电力电子技术知识考核题库与答案.pdf

电力电子技术知识考核题库一、单选题L （）出现前的时期可称为电力电子技术的史前期或黎明期。单选题*A、电力二极管B、水银整流器C、晶闸管VD、IGBT2、（）属于全控型器件，它 是 MOSFET和 BJT的复合。其性能十分优越，使之成为现代电力电子技术的主导器件。单选题*A、电力二极管B、晶闸管C、GTOD、IGBTV3、（）是 MOSFET和 GTO的复合。其目前也取得了相当的成功，已经获得大量应用。单选题*A、SITB、晶闸管C、IGBTD、IGCTV4、晶闸管属于半控型器件，它的触发信号加在（）之间。单选题*A、阳极与阴极B、门极与阴极，C、栅极与集电极D、栅极与发射极5、IGBT属于电压驱动型器件，它的驱动控制信号加在（）之间。单选题*A、阳极与阴极B、门极与阴极C、栅极与集电极D、栅极与发射极V6、随着全控型电力电子器件的不断进步，电力电子电路的工作频率也不断提高，电力电子器件的（）也随之增大。单选题*A、通态损耗B、断态损耗C、开关损耗VD、开通损耗7、电化学工业大量使用直流电源，电解铝、电解食盐水等都需要大容量（I 单选题*A、整流电源VB、逆变电源C、直流斩波电源D、变频器8、以前的电梯大都采用直流调速系统，而近年来（）调速已成为主流。单选题*A、斩波B、交流变相C、交流调压D、交流变频V9、轻型直流输电主要采用（）器件。单选题*A、晶闸管B、电力 MOSFETC、GTOD.IGBTV10、通信设备中的程控交换机所用的直流电源以前用晶闸管整流电源，现在已改为采用全控型器件的（单选题*A、逆变电源B、直流斩波电源C、线性稳压电源D、高频开关电源V11、逆导IGBT相当于将一个IGBT两端反并联一个（单选题*A、快速二极管VB、晶闸管C、电力 MOSFETD、GTO12、下列器件中，（）与 SIT速度相当。单选题*A、晶闸管B、GTOC、电力 MOSFETVD、IGBT13、以下器件中，开关速度达几百kHZ,甚至高达1MHZ的 是（X 单选题*A、GTOB、GTRC、电力 MOSFETVD、IGBT14、下列器件中，兆瓦级以上场合可采用的全控器件是（单选题*A、SCRB、GTOVC、电力 MOSFETD、IGBT15、P N 结具有的（），使得电力二极管导通时，虽然通过很大电流，但正向导通压降很低，只 有 IV 左右。单选题*A、电容效应B、电导调制效应VC、电感效应D、滞后效应16、某电力二极管在电路中需要流过实际电流的有效值为314 A,那么考虑1.5倍裕量，选择额定电流为（）的二极管。单选题*A、314AB、300 AVC、471 AD、740A17、某电力二极管额定电流为300A,那么考虑1.5倍裕量，在电路中允许长期流过的实际电流的有效值I为（工 单选题*A、200AB、300AC、314AVD、450A18、某电路中需要承受的最高反向峰值电压为220 V,考 虑2倍裕量，选择额定电压U为（）V的二极管。单选题*A、220B、440C、500VD、100019、以下器件中，（）可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中。单选题*A、快速晶闸管B、双向晶闸管C、逆导晶闸管D、光控晶闸管V20、要使原来导通的晶闸管关断，须将流过晶闸管的电流降到（）以下。单选题*A、额定电流；B、维持电流；VC、擎住电流；D、触发电流。二、多选题（共 20题，每 题 2 分，共 40分）1、PW M控制在电力电子变流技术中占有十分重要的位置，它 在（）等电力电子电路中均可应用。*A、整流VB、逆变VC、直流斩波VD、交流-交流控制V2、目前电力电子集成电路的功率都比较小、电压也较低，它面临着（）等几大难题。*A、电压隔离，B、热隔离VC、光隔离D、电磁干扰V3、为了减小开关损耗，软开关技术便应运而生，（）就是软开关的最基本形式。*A、ZVSVB、ZCSVC、TSCD、TCR4、工业中大量应用各种交直流电动机。其中直流电动机有良好的调速性能，为其供电可以是下面的（A、整流电源VB、逆变电源C、直流斩波电源VD、变频器5、高频开关电源具有()的优点，现在已逐渐取代了线性电源。*A、体积小VB、重量轻VC、效率高VD、不产生谐波6、()和()受环境的制约，发出的电力质量较差，常需要储能装置缓冲，需要改善电能质量，这就需要电力电子技术。