行第Y0列的那个存储单元。列的那个存储单元。第4页，此课件共60页哦3 RAM的存储单元的存储单元六管六管NMOS静态存储单元静态存储单元只有当行、列选择只有当行、列选择线均为高电平时，线均为高电平时，该存储单元才会被该存储单元才会被选中。选中。第5页，此课件共60页哦三管动态存储单元数据存储在电容数据存储在电容C里，当电容充有足里，当电容充有足够的电荷时，为逻够的电荷时，为逻辑状态辑状态0。当有读数据时，可当有读数据时，可对该存储单元进行对该存储单元进行刷新。刷新。只要该行有读信号，只要该行有读信号，该行数据均可刷新。该行数据均可刷新。第6页，此课件共60页哦静态RAM存储单元所用的管子多，功耗大，集成度受到影响，目前常用的是动态RAM。单管动态存储单元单管动态存储单元数据存储在数据存储在Cs中，中，T为为门控管，通过控制门控管，通过控制T的导的导通与截止，可以把数据通与截止，可以把数据从存储单元送至位线上从存储单元送至位线上或将位线上的数据写入或将位线上的数据写入到存储单元到存储单元。第7页，此课件共60页哦 4.片选及输入片选及输入/输出控制电路输出控制电路 当当选选片片信信号号CS1时时，G5、G4输输出出为为0，三三态态门门G1、G2、G3均均处处于于高高阻阻状状态态，输输入入/输输出出（I/O）端端与与存存储储器器内内部部完完全全隔隔离离，存存储储器器禁禁止止读读/写写操操作作，即即不不工工作；作；当当CS0时时，芯芯片片被被选选通通：当当 1时时，G5输输出出高高电电平平，G3被被打打开开，于是被选中的单元所存储的数据出现在于是被选中的单元所存储的数据出现在I/O端，存储器执行读操作；端，存储器执行读操作；当当 0时时，G4输输出出高高电电平平，G1、G2被被打打开开，此此时时加加在在I/O端端的的数数据以互补的形式出现在内部数据线上，存储器执行写操作。据以互补的形式出现在内部数据线上，存储器执行写操作。第8页，此课件共60页哦读出操作过程如下：读出操作过程如下：（1）欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端；）欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端；（2）加入有效的选片信号）加入有效的选片信号CS；（3）将待写入的数据加到数据输入端。）将待写入的数据加到数据输入端。（3）在）在 线上加低电平，进入写工作状态；线上加低电平，进入写工作状态；（4）让选片信号）让选片信号CS无效，无效，I/O端呈高阻态。端呈高阻态。二二.RAM的工作时序（以写入过程为例）的工作时序（以写入过程为例）第9页，此课件共60页哦三三 RAM的容量扩展的容量扩展1位扩展位扩展用用8片片1024（1K）1位位RAM构成的构成的10248位位RAM系统。系统。第10页，此课件共60页哦2字扩展字扩展用用8片片1K8位位RAM构成的构成的8K8位位RAM。第11页，此课件共60页哦扩展后的存储器系统，它的地址空间有多大？扩展后的存储器系统，它的地址空间有多大？地址又是如何分配的？地址又是如何分配的？某RAM芯片存有2048个字，每个字长为8位，该芯片应有 个地址引脚，I/O引脚应有 个 11 8 第12页，此课件共60页哦四四.RAM的芯片简介的芯片简介(6116)(6116)61166116为为2K82K8位静态位静态CMOSRAMCMOSRAM芯片引脚排列图：芯片引脚排列图：A0A10是是地地址址码码输输入入端端，D0D7是是数据输出端，数据输出端，是选片端，是选片端，是输出使能端，是输出使能端，是写入控制端。是写入控制端。第13页，此课件共60页哦（2）一一次次性性可可编编程程ROM（PROM）。出出厂厂时时，存存储储内内容容全全为为1（或或全全为为0），用用户户可可根根据据自自己己的的需需要要编编程程，但但只只能编程一次。能编程一次。