介质滤波器之一精.ppt
介质滤波器之一第1页，本讲稿共20页序言 在过去的10多年里用于制作介质谐振器和介质滤波器的高介电常数介质材料有了令人瞩目进展。在材料的介电常数、损耗和温度稳定性等方面都有了很大提高。同时，价格也不断降低。所以，介质谐振器、介质滤波器和介质天线被广泛应用于通讯、雷达和导航等领域。在基站用滤波器领域，同轴谐振腔滤波器的统治地位正受到来于自介质滤波器的挑战。2004年，Raafat R.Mansour在IEEE Microwave Magazine上撰文预测，在未来5年之内，介质滤波器将会占有基站滤波器市场很大的份额。因此，重视基站用介质滤波器技术的发展，掌握基站用滤波器设计与制作技术是非常重要的。第2页，本讲稿共20页什么是高介电常数微波介质材料？高介电常数微波介质材料实质上是一种陶瓷材料。在国外，七十年代以前被称为特种陶瓷。早在1939年R.D.Rechtmeyer就做出了介质谐振器。开始，主要使用金红石（TiO2）陶瓷制作介质滤波器。但是，TiO2的温漂很大达到500PPm/Co。用这种材料制作的滤波器在X波段温漂可达到4MHz/Co。这对微波介质材料的使用有很大的限制。在80年代，微波介质材料的生产技术有了很大的发展。出现了多种新型微波陶瓷材料，特别是钡-钽系陶瓷材料的出现，使微波介质陶瓷进入了实用阶段。这种陶瓷材料的介电常数可以达到35，温漂小于2PPm/Co。Q值达到15000。用这种陶瓷材料制成的介质谐振器温度稳定性可以达到殷钢腔体的水平。此后，微波陶瓷材料才进入实际使用阶段。在卫星通讯、雷达和蜂窝电话系统中得到广泛使用。第3页，本讲稿共20页微波介质材料的主要特性介质材料的三要素：1、介电常数基站用：手机用：2、温度系数3、损耗或品质因数Q介电常数的温度系数介质材料的线膨胀系数第4页，本讲稿共20页基站用介质滤波器对介质材料的要求高介电常数，介电常数越大，谐振器的体积就可以做小。通常要求介电常数大于30为佳。高Q值，一般Q值大于3000以上。低温漂，温度系数小振荡频率比较稳定。一般要求 为宜。第5页，本讲稿共20页目前一些常用高介电常数微波介质材料的特性第6页，本讲稿共20页通讯领域微波高介电常数介质材料的发展史在手机技术发展的初期，殷钢空气填充谐振腔被用于基站和手持系统的谐振器和滤波器。这些谐振器和滤波器体积大又笨重。在1980前后，用(Mg,Ca)TiO3,ZrTiO4,和 BaTi4O9 制作的第一代介质谐振器开始取代基站系统中使用的空气填充的谐振器和滤波器。在上世纪90年代初期，用于基站和手机的介质材料开始发生分裂。基站需要的是高Q 值的介质材料。通常，Q值在40 000Qf0250 000,材料的相对介电常数50r25。与基站用介质材料不同的是手机用介质材料被小型化主导。材料的介电常数达到 70r6 000 000；r=3740 40，7 GHz 7 GHz，Q7 000 000；r=33 3336 36，10 GHz 10 GHz，Q10 000 000；r=2931 31，l0 GHz GHz，Q12000 12000；r=2729 29，10 GHz 10 GHz，Q15000 15000；r=2425 25，10 GHz 10 GHz，Q20 000 000；r=2324 24，10 GHz 10 GHz，Q35 000 000；r=6 6406，7 GHz 7 GHz，Q2 000 000：r=21.4 21.41，7 GHz 7 GHz，Q2 000 000；r=92 921，1 GHz 1 GHz，Q550。第11页，本讲稿共20页德国 EPCOS(S+M)公司部分产品性能 r=217 GHz Q7 200，镁-钙系列陶瓷（MgTiO3-CaTiO3），r =387 GHz Q6 300，锆-锡系列陶瓷（(Zr,Sn)TiO Zr），r=2910 GHz Q9 500，钡系陶瓷（Ba(Zr,Zn,Za)O3），r=882.3 GHz Q2 300，BaO-PbO-Nd2O3-TiO2.第12页，本讲稿共20页美国 Trans Tech 公司部分产品性能 r=29.030.7 2 GHz Q50 000，r=34.636.7 2 GHz Q35 000，r=44.746.2 4.36 GHz Q9 500，r=35.036.5 4.5 GHz Q9 500，r=27.630.6 10 GHz a10 000.介质谐振器频率覆盖 800 MHz40 GHz 系列化，f=(1或 2)PPm/Co。第13页，本讲稿共20页英国 Morgan Electro Ceramics 公司 覆盖 600 MHz25GHz r=20,12 GHz,Q=6,000，(Mg Ca Ti系列)：r=30，10GHz，Q=12,600，(Ba Zn Ti 系列)：r=37，9 GHz，Q=5,800,(Zr Sn Ti 系列)：r=43，2 GHz，Q=20,000，r=77，5GHz，Q=10,000，r=88 5GHz Q=1,100,(Ba Nd Ti 系列)：第14页，本讲稿共20页国内微波陶瓷材料的主要生产厂商浙江正原电气股份有限公司、潮州三环(集团)股份有限公司、景华电子有限责任公司(999厂)、苏州捷嘉电子有限公司、浙江嘉康电子有限公司、福建南安讯通电子公司等，在技术水平、产品品种和生产规模上与国外相比有较大差距。第15页，本讲稿共20页国内微波陶瓷的主要研究单位上海大学 天津大学、上海同济大学、华 中科技大学、浙江大学、厦门大学承担了 国家 863 计划中相应课题，并取得了一定 成果。电子科技大学、清华大学、华南工学院、哈尔滨工业大学、兰州大学、西安交通大 学、北京科技大学、电子 13 所、电子9所和 中科院上海硅酸盐研究所等也对微波介质 陶瓷材料及元器件进行了研究。第16页，本讲稿共20页国产微波陶瓷材料的技术参数=82=821，QF8000GH Z，f=05ppm/，(用于移动电话 GPS)；=91=1，QF5000GHZ，f 5000GHZ，f100，QF3600GHZ，f 35 1，QF80000GHZ,f=0 5ppm/，（用于卫星通讯和移动电话基站）；=251，QF150000GHZ，f=0 5ppm/，（用于卫星通讯）。第17页，本讲稿共20页天津大学 r=24，(BaMg 1/3 Ta 2/3 O3系统）12.44mmx5.39mm 7.4652 GHz，Qf=172,000 频率温度系数 f=+4.80PPm/r=23，(Mg2TiO4 系统)12.74 mmx5.88 mm 7.2297 GHz，Qf=69,000 GHz 频率温度系数 f=+13,6 PPm/6。第18页，本讲稿共20页上海大学r=30，10 GHz，Qf 100,000 GHz；r=38，10 GHz，Qf 60,000GHz；r=80，3GHz，Qf 8,000 GHz；r=90，1 GHz，Qf 5 000 GHz；新开发 r=25，33和40 等三种微波介质陶瓷。第19页，本讲稿共20页电子科技大学r=24(BaMg1/3Ta2/303系统），Qf120 000 GHzr=30(Ba Zn Ta 系统)，r=80(Ba Nd Ti 系统)。第20页，本讲稿共20页