*A、火力发电B、核能发电C、太阳能发电VD、风力发电V7、同处理信息的电子器件相比，电力电子器件一般具有如下特征：()*A、处理电功率的能力比较大；VB、工作在放大状态；C、由信息电子电路来控制；VD、需要安装散热器V8、以下器件中,()属于全控型器件。*A、电力二极管B、晶闸管C、电力 MOSFETVD、IGBTV9、以下器件中，（）属于单极型器件。*A、晶闸管B、SITVC、电力 MOSFETVD、IGBT10、以下器件中,（）属于复合型器件。*As IGCTVB、MCTVC、电力 MOSFETD、IGBTV11、电力电子器件可以按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为。（）*A、单极型器件VB、双极型器件VC、复合型器件VD、反极型器件12、按照控制端和公共端之间信号的性质，可以将电力电子器件分为。（）*A、电流驱动型VB、电压驱动型VC、电平驱动型D、脉冲驱动型13、电力电子器件的开关损耗包括。（）*A、通态损耗B、断态损耗C、开通损耗VD、关断损耗V14、IGBT是哪两种器件的复合。（）*A、GTOB、SCRC、MOSFETVD、GTRV15、以下器件属于全控型器件的是（）*A、晶闸管B、门极可关断晶体管VC、电力双极型晶体管VD、电力场效应晶体管V16、电力电子学是由（）学科交叉而形成的。*A、电力学VB、电子学VC、控制理论VD、电机学17、目前用于电力电子器件制造的宽禁带半导体材料主要有（1*A、硅B、碳化硅VC、氮化钱VD、褚18、电 力MOSFET具 有（）特点。*A、驱动电路简单，需要的驱动功率小VB、开关速度快VC、电流容量小，耐压低，多用于功率不超过10kW的电力电子装置VD、电流容量大，耐压高，多用于功率大于10kW的电力电子装置19、与相控整流电源相比，开关电源具有（）特点。*A、需要的滤波器更大B、采用了高频变压器VC、体积小VD、重量轻V20、下列换流方式中，（）是针对晶闸管而言的*A、器件换流B、电网换流VC、负载换流VD、强迫换流V三、判断题（共20题，每 题1分，共20分）1、电力电子器件总是工作在开关状态。（）单选题*A、正确VB、错误2、为了减小通态损耗，软开关技术便应运而生。（）单选题*A、正确B、错误V3、在系统开关频率较低的情况下，开关损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。（）单选题*A、正确B、错误V4、双向晶闸管的额定电流是以能流过的最大正弦半波电流的平均值来定义的（单选题*A、正确B、错误V5、电力二极管内部P N结的电导调制效应影响P N结的工作频率。（）单选题*A、正确B、错误V6、从外形上来看，晶闸管主要有螺栓形和平板形两种封装结构。其中电流大的做成螺栓形，电流小的做成平板形。（）单选题*A、正确B、错误V7、当晶闸管承受正向电压时，晶闸管开通；晶闸管承受反向电压时，晶闸管关断。（）单选题*A、正确B、错误V8、若要使已导通的晶闸管关断，需要将晶闸管两端的电压降到零。（）单选题*A、正确B、错误V9、晶闸管的电压定额中有反向重复峰值电压URRM和断态重复峰值电压U D R M，通常取晶闸管的U D R M和U R R M中较大的标值作为该器件的额定电压。（）单选题*A、正确B、错误V10、GTO导通时饱和程度比晶闸管导通时饱和程度深。（）单选题*A、正确B、错误V11.如果将电力电子器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，则称为功率模块。（）单选题*A、正确B、错误V12、通过控制触发脉冲的相位来控制输出电压大小的方式称为斩波控制方式。（）单选题*A、正确B、错误V13、阻感负载的特点是负载电流的变化超前于负载电压。（）单选题*A、正确B、错误V14、三相全控桥式整流电路，为变压器副边相电压有效值，带纯电阻负载。晶闸管承受的最大正向和最大反向电压均为变压器二次线电压峰值，即。（）单选题A、正确B、错误V15、三相全控桥整流电路，为变压器副边相电压有效值，带阻感负载。晶闸管承受的最大正向和最大反向电压均为变压器二次线电压峰值，即。（）单选题*A、正确VB、错误16、逆变角太小会造成逆变失败。（）单选题*A、正确VB、错误17、电流驱动型器件的特点是输入阻抗高，所需驱动功率小，驱动电路简单。