7.2 只读存储器只读存储器(ROM)一一 ROM的分类的分类按照数据写入方式特点不同，按照数据写入方式特点不同，ROM可分为以下几种：可分为以下几种：（1）固固定定ROM（又又叫叫掩掩膜膜ROM）。厂厂家家把把数数据据写写入入存存储储器器中中，用户无法进行任何修改。用户无法进行任何修改。（3）光光可可擦擦除除可可编编程程ROM（EPROM）。采采用用浮浮栅栅技技术术生生产产的的可可编编程程存存储储器器。其其内内容容可可通通过过紫紫外外线线照照射射而而被被擦擦除除，可多次编程。可多次编程。第14页，此课件共60页哦（5）快快闪闪存存储储器器（Flash Memory）。也也是是采采用用浮浮栅栅型型MOS管管，存存储储器器中中数数据据的的擦擦除除和和写写入入是是分分开开进进行行的的，数数据据写写入入方方式式与与EPROM相同，一般一只芯片可以擦除相同，一般一只芯片可以擦除/写入写入100次以上。次以上。（4）电电可可擦擦除除可可编编程程ROM（E2PROM）。也也是是采采用用浮浮栅栅技技术术生生产产的的可可编编程程ROM，但但是是构构成成其其存存储储单单元元的的是是隧隧道道MOS管管，是是用用电电擦擦除除，并并且且擦擦除除的的速速度度要要快快的的多多（一一般般为为毫毫秒秒数数量量级级）。E2PROM的的电电擦擦除除过过程程就就是是改改写写过过程程，它它具具有有ROM的的非非易易失失性性，又又具具备备类类似似RAM的的功功能能，可可以以随随时时改改写写（可可重重复复擦擦写写1万次以上）。万次以上）。第15页，此课件共60页哦二、二极管阵列的掩膜二、二极管阵列的掩膜ROM 二极管存贮矩阵字地址译码器W0W1W2W3A1A0字线位线地址线输出三态门D3 D2 D1 D0数据线输出使能 OEA1A0 W3W2 W1 W0 D3D2D1D00 0 0 0 0 1 1 1 1 00 1 0 0 1 0 0 1 0 11 0 0 1 0 0 1 1 0 01 1 1 0 0 0 0 0 1 1每个单元所存数据每个单元所存数据第16页，此课件共60页哦PROM（熔丝式）电路原理（熔丝式）电路原理字线位线熔断丝第17页，此课件共60页哦(1)PLD的的逻辑表示方法逻辑表示方法固定连接固定连接编程连接编程连接不连接不连接熔丝熔丝第18页，此课件共60页哦（2）PLD的图形符号的图形符号缓冲门缓冲门AAA相当于相当于&1AAAABCY与门与门AY&BCABCY或门或门AY1BCABCY AY&B可编程连接可编程连接或不连接或不连接第19页，此课件共60页哦PLD图形符号（续）图形符号（续）与或门与或门A B C DY多输入端或门画法多输入端或门画法多输入端与门画法多输入端与门画法第20页，此课件共60页哦门电路符号中美对照表&11&1=1与与或或非非与非与非或非或非异或异或第21页，此课件共60页哦清华大学电机系唐庆玉清华大学电机系唐庆玉2003年年11月月15日编日编三、三、PROM的内部结构及编程的内部结构及编程 AND阵列固定OR阵列可编程输出输入O2 O1 O0I2 I1 I0第22页，此课件共60页哦例例1 用用PROM实现半加器实现半加器半加器逻辑式半加器逻辑式F=AB+AB=A BC=ABF CA B 如何用如何用PROM实现全加器？实现全加器？第23页，此课件共60页哦例例2 用用PROM实现三变量奇数校验电路实现三变量奇数校验电路A B CYABC Y0 0 0 00 0 1 10 1 0 10 1 1 01 0 0 11 0 1 01 1 0 01 1 1 1真值表真值表第24页，此课件共60页哦四、四、光可擦除可编程光可擦除可编程ROM（EPROM）EPROMEPROM是一种可以多次重复使用的ROM，其存储位结构如图6.8所示。它的每个存储位都制作一个管子，但与掩膜式ROM不同，其栅极G悬浮于高阻抗的SiO2层中，浮栅上有无电荷将决定管子是否导通，即该位状态是0还是1。