晶体管电路的应用教材25414.ppt
模块三 晶体管电路的应用 任务一 认识晶体管及特性单元目标：熟悉晶体管的结构和符号表达；掌握晶体管的输入输出特性；掌握汽车晶体管的型号命名；熟练掌握晶体管的简易测试方法 活动一 认识晶体管的结构和符号晶体管类似于两个背靠背连接的二极管，通过图1-21 的实物形状请你想一想怎样把两个PN 结画在一起。图1-21 晶体管 图1-22 晶体管结构和符号 知识链接晶体管也称为晶体三极管，是电子电路中最重要的器件。它最王要的功能是电流放大和开关作用，配合其他元件还可以构成振荡器等。三极管由两个PN 结构成，具有3 个电极。共用的一个电极为三极管的基极(用字母b 表示)，其他的两个电极为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e 表示)。由于不同的组合方式，形成了一种是NPN 型的三极管，一种是PNP 型的三极管。三极管的符号中有一个箭头的电极是发射极，箭头朝外的是NPN 型三极管，而箭头朝内的是PNP 型。实际上箭头所指的方向就是电流的方向，如图1-22 所示。三极管的种类很多，并且不同型号各有不同的用途。例如，按工作频率分有低频、中频、高频、超高频；按功率分有小功率、中功率、大功率等；按材料分有硅管、锗管；接工艺分有平面型、台金型等；按封装分有塑料封装、金属封装等；按载流子数目分有双极型、单极型等。活动二 认识晶体管的特性和基本工作原理 图1-23 晶体管的特性 晶体管和二极管工作时一样，是由N 型材料提供自由电子、P 型材料提供空穴从而来传导电流。基极控制决定了晶体管的通断，如图1-23 所示，控制电流类似于水龙头工作方式控制主要电路。在基极上施加合适的电压和正确的极性时才能传导电流。三极管的基极和发射极之间有一个小电流流通时，主要的电路电流将穿过晶体管的另外两个部分：发射极e 和集电极c，将三极管接通，使得一个较大的电流可以从集电极流向发射极。如果基极电流被断开，那么从集电极到发射极的电流也将被断开。控制基极的电流称为控制电流，控制电流须高于一定值才能断开或者接通晶体管。控制电压又叫门电压，对锗二极管必高于0 3 V，硅二极管必须高于0 6 V。晶体管这时的作用就象开关一样，因此称之为晶体管的开关作用。晶体管以微小电流流过基极，控制较大电流导通发射极和集电极，好像把电流放大的作用，我们称之为晶体管的放大作用。大多数的晶体管都具有放大功能，例如，在一个PNP 晶体管里，如果基极电压高于发射极电压(大概O 6 v 或者更多)，电流将从集电极流向发射极。然而，随着基极电流的增加，从集电极到发射极的电流也会相应增加直到达到一个饱和点。基极到发射极的电流和集电极到发射极电流之间的比率称为晶体管增益，用希腊字母 来表示，增益()=ICE IBEICE 集电极到发射极电流 IBE 基极到发射极电流。若基极到发射极电流是49A，集电极到发射极电流是7.4mA，那么晶体管增益是=0.0074/0.000049=151,即流经晶体管集电极和发射极的电流是流经晶体管基极电流的100 200 倍。知识链接晶体管的特性曲线 图1-24 晶体管特性曲线 晶体管的特性曲线是描绘晶体管各电极电压和电流之间关系的曲线，是晶体管内部性能的外部表现。典型晶体管的特性曲线如图1-24 所示。(1)输入特性曲线输入特性曲线是指集一射极间的电压为常UCE 数时，输入回路中基极电流如与加在基一射极间的电压UBE 之间的关系曲线，如图1-24(a)所示，其特点如下：当UCE=0 时，晶体管的输入特性曲线与二极管的正向伏安特性曲线相似，iB 与UBE 之比也是非线性关系。当UBE=1V 时，曲线右移。可见，UBE 对iB 有一定的影响。当UCE1V 时，其曲线与UCE=1 V 时的曲线很接近，因此一般用UCE=1 V 时的输入特性曲线代替UCEl V 时的特性曲线。晶体管的输入特性曲线与二极管伏安特性曲线一样，也有导通电压(硅管约0.5 V，锗管约0.2 V)，只有UBE 大于导通电压时晶体管中才会出现iB。当硅管的UBE 接近0 7 V，锗管的UBE 接近0.3 V 时，电压稍有增高，电流就会增大很多。为避免UBE 过大导致iB剧增而损坏管子,所以常在输入回路中串接限流电阻。(2)输出特性曲线 输出特性曲线是指基极电流如为常数时，输出电路中集电极电流iC 与集-射极间电压UCE 之间的关系曲线，如图1-24(b)所示。输出特性曲线是一组曲线簇，晶体管有三个不同的工作区。