（）单选题*A、正确B、错误V18、无源逆变电路，是把直流电能逆变成交流电能送给电网（）单选题*A、正确B、错误V19、三相桥式全控整流电路,输出电压波形的脉动频率是150Hz。（）单选题*A、正确B、错误V20、三相桥式全控整流电路，共阴极组VT1、VT3、VT5的脉冲依次差120,同一相的上下两个桥臂，脉冲相差180 （）单选题*A、正确，B、错误B1.在共发射极放大电路中，增大基极电流时，三极管的集电极电流和电位将（单选题*A集电极电流增大，集电极电位升高B集电极电流增大，集电极电位降低VC集电极电流减小，集电极电位升高D集电极电流减小,集电极电位降低2.在共发射极放大电路中，减小基极电流时，三极管的集电极电流和电位将（X 单选题*A集电极电流减小，集电极电位升高yB集电极电流减小，集电极电位降低C集电极电流增大，集电极电位升高D集电极电流增大，集电极电位降低3.交流放大电路中，改 变R C的电阻值，将会使放大电路的（单选题*A电压放大倍数改变B静态工作点改变，IC减小C静态工作点改变，IC增大D电压放大倍数改变，同时也改变了静态值UCEV4.在共发射极放大电路中，若发射极经一电阻RE和一电容并联再接地。那么电阻RE的作用是（单选题*A 稳定静态工作点的作用VB 起负反馈作用C 减小发射极电流IE的作用D 不确定5.在共发射极电路中，减小负载电阻RL将使放大器放大倍数（1 单选题*A 降低B 升高VC 不变D 不一定6.电路如图6 所 示，叙述正确的是（1 单选题*A.电流源吸收功率，电压源发出功率B.电流源和电压源都吸收功率C.电流源发出功率，电压源吸收功率VD.电流源和电压源都发出功率7若将同一白炽灯分别接入到直流电源和有效值为的交流电源上，则（I 单选题A.接至直流电源时较亮B.接至交流电源时较亮C.两者亮度相同V8.下列说法中不符合R、L、C 串联谐振特征的是（单选题*A.电路对电源呈现电阻性B.电路的阻抗模最大VC.1D.电流最大9.三相异步电动机转动的原理是（X 单选题*A.定子磁场与定子电流的相互作用B.转子磁场与转子电流的相互作用C.旋转磁场与转子电流的相互作用VD.旋转磁场与定子电流的相互作用10.时序逻辑电路的输出状态的改变（1 单选题*A.仅与该时刻输入信号的状态有关；B.仅与时序电路的原状态有关；C.与A.、B.皆有关VD.输出信号的次态11.射极输出器的输出电压与输入电压的相位（单选题*A反相B同柜VC相位差为900D不确定12.在共发射极电路中，增大负载电阻RL将使放大器放大倍数（单选题A降低B升高VC不变D无法确定1 3.组合逻辑电路通常由（）组合而成。单选题*A.门电路；VB.触发器；C.计 数 器；D.寄存器14.用8421码表示的十进制数65,可以写成（X 单选题*A.65B.1000001 BCDC.01100101 BCDVD.1000001 215.电流的真实方向是（X 单选题*A从电源正极流出来的方向B正电荷移动的方向VC从电源负极流出来的方向D负电荷移动的方向16.电压的真实方向是（1 单选题*A从高电压到低电压方向B高电位指向低电位方向VC从正极指向负极的方向D不确定17.电源电动势的实际方向是（I 单选题*A从低电位指向高电位VB从高电位指向低电位方向C从电源正极指向负极的方向D不确定18.在直流电路的计算中，若选择了某一方向为电流的参考方向。求解出来的电流或电压是正值。则表示参考方向与实际方向（I 单选题*A相同VB相反C不一定19.在直流电路的计算中，若选择了某一方向为电流的参考方向。求解出来的电流或电压是负值。则表示参考方向与实际方向（X 单选题*A相反VB相同C不一定20.在列写回路电压方程时，若选择了电路图中电流的参考方向。问：电压、电动势的方向 应（1 单选题*A与电流的参考方向一致VB电压与电流一致，电动势与电流相反C与电流的参考方向相反D以上均不是21.任何一个有源二端线性网络的戴维南等效电路是（）单选题*A 一个理想电流源和一个电阻的并联电路B 一个理想电流源和一个理想电压源的并联电路C 一个理想电压源和一个理想电流源的串联电路D 一个理想电压源和一个电阻的串联电路V22.下面关于理想电压源说法错误的是（单选题*A 端电压不随输出电流的大小而改变B 输出电流的大小由外部负载决定C 可以用一个内阻为0 的电动势来表示D 输出电流不随端电压的大小而改变V23.将一个实际的电压源等效为一个实际的电流源以后，电流源的电流方向是（）*A 从原来电压源的正极指向负极B 从原来电压源的负极指向正极VC 不变D 以上都不是24.