编程时，在较高的编程电压Vpp的作用下，电荷可以感生进入浮栅。因SiO2的高阻抗，电荷一旦进入浮栅后可以保持十年以上。若要擦除已写入的数据，可用紫外光照射浮栅，使浮栅上的电荷获得足够的能量越过SiO2层逐渐泄放，回到初始状态。为便于紫外光线透入，EPROM一般都带有石英玻璃窗口。为避免阳光或其他光源中的紫外线对EPROM起作用，正常使用时，窗口上应该贴上一层不透明的保护膜。第25页，此课件共60页哦图图 6.8 EPROM6.8 EPROM存储位模型图存储位模型图EPROMEPROM是目前使用最广泛的一类ROM，甚至有些廉价的塑封EPROM根本就不制作石英玻璃窗口，目的是降低制作成本，不过这种EPROM只能编程一次。第26页，此课件共60页哦EPROM举例举例2764第27页，此课件共60页哦五、电可改写只读存储器五、电可改写只读存储器E E2 2PROMPROM由于EPROM在擦除时必须用紫外线照射，因而给使用者带来不便。而E2PROM正是为克服这一缺点而出现的新型存储器。E2PROM的存储位结构与EPROM相似，但在浮栅与漏极间增加了一个隧道管，使电荷可以在浮栅与漏极之间双向流动，不再需要紫外线来激发，即编程和擦除均可用电来完成。E2PROM既能像EPROM那样长期保存信息，又能在在线情况下随时改写；既可单字节改写，又可全片擦除改写。第28页，此课件共60页哦六、六、ROM容量的扩展容量的扩展（1）字长的扩展（位扩展）字长的扩展（位扩展）现有型号的现有型号的EPROM，输出多为，输出多为8位。位。下图是将两片下图是将两片2764扩展成扩展成8k16位位EPROM的连线图。的连线图。第29页，此课件共60页哦用用8片片2764扩展成扩展成64k8位的位的EPROM：（2）字数扩展（地址码扩展）字数扩展（地址码扩展）第30页，此课件共60页哦7.3可编程逻辑器件（PLD）PLDProgrammable Logic Devices 大规模集成电路，集成了大量的门电大规模集成电路，集成了大量的门电路和触发器，用户可编程构成所需电路。路和触发器，用户可编程构成所需电路。清华大学电机系唐庆玉清华大学电机系唐庆玉2003年年11月月15日编日编优点：优点：（1）节省集成芯片的数量）节省集成芯片的数量节省电路板面积，节省电路板面积，节省电耗，减少产品体积，降低成本节省电耗，减少产品体积，降低成本（2）电路保密，不易被他人仿造）电路保密，不易被他人仿造第31页，此课件共60页哦清华大学电机系唐庆玉清华大学电机系唐庆玉2003年年11月月15日编日编PLD类型类型（1）PROM型型（Programmable ROM）（2）PLA型型（Programmable Logic Array 可编程逻辑阵列可编程逻辑阵列）（3）PAL型型（Programmable Array Logic可编程阵列逻辑）可编程阵列逻辑）（4）GAL型型（Generic Array Logic通用阵列逻辑）通用阵列逻辑）（5）CPLD型型（Complex PLD）最复杂最复杂简单简单较复杂较复杂第32页，此课件共60页哦清华大学电机系唐庆玉清华大学电机系唐庆玉2003年年11月月15日编日编结构结构:AND逻辑阵列逻辑阵列+OR逻辑阵列逻辑阵列 类型类型 AND阵列阵列 OR阵列阵列 D触发器触发器PROM 连接固定连接固定 可编程可编程（一次性）（一次性）PLA 可编程可编程（一次性）（一次性）可编程可编程（一次性）（一次性）PAL 可编程可编程（可多次电擦除）（可多次电擦除）连接固定连接固定 8个个GAL 可编程可编程（可多次电擦除）（可多次电擦除）连接固定连接固定 8个个输出比输出比PAL增加增加“可编程输出逻辑宏单元可编程输出逻辑宏单元”使编程更灵活。使编程更灵活。