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第2章 晶体管及其放大电路分析 模拟电子技术模拟电子技术第2章 晶体管及其放大电路分析 范立南范立南 恩莉恩莉 代红艳代红艳 李雪飞李雪飞中国水利水电出版社中国水利水电出版社第2章 晶体管及其放大电路分析 第第2章章 晶体管及其放大电路分析晶体管及其放大电路分析2.1 晶体管的基本概念晶体管的基本概念2.2 晶体管放大电路的分析晶体管放大电路的分析2.3 多级放大电路的分析多级放大电路的分析2.4 放大电路的频率特性放大电路的频率特性 第2章 晶体管及其放大电路分析 利用不同的掺杂方式在同一块硅片上，制造出能够形成两个利用不同的掺杂方式在同一块硅片上，制造出能够形成两个PN结的三个掺杂区，就构成了半导体三极管，又称为双极型结的三个掺杂区，就构成了半导体三极管，又称为双极型晶体管（晶体管（BJT，Bipolar Junction Transistor的缩写）、晶的缩写）、晶体三极管，通常简称为晶体管。体三极管，通常简称为晶体管。晶体管按照频率可分为：高频管和低频管；晶体管按照频率可分为：高频管和低频管；按照功率可分为大功率管、中功率管和小功率管；按照功率可分为大功率管、中功率管和小功率管；按照材料可分为硅管和锗管；按照材料可分为硅管和锗管；按照构成晶体管的三个掺杂区的不同，可分为按照构成晶体管的三个掺杂区的不同，可分为NPN型和型和PNP型。型。2.1 晶体管的基本概念晶体管的基本概念2.1.1 晶体管的结构及分类晶体管的结构及分类第2章 晶体管及其放大电路分析 结构示意图和符号分别如图结构示意图和符号分别如图2-1和和2-2所示。所示。(a)结构示意图 (b)符号图2-1 NPN型晶体管的结构示意图及符号 第2章 晶体管及其放大电路分析(a)结构示意图 (b)符号图2-2 PNP型晶体管的结构示意图及符号 第2章 晶体管及其放大电路分析 晶体管的几种常见外形如图晶体管的几种常见外形如图2-3所示。所示。(a)、(b)小功率管 (c)中功率管 (d)大功率管图2-3 晶体管的常见外形第2章 晶体管及其放大电路分析 晶体管的电流放大作用晶体管的电流放大作用1放大的基本概念放大的基本概念放大作用是一种能量控制作用，放大的对象是变化量，能够放大作用是一种能量控制作用，放大的对象是变化量，能够将微小的变化量不失真的放大输出。放大作用是通过放大电将微小的变化量不失真的放大输出。放大作用是通过放大电路来实现的，放大电路的核心元件是晶体管。路来实现的，放大电路的核心元件是晶体管。晶体管具有放大作用所需具备的内部条件：在制造晶体管时晶体管具有放大作用所需具备的内部条件：在制造晶体管时需保证其发射区掺杂浓度高；基区很薄且掺杂浓度低；集电需保证其发射区掺杂浓度高；基区很薄且掺杂浓度低；集电结面积大。结面积大。晶体管具有放大作用所需具备的外部条件：发射结正偏，集晶体管具有放大作用所需具备的外部条件：发射结正偏，集电结反偏。电结反偏。第2章 晶体管及其放大电路分析 基本共射放大电路如图基本共射放大电路如图2-4所示。所示。