将一个实际电流源等效为一个实际电压源。等效后的电压源其端电压是（*A 等于电流源原来的端电压B 等于原来的电流源电流乘以并联的内阻VC 等于原来的电流源电流乘以串联的内阻D 以上均不是25.下面关于射极输出器说法错误的是（单选题*A 射极输出器的输入电阻高B 射极输出器的输出电阻低C 射极输出器的输出电压不稳定，带负载能力弱VD 射极输出器的电压放大倍数约等于126.在 R、C 串联电路中，电阻两端的电压有效值为3 V，电容两端的电压有效值为4 V。串联电路的总电压有效值是（X 单选题*A IVB 5VVC7VD 12V27.在 R、L 串联的交流电路中，分别测得电阻、电感两端的电压有效值为8V和 6 V。那 么，总电压有效值应是（单选题*A2VB 14VVC 10VDOV28.已知在R、L 串联的正弦交流电路中，总电压U=30V,L 上的电压UL=18V，则 R上的电压UR应 为（）单选题*A 12VB24VC48VVD48V29.在 R、C 串联的交流电路中，增大原来的电阻后，总电压与电流的相位差将（单选题*A 增大B减小VC不变D不确定30.在R、L串联的交流电路中，增大原来的电阻后，总电压与电流的相位差将（X 单选题*A增大B减小VC不变D不确定31.一个电感串联一个电阻，其串联电路的阻抗角应是：（）单选题*A等 于00B等 于900C大于00而小于900VD小于0032.一个电容串联一个电阻，其串联电路的阻抗角应是（单选题*A等 于900B小于0 0而大于-900VC大于00而小于900D不确定33.在i屯电容元件电路中，在相位上电流比电压（单选题*A滞 后900B超 前900VC没有相位差D 无法确定34.在纯电感元件电路中，在相位上电流比电压(单选题*A 滞 后 900VB超 前 900C 没有相位差D 无法确定35.设某负载端电压u=311sin(wt+900)V,流过的电流i=10 sin(wt+300)A。则该负载的阻抗是(X 单选题*A 31.1Z600QVB 31.1QC22QD22z60036.在含有LC的电路中，当电源的频率和电路的参数符合一定的条件时，电路总电压与总电流的相位相同，整个电路呈()性，此现象称为(单选题*A.电感性，谐振B.电容性，谐振C.电阻性，谐振VD.电感性，串联谐振3 7.实验室中的交流电压表和电流表，其读值是交流电的()单选题*A 最大值B有效值VC 瞬时值D 最小值38.电路的时间常数大，则瞬态过程进行（X 单选题*A 较快B较慢VC 不变D 不确定39.电路的时间常数大,则瞬态过程进行（1 单选题*A 较快VB较慢C 不变D 不确定40.稳压二极管正常工作时，应工作在（）单选题*A 正向导通区B 截止区C 反向击穿区，D 死区41.半导体三极管是一种（）单选题*A 电压控制电压的器件B 电压控制电流的器件C 电流控制电流的器件VD 电流控制电压的器件42.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为UE=6V,UB=5.3V,UC=0V,则该管 为（X 单选题A PNP型褚管B.NPN型褚管C PNP型硅管VD NPN型硅管43.当 NPN三极管发射结电压大于0.6V,集电结电压小于0.6V时，三极管处于（X 单选题*A 导通状态B放大状态VC 截止状态D 不确定44.当 NPN三极管发射结电压大于0.6V;集电结电压也大于0.6V 时，三极管的工作状态 是（I 单选题*A 导通状态VB放大状态C 截止状态D 不确定45.晶体三极管工作于饱和状态时，则（工 单选题*A 发射结正偏，集电结反偏B发射结正偏，集电结正偏VC发射结反偏，集电结反偏D 发射结反偏，集电结正偏46.当 NPN三极管发射结电压小于0V;集电结电压小于0 V 时，三极管的工作状态是（X 单选题*A 导通状态B放大状态C 截止状态VD 不确定47.为 使 NPN型三极管可靠截止，应 使（1 单选题*A UBEO,UBC0,UBC0C UBE 0D UBE 0,UBC048.在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降UCEr近似等于电源电压UCC时，则该管工作状态为（）单选题*A 饱和B 截止VC 放大D 不确定49.