第33页，此课件共60页哦PLDPLD的诞生不仅简化了数字逻辑系统的设计过程，的诞生不仅简化了数字逻辑系统的设计过程，而且降低了数字系统的体积和成本，提高了系统的可靠而且降低了数字系统的体积和成本，提高了系统的可靠性，性，PLDPLD作为规格化逻辑设计方法已应用多年。最先作为规格化逻辑设计方法已应用多年。最先主要是掩膜可编程，主要是作为主要是掩膜可编程，主要是作为ROMROM用于计算机内部。用于计算机内部。后来出现了熔丝可编程逻辑器件，人们可通过简单的编程后来出现了熔丝可编程逻辑器件，人们可通过简单的编程设备对逻辑器件进行编程，产生了半定制逻辑器件。由于设备对逻辑器件进行编程，产生了半定制逻辑器件。由于EPROM(EPROM(可擦可编程只读存储器可擦可编程只读存储器)及及E E2 2ROM(ROM(电可擦除存储器电可擦除存储器)工艺的问世，工艺的问世，PLDPLD得到了快速发展及广泛应用。它从根得到了快速发展及广泛应用。它从根本上改变了系统设计方法，大大简化了系统设计。本上改变了系统设计方法，大大简化了系统设计。第34页，此课件共60页哦一、PLD电路的表示方法用逻辑电路的一般表示法很难描述用逻辑电路的一般表示法很难描述PLDPLD器件内部电路，器件内部电路，为了在芯片的内部配置和逻辑图之间建立一一对应关为了在芯片的内部配置和逻辑图之间建立一一对应关系，对描述系，对描述PLDPLD基本结构的有关逻辑符号和规则作出基本结构的有关逻辑符号和规则作出某些约定，使其逻辑图和真值表结合在一起构成一种某些约定，使其逻辑图和真值表结合在一起构成一种紧凑而易于识读的形式，现对这些约定作简单介绍。紧凑而易于识读的形式，现对这些约定作简单介绍。第35页，此课件共60页哦PLDPLD的的基基本本结结构构是是与与门门和和或或门门，左左图图给给出出了了三三输输入入与与门门的的两两种种表表示示法法。传传统统表表示示法法中中与与门门的的3 3个个输输入入A A、B B、C C在在PLDPLD表表示示法法中中称称为为3 3个个输输入入项项，而而输输出出F F称称为为“与与”项项。同同样样，或或门门也也采用类似方法表示。采用类似方法表示。（a a）传统表示法）传统表示法 PLDPLD的与门表示法的与门表示法（b b）PLDPLD表示法表示法第36页，此课件共60页哦图63表示PLD的典型输入缓冲器。它的两个输出B、C是其输入A的原和反，其逻辑关系逻辑关系为：图图6.3 PLD6.3 PLD输入缓冲器输入缓冲器第37页，此课件共60页哦图图8.4(a)8.4(a)给出了给出了PLDPLD阵列交叉点上的三种连接方式。阵列交叉点上的三种连接方式。实点实点“”表示固定连接；表示固定连接；“”表示可编程连表示可编程连接；没有接；没有“”也没有也没有“”的表示两线不连接。的表示两线不连接。如图如图8 84(b)4(b)中的输出中的输出F F=ACAC 。（a a）（b b）图图8.4 PLD8.4 PLD连接表示方式连接表示方式第38页，此课件共60页哦二、可编程逻辑阵列二、可编程逻辑阵列PLAPLA从前面的介绍可知，ROM的地址译码器采用全译码方式，n个地址码可选中2n个不同的存储单元。而且，地址码与存储单元有一一对应的关系，因此，即使有多个存锗单元所存放的内容完全相同也必须重复存放，无法节省这些单元。从实现逻辑函数的角度看，ROM的“与”阵列固定地产生n个输入变量的全部最小项。而对于大多数逻辑函数而言，并不需要使用全部最小项，有许多最小项是无用的，尤其对于包含约束条件的逻辑函数，许多最小项是不可能出现的。因此，ROM的“与”阵列不能获得充分利用而造成硬件浪费，使得芯片面积的利用率不高。为了解决此问题，在ROM的基础上出现了一种“与”阵列和“或”阵列均可编程的逻辑器件，即即可可编编程程逻辑阵列逻辑阵列PLAPLA(Programmable Logic Array)。第39页，此课件共60页哦（一）、（一）、PLAPLA的逻辑结构的逻辑结构PLAPLA的的逻逻辑辑结结构构与ROM类似，也是由一个“与”阵列和一个“或”阵列构成。