图2-4 基本共射放大电路 第2章 晶体管及其放大电路分析 2晶体管内部载流子的运动晶体管内部载流子的运动（1）发射区向基区大量注入电子）发射区向基区大量注入电子（2）电子在基区复合和进一步扩散）电子在基区复合和进一步扩散（3）集电区大量收集电子）集电区大量收集电子图2-5 晶体管内部载流子运动示意图 第2章 晶体管及其放大电路分析 2.1.3 晶体管的输入输出特性曲线晶体管的输入输出特性曲线图2-6 基本共射放大电路第2章 晶体管及其放大电路分析 晶体管的输入特性曲线是指当晶体管集晶体管的输入特性曲线是指当晶体管集-射之间电压一定的射之间电压一定的情况下，输入回路的基极电流与基情况下，输入回路的基极电流与基-射电压之间的关系曲射电压之间的关系曲线，可以表示为：线，可以表示为：晶体管的输出特性曲线是指当晶体管基极电流一定的情况晶体管的输出特性曲线是指当晶体管基极电流一定的情况下，输出回路的集电极电流与集下，输出回路的集电极电流与集-射电压之间的关系曲线，射电压之间的关系曲线，可以表示为：可以表示为：第2章 晶体管及其放大电路分析(a)输入特性曲线 (b)输出特性曲线图2-7 晶体管的输入输出特性曲线第2章 晶体管及其放大电路分析 晶体管的输出特性曲线，分为三个工作区：截止区、放大区晶体管的输出特性曲线，分为三个工作区：截止区、放大区和饱和区。和饱和区。（1）截止区：晶体管的发射结处于反偏或者零偏，集电结）截止区：晶体管的发射结处于反偏或者零偏，集电结处于反偏时，该晶体管工作在截止区。处于反偏时，该晶体管工作在截止区。（2）放大区：晶体管的发射结处于正偏，集电结处于反偏）放大区：晶体管的发射结处于正偏，集电结处于反偏时，该晶体管工作在放大区。时，该晶体管工作在放大区。（3）饱和区：晶体管的发射结处于正偏，集电结也处于正）饱和区：晶体管的发射结处于正偏，集电结也处于正偏时，该晶体管工作在饱和区；偏时，该晶体管工作在饱和区；当晶体管的发射结处于正偏，集电结处于零偏时，该晶体管当晶体管的发射结处于正偏，集电结处于零偏时，该晶体管工作在临界饱和状态。工作在临界饱和状态。第2章 晶体管及其放大电路分析【例例2-1】测测得得三三只只晶晶体体管管的的直直流流电电位位如如图图2-8(a)、(b)、(c)所所示，试判断它们的工作状态。示，试判断它们的工作状态。图2-8 例2-1图 第2章 晶体管及其放大电路分析 解：图解：图2-8(a)中发射结正偏，集电结也正偏，所以该管工作中发射结正偏，集电结也正偏，所以该管工作在饱和状态。在饱和状态。图图2-8(b)中发射结正偏集电结反偏，所以该管工作在放大状中发射结正偏集电结反偏，所以该管工作在放大状态。态。图图2-8(c)中晶体管发射结反偏，集电结也反偏，所以该管工中晶体管发射结反偏，集电结也反偏，所以该管工作在截止状态。作在截止状态。第2章 晶体管及其放大电路分析 2.1.4 晶体管的主要参数晶体管的主要参数1晶体管的主要参数晶体管的主要参数（1）电流放大系数）电流放大系数 共射直流电流放大系数共射直流电流放大系数共射交流电流放大系数：共射交流电流放大系数：共基直流电流放大系数：共基直流电流放大系数：共基交流电流放大系数：共基交流电流放大系数：第2章 晶体管及其放大电路分析（2）反向电流）反向电流集集-基反向饱和电流基反向饱和电流 是指发射极是指发射极e开路时，集电结在反开路时，集电结在反向电压作用下，集向电压作用下，集-基之间由少子漂移运动形成的反向饱和基之间由少子漂移运动形成的反向饱和电流。电流。集集-射反向饱和电流射反向饱和电流 是指基极是指基极b开路时，集电极和发射极开路时，集电极和发射极之间的穿透电流。之间的穿透电流。第2章 晶体管及其放大电路分析（3）极限参数）极限参数集电极最大允许电流集电极最大允许电流集电极最大耗散功率集电极最大耗散功率极间反向击穿电压极间反向击穿电压 ：为基极开路时，加在集：为基极开路时，加在集-射之间的反向击穿电压。