在共发射极电路中，三极管的3=100,集电极电阻RC=1KQ,电源电压为10Vo那么使三极管进入饱和时的基极电阻RB应 是（单选题*A 50 KQB 100 KQVC 150 KQD200KQ5 0.在共发射极电路中,三极管的p=50,集电极电阻RC=1KQ,电源电压为10Vo则使三极管进入饱和时的基极电阻RB应 是（）。单选题*A 50KQVB 100 KQC150KQD200KQC1.电力晶体管的外部电极是：集电极、基极和发射极。判断题*对v错2.在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。判断题*对V错3.硅管正向导通时的压降为0.6 0.8Vo 判断题*对错V4.电流放大系数一般用参数a 表示。判断题*对错V5.硅管正偏导通时，其管压降（即阴阳极两端的电压）约为（）。单选题*A0.1VB0.2VC O.5VVD0.7V6.()型晶体管的材料为()，()型晶体管的材料为()。单选题*A、NPN,硅；P N P,硅B、PNP,硅；NPN,褚C、NPN，褚；PNP,石 圭 VD、PNP,褚；NPN,硅7.把直流电变为交流电的电路称为整流。判断题*对错V8.周期不变，通过改变导通时间而改变变压比，达到控制输出电压目的的是()。单选题*A、脉冲宽度调制VB、PWH控制技术C、脉冲频率调制D、混合型调制9.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在()。单选题*A、导通状态B、关断状态VC、饱和状态D、不一定10.三相逆变电路是将()变为()。单选题*A、直流电，单相交流电B、单相交流电，直流电C、直流电，三相交流电VD、三相交流电，直流电11.在门电路中，以下哪个逻辑函数是正确的()单选题*A、A+l=0B、A 0=lC、A1=AVD、A+0=012.给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。判断题*对错V13.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL小于IH0 判断题*对错V14.根据逻辑代数运算规律A*(B+C)=(A+B)*(C+D)。判断题*对错V15.晶闸管从承受正向电压开始到触发脉冲出现之间的电角度称为控制角。判断题*对V错16.门极可关断晶闸管是一种全控型器件。判断题*对V错17.与门的逻辑函数是Y=A+B。判断题*对错V18.三相逆变电路是将直流电变为三相交流电。判断题*对V错19.NPN型晶体管死区电压为()V,所以通常发射结电压为()V。单选题*A、0.1,0.60.7B、0.5,0.60.7VC、0.1,0.20.3D、0.5,0.20.320.降压斩波电路中,输出功率()输入功率。单选题*A、大于B、等于VC、小于D、不一定21.在降压斩波电路中,a代表的含义是()。单选题*A、导通角B、控制角C、占空比VD、触发角22.周期不变，通过改变导通时间而改变变压比，达到控制输出电压目的的是()。单选题*A、脉冲宽度调制VB、PW H控制技术C、脉冲频率调制D、混合型调制23.晶闸管是()器件。单选题*A、全控型B、不可控C、半控型VD、逆导24.三相逆变电路是将直流电变为单相交流电。判断题*对错V25.普通晶闸管、快速晶闸管、高频晶闸管中开关速度最快的是高频晶闸管。判断题*对V错26.只要在晶闸管两端施加正向电压，晶闸管就能导通。判断题*对错V27.电感有滤波的作用。判断题*对V错28.三段不等分半控整流桥由两个二极管，六个晶闸管组成。判断题*对错V29.以相数分类，整流电路可以分为单相整流电路和三相整流电路。判断题*对V错30.与门的逻辑函数是Y=A+B。判断题*对错V31.单相不可控整流电路可以调节输出电流的大小。判断题*对错V32.在逻辑电路中,Y=A+BC可以转化为Y=(A+B)(A+C)。判断题*对V错33.在本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是()型掺杂半导体。单选题*A、PVB、NC、MD、S34.晶闸管门极触发电流越大，导通所需的转折电压()。A、大B、小VC、不变D、没有规律35.绝缘栅双极型晶体管的G 极是()。单选题*A、门极B、集电极C、栅极VD、发射极36.下面对整流电路描述正确的是()。单选题*A、改变直流电的大小B、直流电变为交流电C、交流电变为直流电VD、改变交流电的频率、相位37.