所不同的是它的“与”阵列和“或”阵列一样是可编程的。而且，n个输入变量的“与”阵列不再是产生2n个“与”项，而是有n个与门就提供n个“与”项，每个“与”项与哪些变量相关可由编程决定。“或”阵列通过编程可选择需要的“与”项相“或”，形成“与或”函数式。由PLA实现的“与或”函数式是最简“与或”表达式。第40页，此课件共60页哦AND阵列可编程OR阵列可编程O2 O1 O0I2 I1 I0输出输入第41页，此课件共60页哦 PLAPLAPLAPLA的存储容量的存储容量的存储容量的存储容量不仅与输入变量个数和输出端个数有关，而且还和它的“与”项数(即与 门数)有关，其存储容量用输入变量数(n)、与项数(p)、输出端数(m)来表示。如图图图图6.116.116.116.11所示PLA的容量为383。目前常见常见常见常见的有容量为16488和14一968等PLA器件。第42页，此课件共60页哦 （二）、采用二）、采用PLAPLA进行逻辑设计采采用用PLAPLA进进行行逻逻辑辑设设计计，可以十分有效地实现各种逻辑功能。相对ROM而言，PLA更灵活、更经济、结构更简单。用PLA设计组合逻辑电路时，一般首先将给定问题的逻辑函数按多输出逻辑函数的化简方法简化成最简“与或”表达式，然后，根据最简表达式中的不同“与”项以及各函数式的“与”项之和分别构成“与”阵列和“或”阵列，并画出阵列逻辑图即可。第43页，此课件共60页哦例例3 用用PLA实现三八译码器实现三八译码器A2A1A00 0 0 只只 =0Y00 0 1 只只 =0Y11 1 1 只只 =0Y7输出输出三八译码器真值表三八译码器真值表A2 A1 A0Y0 Y1 Y7A2A1A0A2A1A0第44页，此课件共60页哦 例例6 62 2 用PLA设计一个代码转换电路，将一位十进制数的8421BCD码转换成余3码。解 设A，B，C，D表示8421BCD码的各位，W，X，Y，Z表示余3码的各位。可得转换电路的真值表如表表6.26.2所列。第45页，此课件共60页哦表表6.2 6.2 一位十进制数的一位十进制数的8421BCD8421BCD码与余码与余3 3码的转换真值表码的转换真值表A B C DW X Y ZA B C DW X Y Z0 0 0 00 0 1 11 0 0 01 0 1 10 0 0 10 1 0 01 0 0 11 1 0 00 0 1 00 1 0 11 0 1 0d d d d0 0 1 10 1 1 01 0 1 1d d d d0 1 0 00 1 1 11 1 0 0d d d d0 1 0 11 0 0 01 1 0 1d d d d0 1 1 01 0 0 11 1 1 0d d d d0 1 1 11 0 1 01 1 1 1d d d d第46页，此课件共60页哦根据表表表表6.26.2写写出出函函数数表表达达式式，并并按按照照多多输输出出函函数数化简法则用卡诺图进行化简后，可得如下最简“与或”表达式由此可见，全部输出函数只包含9个不同“与”项。所以，该代码转换电路可用一个容量为494的PLA实现，其阵列图如图图图图6.126.12所示。第47页，此课件共60页哦图图 6.12 6.12 一位十进制数的一位十进制数的8421BCD8421BCD码转换码转换 成余成余3 3码的码的PLAPLA阵列逻辑图阵列逻辑图 第48页，此课件共60页哦三、可编程阵列逻辑器件PALPAL器件的与阵列是可编程的，或阵列是固定的。PAL(Programmable Array Logic)是在ROM和PLA的基础上发展起来的一种可编程逻辑器件。为了能提供最高性能和最有效的结构，PAL力求既有规则的阵列结构，又能实现灵活多变的逻辑功能，同时编程简单，易于实现。它相对于ROM而言更灵活，且易于完成多种逻辑功能，同时又比PLA工艺简单，易于编程和实现。