射之间的反向击穿电压。：为射极开路时，加在集：为射极开路时，加在集-基之间的反向击穿电压。基之间的反向击穿电压。：为集电极开路时，加在射：为集电极开路时，加在射-基之间的反向击穿电压。基之间的反向击穿电压。第2章 晶体管及其放大电路分析 2温度对晶体管参数的影响温度对晶体管参数的影响（1）温度对反向饱和电流的影响：反向饱和电流随着温度）温度对反向饱和电流的影响：反向饱和电流随着温度的升高而增大。的升高而增大。（2）温度对的影响：随着温度的升高，晶体管的输入特性）温度对的影响：随着温度的升高，晶体管的输入特性曲线将左移。曲线将左移。（3）温度对共射电流放大系数的影响：共射电流放大系数）温度对共射电流放大系数的影响：共射电流放大系数随温度的升高而增大，在输出特性曲线上表现为各曲线间的随温度的升高而增大，在输出特性曲线上表现为各曲线间的间隔增大。间隔增大。温度对晶体管上述三个参数的影响，集中体现在使晶体管的温度对晶体管上述三个参数的影响，集中体现在使晶体管的集电极电流的增加上。集电极电流的增加上。第2章 晶体管及其放大电路分析【例【例2-2】已知某单管放大电路中，电源电压为】已知某单管放大电路中，电源电压为25V，现有三，现有三只管子只管子 、，它们的分别为，它们的分别为0.01、0.1、0.05；分别为分别为50V、50V、20V；分别为分别为15、100、100，试问选择哪只管子比较合适。试问选择哪只管子比较合适。解：选择解：选择 管比较合适。管比较合适。第2章 晶体管及其放大电路分析 2.2 晶体管放大电路的分析晶体管放大电路的分析 2.2.1 晶体管放大电路的性能指标晶体管放大电路的性能指标基本共射放大电路如图基本共射放大电路如图2-12所示。所示。图2-12 基本共射放大电路第2章 晶体管及其放大电路分析 共集放大电路如图共集放大电路如图2-13所示所示 图2-13 基本共集放大电路 第2章 晶体管及其放大电路分析 共基放大电路如图共基放大电路如图2-14所示。所示。图2-14 基本共基放大电路第2章 晶体管及其放大电路分析 晶体管放大电路的主要性能指标有：放大倍数、输入电阻、晶体管放大电路的主要性能指标有：放大倍数、输入电阻、输出电阻、非线性失真系数和通频带。输出电阻、非线性失真系数和通频带。（1）放大倍数是用于衡量放大电路放大能力的主要指标。）放大倍数是用于衡量放大电路放大能力的主要指标。通常将输出量与输入量的比值定义为放大倍数，用通常将输出量与输入量的比值定义为放大倍数，用 表示，表示，又称为增益。又称为增益。按照输入量和输出量的不同，放大倍数可分为：按照输入量和输出量的不同，放大倍数可分为：电压放大倍数电压放大倍数 电流放大倍数电流放大倍数互阻放大倍数互阻放大倍数互导放大倍数互导放大倍数第2章 晶体管及其放大电路分析（2）输入电阻）输入电阻输入电阻是用于衡量一个放大电路从信号源获取信号能力大输入电阻是用于衡量一个放大电路从信号源获取信号能力大小的指标。通常将输入电阻定义为输入电压与输入电流之小的指标。通常将输入电阻定义为输入电压与输入电流之比，即从放大电路输入端看进去的等效电阻，记作，即：比，即从放大电路输入端看进去的等效电阻，记作，即：可以根据输入电阻的大小来判断一个放大电路从信号源获取可以根据输入电阻的大小来判断一个放大电路从信号源获取信号的能力。输入电阻越大越好。信号的能力。输入电阻越大越好。第2章 晶体管及其放大电路分析（3）输出电阻）输出电阻输出电阻是用于衡量一个放大电路带负载能力大小的指标。