1)截止区 iB=O 曲线以下的区域(阴影部分)称为截止区。该区域的主要特点是：iB=0、iC=iCEO(穿透电流)，UCE=UCC(RC 上无压降)，相当于集-射极间断开。实验证明：当晶体管的发射结反偏或零偏时,管子就截止，即处于截止状态。2)饱和区 曲线左侧的阴影部分，即iC 近于直线上升的区域称为饱和区。该区域的主要特点是iC。不随iB 的增大而增大，只取决于RC 和UCC 的大小，即ic=UCC/RC。饱和时管子呈低阻状态，UCE 很小(小于1 V)，集-射极间相当于短路。实验证明：当晶体管的发射结和集电结都处于正偏时，管子就工作在饱和区，即处于饱和状态。3)放大区 iB=0 的那条曲线以上的各条曲线间隔均匀，此区域称为放大区(也称线 性区)。该区的特点是：当iB 增大时，相应的iC 也增大，而与UCE 基本无关，而且iC 比iB 的增加大得多。实验证明：当晶体管发射结正偏、集电结反偏时，管子就工作在放大区，即处于放大状态。活动三 晶体管电路的简易测试晶体管的质量、性能、类型及管脚判别，可用万用表的电阻挡进行简易测试。请你根据下面的示意图1-25 来测试晶体三极管 图1-25 晶体管极性判别 1 管脚和类型判别(1)确定基极和类型用万用表的两根表棒分别对晶体管的三个管脚中的任意两个进行正接测量和反接测量各一次，如果在正、反接时测得的电阻均较大，则此次测量中所空下的管脚即为基极。因为不论是NPN 还是PNP 型晶体管，都可以把它们的发射结和集电结等效为两个背靠背连接的二极管，当万用表的一根表棒和基极相接而另一表棒和其他任一极相接时，则在正、反接的过程中总有一次测得的是二极管的正向电阻，其值很小。当万用表的两根表棒和集电极及发射极相接时，不论是正接还是反接，总是一个正向电阻和一个反向电阻相串联，其阻值必然远大于一般二极管的正向电阻。当基极判定后，可用黑表棒(表内电池的正极)接到基极，用红表棒(表内电池的负极)分别和另外两个极相接，若测得的两个阻值都很小，则为NPN 型管；反之则为PNP 型管。(2)集电极和发射极的判断在基极判定之后，可把其余两个管脚中的任一个假定为集电极。通过一个100 k 的电阻把假定的集电极和已测得的基极接通，如果是NPN 型晶体管，则以万用表的黑表棒接到假定的集电极；红表棒接到假定的发射极(见图1-26)，这时从万用表上读出一个阻值。而后把第一次测量中所假定的集电极和发射极互换，把万用表的黑表棒接到第二次所假定的集电极上，进行第二次测量。在两次测量中，测得阻值小的那一次与黑表棒相接的极便是集电极,图5-24 可以清楚地说明上述关系。在图1-26a 中因为有基极电流IB，所以IC较大，晶体管呈现的电阻小，这时假定的集电极是正确的。而在图1-26b 中，因晶体管不能导通，故呈现的阻值较大，此时所假定的集电极实际上是发射极。图 1-26 晶体管极性测试 2 管子好坏的粗略判别 根据晶体管内PN 结的单向导电性，可以判别测量B、E 极间和B、C 极间PN 结的正、反向电阻。如果正、反向电阻相差较大，说明管子基本上是好的。如果正、反向电阻都很大，说明管子内部有断路；如果正、反向电阻都很小或为零，说明管子极间短路或击穿。任务二 晶闸管的结构和特点单元目标：熟悉晶闸管的结构和符号表达；掌握晶闸管的特性；学会晶闸管的简单测试方法 活动一 认识晶闸管的结构和符号 图 1-27 晶闸管 如图1-27 有一种类似于三极管的半导体元件，我们称之为晶闸管。晶闸管过去称可控硅，全称为晶体闸流管，是一种“以小控大”的功率(电流)型器件。晶闸管能像闸门一样，控制大电流的流通而由此得名。晶闸管看似两个头尾相连的二极管组成，是由PNPN 四层半导体构成的元件。它有三个电极，阳极A，阴极K 和控制极G。请你通过以上图片和文字描述，试着画一下晶闸管的结构和符号。晶闸管结构和符号如图1-28 所示。图 1-28 晶闸管结构和符号 小帖示晶闸管在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，并且不象继电器那样控制时有火花产生，具有体积小、重量轻、功耗低、效率高、寿命长、可靠性好及使用方便等优点，应用领域十分广泛，在家电、电子测量、工业自动化设备中都可见到它们。现在许多初级电子制作，如交流无触点开关、调光、调速、调压、控温、控湿及稳压等也采用了晶闸管。晶闸管按特性分类可分为单向的和双向的，单向的有MCR-100 等，双向的有TLC336 等。