电流放大系数一般用参数()表示。单选题*A、PVB、ICBO 单选题*C、ICMD、ICEO38.下列不属于晶体三极管的结构区域是（）0 单选题*A、发射区B、集电区C、死区VD、基区39.三极管具有放大作用的内部条件为（）。单选题*A、UbeUceC、Ube=UceD、Ube=040.晶闸管的等效电路可以由（）个二极管串联，或者（）个三极管构成。单选题A、3,4B、3,2VC、2,3D、1,341.AC-DC变换是将交流电变换为直流电,一般称为整流。判断题*对V错42.晶闸管的导通条件是阳极电压大于零、门极电压大于零。判断题*对V错43.对于晶体三极管输出特性曲线中IB=O的曲线以下的部分是截止区。判断题对V错44.在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现。判断题*对V错45.脉冲宽度调频不但改变斩波器的工作频率，而且改变斩波器的导通时间。判断题*对错V46.诸管正向导通时的压降为0.2 0.6Vo 判断题*对错V47.绝缘栅双极型晶体管的G 极是栅极。判断题*对V错48.电力场效应晶体管属于电流型控制元件。判断题*对错V49.可关断晶闸管GTO属于半控型器件。判断题*对错V50.同一支可关断晶闸管的门极开通电流比关断电流大。判断题*对错V51.脉冲宽度宽调频不但改变斩波器的工作频率，而且改变斩波器的导通时间。判断题*对错V52.在本征半导体中掺入5价元素得N型半导体,掺 入3价元素则得P型半导体。判断题*对V错53.实际使用电力晶体管时，必须要有电压电流缓冲保护措施。判断题*对。错54.十进制中12对应十六进制中的数值为（）。单选题*A、AB、BC、CVD、D55.晶闸管从承受正向电压开始到触发脉冲出现之间的电角度成为（）。单选题*A、控制角VB、导通角C、移相D、脉冲56.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流IL在数值大小上有()。单选题A、IL 大于 IHVB、IL 小于IHC、IL 等于IHD、两者大小不一定57.以下电力电子器件中属于全控型器件的是()。单选题*A、晶闸管B、二极管C.IGBTVD、高频晶闸管58.单相半波可控整流电路带电阻负载的移相范围为()。单选题*A、O-TTVB、0-n/2C、0-2nD、O-n/35 9.三极管具有放大作用的内部条件为()。单选题*A、UbeUceC、Ube=UceD、Ube=O60.普通二极管工作时通常要避免工作与().单选题*A、集电区B、反向击穿区VC、基区D、发射区61.对于晶体三极管输出特性曲线中，在饱和区IB对IC的影响较小。判断题*对V错62.晶闸管从承受正向电压开始到触发脉冲出现之间的电角度成为()。单选题*A、控制角VB、导通角C、移相D、脉冲63.变频调速实际上是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变输出转速的目的。判断题对V错64.单相半波可控整流电路所运用的半控器件是()。单选题*A、三极管B、晶体管C、二极管D、晶闸管V65.少数载流子在内电场的作用下有规则的运动称为()。单选题*A、扩散运动VB、漂移运动C、离散运动D、加速运动66.以下选项中哪个能代表门极可关断晶闸管()。单选题*A、IGBTB、GTRC、BJTD、GTOV67.变频调速实际上是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变输出转速的目的。判断题对V错68.对于晶体三极管输出特性曲线中IB=O的曲线以下的部分是截止区。判断题*对V错69.单逆变电路中，同一桥臂上的两个器件交替导通()。单选题*A、90B、150C、180VD、1207 0.周期不变，通过改变导通时间而改变变压比，达到控制输出电压目的的是()。单选题*A、脉冲宽度调制VB、PWH控制技术C、脉冲频率调制D、混合型调制71.十进制中的44转化为二进制为(1 单选题*A、101110B、101100VC、111000D、10111172.通常绝缘栅型双极晶体管在使用时会并联一个逆导器件二极管。对V错73.能够实现将直流电变为交流电的电路是()。单选题*A、整流电路B、逆变电路，C、斩波电路D、变频电路74.逆变电路中，同一桥臂上的两个器件交替导通()。单选题*A、90B、150C、180V 判断题*D、120.