输出电阻是用于衡量一个放大电路带负载能力大小的指标。输出电阻是从放大电路输出端看进去的等效电阻。输出电阻是从放大电路输出端看进去的等效电阻。可以根据输出电阻的大小来判断一个放大电路带负载电阻的可以根据输出电阻的大小来判断一个放大电路带负载电阻的能力。输出电阻越小，带负载能力越强。所以通常希望一个能力。输出电阻越小，带负载能力越强。所以通常希望一个放大电路的输出电阻越小越好。放大电路的输出电阻越小越好。第2章 晶体管及其放大电路分析（4）通频带）通频带通频带是用于衡量一个放大电路对不同频率信号的放大能力通频带是用于衡量一个放大电路对不同频率信号的放大能力的指标。中频时放大倍数最大，低频或高频时放大倍数都会的指标。中频时放大倍数最大，低频或高频时放大倍数都会下降并产生相移。放大电路的放大倍数随频率变化的关系曲下降并产生相移。放大电路的放大倍数随频率变化的关系曲线如图线如图2-16所示。所示。图2-16 放大倍数随频率变化的曲线第2章 晶体管及其放大电路分析（5）非线性失真系数）非线性失真系数非线性失真系数可定义为：非线性失真系数可定义为：（6）最大不失真输出电压）最大不失真输出电压最大不失真输出电压是指输出波形不失真情况下，输出电压最大不失真输出电压是指输出波形不失真情况下，输出电压的最大值，记作的最大值，记作 。（7）最大输出功率和效率）最大输出功率和效率最大输出功率是指输出波形不失真情况下，负载上所获得的最大输出功率是指输出波形不失真情况下，负载上所获得的最大功率，记作最大功率，记作 。效率效率 是指最大输出功率与直流电源提供功率之比。效率是指最大输出功率与直流电源提供功率之比。效率越高，说明在交流输入信号的控制下，能量转换能力就越越高，说明在交流输入信号的控制下，能量转换能力就越强。强。第2章 晶体管及其放大电路分析 2.2.2 晶体管放大电路的图解分析法晶体管放大电路的图解分析法如图如图2-17所示的放大电路中，所示的放大电路中，图2-17 基本共射放大电路 第2章 晶体管及其放大电路分析 图图2-17所示电路的直流通路如图所示电路的直流通路如图2-18所示。所示。图2-18 图2-17所示电路的直流通路第2章 晶体管及其放大电路分析 图图2-17所示电路的交流通路如图所示电路的交流通路如图2-19所示。所示。图2-19图2-17所示电路的交流通路第2章 晶体管及其放大电路分析 晶体管放大电路的分析方法有图解法和微变等效电路法两晶体管放大电路的分析方法有图解法和微变等效电路法两种。所谓图解法是利用晶体管的输入特性曲线、输出特性曲种。所谓图解法是利用晶体管的输入特性曲线、输出特性曲线及放大电路中其它元件的参数，通过作图对放大电路进行线及放大电路中其它元件的参数，通过作图对放大电路进行分析的方法。分析的方法。(a)输入回路 (b)输出回路图2-20图2-17所示电路的图解法分析第2章 晶体管及其放大电路分析 图解法的特点是比较直观，通常适用于输入信号幅度较大、图解法的特点是比较直观，通常适用于输入信号幅度较大、工作频率较低情况电路的分析或进行放大电路的失真情况分工作频率较低情况电路的分析或进行放大电路的失真情况分析。析。静态工作点过高出现饱和失真。消除饱和失真的办法是降低静态工作点过高出现饱和失真。消除饱和失真的办法是降低静态工作点，可以采取增大或者减小等办法来降低静态工作静态工作点，可以采取增大或者减小等办法来降低静态工作点。点。静态工作点过低出现截止失真。消除截止失真的办法是提高静态工作点过低出现截止失真。