第49页，此课件共60页哦图图6.13 6.13 三输入三输出三输入三输出PALPAL的逻辑结构图的逻辑结构图第50页，此课件共60页哦四、可编程通用阵列逻辑器件GALGAL(Generic Array Logic)器件是1985年由美国LATTICE公司开发并商品化的一种新新型型PLDPLD器器件件。它是在PAL器件的基础上综合了E2ROM和CMOS技术发展起来的一种新型技术。GAL器件比PAL功能更强、性能更优越，具有PAL器件所没有的可电擦除、可多次重新编程及可组态其结构的特点。这些特点形成了器件的可测试性和高可靠性，且具有更大的灵活性。第51页，此课件共60页哦GALGAL器器件件按门阵列的可编程结构可分分为为两两大大类类：一一类类是与PAL基本结构相似的普通型GAL器件，其与门阵列是可编程的，或门阵列是固定连接的，如20引脚的GAL16V8；另另一一类类是与PLA器件相类似的新一代GAL器件，其与门阵列和或门阵列都是可编程的，如24引脚的GAL39V8便属于这一类器件。由于GAL的内部逻辑结构较为复杂。第52页，此课件共60页哦7.4复杂的可编程逻辑器件CPLD一、CPLD的结构其特点是在系统可编程（ISP）。在系统可编程是指未编程的ISP器件可直接焊在印制电路板上，通过计算机接口和专用的编程电缆对ISP直接多次编程。第53页，此课件共60页哦第54页，此课件共60页哦第55页，此课件共60页哦二、CPLD的编程ISP编程：ISP专用编程电缆PC机ISP编程软件该结构的优点是每个区的阵列传输路径短，可减少传输时延。第56页，此课件共60页哦7.5现场可编程门阵列FPGA一、FPGA编程实现逻辑功能的基本原理二、FPGA结构三、编程实现原理简介第57页，此课件共60页哦第58页，此课件共60页哦本章小节本章小节2 2RAMRAM是是一一种种时时序序逻逻辑辑电电路路，具具有有记记忆忆功功能能。其其存存储储的的数数据据随随电电源源断断电电而而消消失失，因因此此是是一一种种易易失失性性的的读读写写存存储储器器。它它包包含含有有SRAMSRAM和和DRAMDRAM两两种种类类型型，前前者者用用触触发发器器记记忆忆数数据据，后后者者靠靠MOSMOS管管栅栅极极电电容容存存储储数数据据。因因此此，在在不不停停电电的的情情况况下下，SRAMSRAM的的数数据据可可以以长长久久保保持持，而而DRAMDRAM则则必需定期刷新。必需定期刷新。1 1半半导导体体存存储储器器是是现现代代数数字字系系统统特特别别是是计计算算机机系系统统中中的的重重要要组成部件，它可分为组成部件，它可分为RAMRAM和和ROMROM两大类。两大类。第59页，此课件共60页哦3 3ROMROM是是一一种种非非易易失失性性的的存存储储器器，它它存存储储的的是是固固定定数数据据，一一般般只只能能被被读读出出。根根据据数数据据写写入入方方式式的的不不同同，ROMROM又又可可分分成成固固定定ROMROM和和可可编编程程ROMROM。后后者者又又可可细细分分为为PROMPROM、EPROMEPROM、E E2 2PROMPROM和和快快闪闪存存储储器器等等，特特别别是是E E2 2ROMROM和和快快闪闪存存储储器器可可以以进进行行电电擦擦写，已兼有了写，已兼有了RAMRAM的特性。的特性。4 4从从逻逻辑辑电电路路构构成成的的角角度度看看，ROMROM是是由由与与门门阵阵列列（地地址址译译码码器器）和和或或门门阵阵列列（存存储储矩矩阵阵）构构成成的的组组合合逻逻辑辑电电路路。ROMROM的的输输出出是是输输入入最最小小项项的的组组合合。因因此此采采用用ROMROM构构成成各各种种逻逻辑辑函函数数不不需需化化简简，这这给给逻逻辑辑设设计计带带来来很很大大方方便便。随随着着大大规规模模集集成成电电路路成成本本的的不不断断下下降降，利利用用ROMROM构构成成各各种种组组合合、时序电路，愈来愈具有吸引力。时序电路，愈来愈具有吸引力。第60页，此课件共60页哦