消除截止失真的办法是提高静态工作点，可以采取减小或者增大等办法来提高静态工作静态工作点，可以采取减小或者增大等办法来提高静态工作点。点。第2章 晶体管及其放大电路分析 2.2.3 晶体管放大电路的等效电路分析法晶体管放大电路的等效电路分析法1晶体管的低频小信号晶体管的低频小信号h参数等效电路参数等效电路现将晶体管看成一个二端口网络，如图所示：现将晶体管看成一个二端口网络，如图所示：第2章 晶体管及其放大电路分析 端电压和电流之间关系可分别表示为：端电压和电流之间关系可分别表示为：简化后的晶体管简化后的晶体管h参数等效电路如图所示参数等效电路如图所示：第2章 晶体管及其放大电路分析 2晶体管的低频小信号晶体管的低频小信号h参数等效电路分析法参数等效电路分析法利用晶体管的低频小信号利用晶体管的低频小信号h参数等效电路对放大电路进行分参数等效电路对放大电路进行分析，通常也称为晶体管的微变等效电路法，分析步骤如下：析，通常也称为晶体管的微变等效电路法，分析步骤如下：（1）求静态工作点）求静态工作点画直流通路；画直流通路；求静态工作点。求静态工作点。（2）求交流性能）求交流性能画交流通路；画交流通路；画交流等效电路；画交流等效电路；求交流性能。求交流性能。第2章 晶体管及其放大电路分析 下面用微变等效电路法分析下图所示电路：下面用微变等效电路法分析下图所示电路：第2章 晶体管及其放大电路分析（1）求静态工作点）求静态工作点画直流通路。画直流通路。第2章 晶体管及其放大电路分析 求静态工作点。求静态工作点。第2章 晶体管及其放大电路分析（2）求交流性能）求交流性能画交流通路。画交流通路。第2章 晶体管及其放大电路分析 画交流等效电路。画交流等效电路。第2章 晶体管及其放大电路分析 求交流性能。求交流性能。电压放大倍数为：电压放大倍数为：输入电阻为：输入电阻为：输出电阻为：输出电阻为：第2章 晶体管及其放大电路分析 例：阻容耦合放大电路如图示，已知例：阻容耦合放大电路如图示，已知 ，试求：（试求：（1）静态工作点；（）静态工作点；（2）交流性能）交流性能 、和和 。第2章 晶体管及其放大电路分析 解：（解：（1）求静态工作点）求静态工作点画直流通路画直流通路 第2章 晶体管及其放大电路分析 求静态工作点。求静态工作点。第2章 晶体管及其放大电路分析（2）求交流性能）求交流性能画交流通路画交流通路 第2章 晶体管及其放大电路分析 画交流等效电路画交流等效电路 第2章 晶体管及其放大电路分析 求交流性能求交流性能 第2章 晶体管及其放大电路分析 2.2.4 静态工作点稳定放大电路静态工作点稳定放大电路 第2章 晶体管及其放大电路分析（1）求静态工作点）求静态工作点画直流通路画直流通路 第2章 晶体管及其放大电路分析 求静态工作点。求静态工作点。第2章 晶体管及其放大电路分析（2）求交流性能）求交流性能画交流通路画交流通路 第2章 晶体管及其放大电路分析 画交流等效电路画交流等效电路 第2章 晶体管及其放大电路分析 求交流性能。求交流性能。电压放大倍数为：电压放大倍数为：输入电阻为：输入电阻为：输出电阻为：输出电阻为：第2章 晶体管及其放大电路分析 2.2.5 基本共集放大电路的分析基本共集放大电路的分析第2章 晶体管及其放大电路分析（1）求静态工作点）求静态工作点画直流通路画直流通路 第2章 晶体管及其放大电路分析 求静态工作点。求静态工作点。第2章 晶体管及其放大电路分析（2）求交流性能）求交流性能画交流通路画交流通路 第2章 晶体管及其放大电路分析 画交流等效电路画交流等效电路 第2章 晶体管及其放大电路分析 求交流性能。求交流性能。电压放大倍数为：电压放大倍数为：输入电阻为：输入电阻为：输出电阻为：输出电阻为：第2章 晶体管及其放大电路分析 2.2.6 基本共基放大电路的分析基本共基放大电路的分析第2章 晶体管及其放大电路分析（1）求静态工作点）求静态工作点画直流通路画直流通路 第2章 晶体管及其放大电路分析 求静态工作点。求静态工作点。第2章 晶体管及其放大电路分析（2）求交流性能）求交流性能画交流通路画交流通路 第2章 晶体管及其放大电路分析 画交流等效电路画交流等效电路 第2章 晶体管及其放大电路分析 求交流性能。求交流性能。电压放大倍数为：电压放大倍数为：输入电阻为：输入电阻为：输出电阻为：输出电阻为：第2章 晶体管及其放大电路分析 2.3 多级放大电路的分析多级放大电路的分析多级放大电路中，每个单级放大电路称为一级，各个单级放多级放大电路中，每个单级放大电路称为一级，各个单级放大电路之间的连接方式，称为耦合方式。大电路之间的连接方式，称为耦合方式。常见的耦合方式有：直接耦合、阻容耦合和变压器耦合等。常见的耦合方式有：直接耦合、阻容耦合和变压器耦合等。直接耦合方式是将前一级放大电路的输出端直接送到后一级直接耦合方式是将前一级放大电路的输出端直接送到后一级放大电路的输入端的连接方式，如图示放大电路的输入端的连接方式，如图示 ：第2章 晶体管及其放大电路分析 直接耦合放大电路的特点是：直接耦合放大电路的特点是：（1）各各级级的的静静态态工工作作点点不不独独立立，使使得得各各级级的的静静态态工工作作点点相相互影响，不便于进行电路的分析、设计和调试；互影响，不便于进行电路的分析、设计和调试；（2）直直接接耦耦合合多多级级放放大大电电路路中中，由由于于信信号号的的传传送送不不经经过过电电抗抗元元件件，所所以以频频率率特特性性好好，可可以以放放大大低低频频信信号号或或直直流流信信号号，且且容容易易集集成成。集集成成运运放放中中各各级级放放大大电电路路之之间间都都是是直直接接耦耦合合方式；方式；（3）直接耦合放大电路存在着零点漂移现象。）直接耦合放大电路存在着零点漂移现象。第2章 晶体管及其放大电路分析 阻容耦合方式是将前一级放大电路的输出端通过电容接到后阻容耦合方式是将前一级放大电路的输出端通过电容接到后一级放大电路的输入端的连接方式。这个电容称为耦合电一级放大电路的输入端的连接方式。这个电容称为耦合电容，如图示。容，如图示。第2章 晶体管及其放大电路分析 阻容耦合放大电路的特点是：阻容耦合放大电路的特点是：（1）阻容耦合多级放大电路中，各级直流通路之间是不连）阻容耦合多级放大电路中，各级直流通路之间是不连通的，因此各级的静态工作点独立。通的，因此各级的静态工作点独立。（2）阻容耦合多级放大电路的低频特性差，不能放大变化）阻容耦合多级放大电路的低频特性差，不能放大变化缓慢的信号。缓慢的信号。（3）由于大电容不容易制作，所以阻容耦合方式不便于集）由于大电容不容易制作，所以阻容耦合方式不便于集成。成。第2章 晶体管及其放大电路分析 变压器耦合方式是将前一级放大电路的输出端通过变压器接变压器耦合方式是将前一级放大电路的输出端通过变压器接到后一级放大电路的输入端或直接接负载电阻的连接方式，到后一级放大电路的输入端或直接接负载电阻的连接方式，如图所示。如图所示。第2章 晶体管及其放大电路分析 变压器耦合放大电路的特点是：变压器耦合放大电路的特点是：（1）变变压压器器耦耦合合多多级级放放大大电电路路中中，各各级级直直流流通通路路之之间间是是不不连连通通的的，因因此此各各级级的的静静态态工工作作点点独独立立，便便于于分分析析、设设计计和和调试；调试；（2）变变压压器器耦耦合合多多级级放放大大电电路路的的低低频频特特性性差差，不不能能放放大大变变化缓慢的信号；化缓慢的信号；（3）由由于于变变压压器器具具有有阻阻抗抗变变换换作作用用，能能够够实实现现阻阻抗抗匹匹配配、获得最大输出功率。获得最大输出功率。（4）由由于于变变压压器器的的体体积积和和重重量量都都很很大大，所所以以变变压压器器耦耦合合多多级放大电路不便于集成。级放大电路不便于集成。第2章 晶体管及其放大电路分析 多级放大电路的动态性能多级放大电路的动态性能：第2章 晶体管及其放大电路分析 2.4 放大电路的频率特性放大电路的频率特性放大电路的电压放大倍数与输入信号频率之间的函数关系称放大电路的电压放大倍数与输入信号频率之间的函数关系称为频率特性，或称为频率响应。为频率特性，或称为频率响应。电压放大倍数的幅值随频率变化的关系，称为幅频特性；电压放大倍数的幅值随频率变化的关系，称为幅频特性；电压放大倍数的相位随频率变化的关系，称为相频特性。电压放大倍数的相位随频率变化的关系，称为相频特性。幅频特性和相频特性统称为频率特性。幅频特性和相频特性统称为频率特性。第2章 晶体管及其放大电路分析 晶体管的晶体管的简简化混合化混合 模型模型第2章 晶体管及其放大电路分析 第2章 晶体管及其放大电路分析 单管放大电路的频率特性曲线：单管放大电路的频率特性曲线：第2章 晶体管及其放大电路分析 晶晶体体管管放放大大电电路路对对不不同同频频率率信信号号的的放放大大能能力力不不同同，只只有有在在中中频频某某段段频频率率范范围围内内，电电压压放放大大倍倍数数最最大大且且恒恒定定不不变变，此此时时的电压放大倍数称为中频电压放大倍数。的电压放大倍数称为中频电压放大倍数。随随着着输输入入信信号号频频率率的的减减小小，电电压压放放大大倍倍数数下下降降到到中中频频电电压压放放大倍数的大倍数的0.707倍时所对应的频率称为下限截止频率，倍时所对应的频率称为下限截止频率，随随着着输输入入信信号号频频率率的的增增加加，电电压压放放大大倍倍数数下下降降到到中中频频电电压压放放大倍数的大倍数的0.707倍时所对应的频率称为上限截止频率。倍时所对应的频率称为上限截止频率。第2章 晶体管及其放大电路分析 低频段：频率低于下限截止频率的部分；低频段：频率低于下限截止频率的部分；高频段：频率高于上限截止频率的部分；高频段：频率高于上限截止频率的部分；通频带：位于下限截止频率与上限截止频率之间的部分。通通频带：位于下限截止频率与上限截止频率之间的部分。通频带是用于衡量一个放大电路对不同频率信号放大能力的指频带是用于衡量一个放大电路对不同频率信号放大能力的指标。通频带越宽，表示放大电路所能放大的信号频率的范围标。通频带越宽，表示放大电路所能放大的信号频率的范围越宽。越宽。第2章 晶体管及其放大电路分析 对于多级放大电路的频率特性来说，有如下结论：对于多级放大电路的频率特性来说，有如下结论：（1）多多级级放放大大电电路路的的下下限限截截止止频频率率高高于于构构成成它它的的各各级级放放大大电路的下限截止频率；电路的下限截止频率；（2）多多级级放放大大电电路路的的上上限限截截止止频频率率低低于于构构成成它它的的各各级级放放大大电路的上限截止频率；电路的上限截止频率；（3）多多级级放放大大电电路路的的通通频频带带比比构构成成它它的的各各级级放放大大电电路路的的通通频带都窄。频带都窄。