光通讯基础知识讲座精.ppt

光通讯基础知识讲座第1 页，本讲稿共28 页内容提要：1.通讯光纤2.半导体激光器3.半导体探测器4.半导体器件的安全使用发射机接收机LD PD FIBER FIBEREDFA第2 页，本讲稿共28 页武汉*光谷创造的十个国内第一：1.第一米光纤2.第一根光缆3.第一只实用化半导体激光器3.第一只实用化半导体探测器4.第一台光端机6.第一条光通讯实验系统（8M）7.第一条多模长距离光通讯系统（34M）8.第一条单模长距离光通讯系统（155M）9.第一只半导体放大器10.第一只AlGaInAs BH LD第3 页，本讲稿共28 页光纤*激光器*探测器（dB/Km)光存储光医疗光放大光通讯第4 页，本讲稿共28 页 光纤分类光纤多模（50/125；0.2)单模(9/125;0.11)第5 页，本讲稿共28 页 光纤基本参数1.数值孔径:NA2.传输损耗:=吸+散+L3.传输色散:D=DM+DW第6 页，本讲稿共28 页 半导体激光器半导体激光器的优点：1.光电转换效率高2.波长覆盖范围宽3.工作寿命长4.体积小，重量轻第7 页，本讲稿共28 页 LDFPDFBRWGBHRWGBHInGaAsP/InPAlGaInAs/InPInGaAsP/InPInGaAsP/InP/AlInAsInGaAsP/InPAlGaInAs/InPAlGaInAs/InPInGaAsP/InP/AlInAsInGaAsP/InP激光器分类1310nm1550nm第8 页，本讲稿共28 页两种结构的剖析EO RWG DC-PBH第9 页，本讲稿共28 页半导体激光器的基本特性(纵模)DFB-LD FP-LD第10 页，本讲稿共28 页DFB LD 的光栅第1 1 页，本讲稿共28 页半导体激光器的基本特性(P-I-V-T)P-I-V P-I-T第12 页，本讲稿共28 页DFB激光器的基本特性(-I)第13 页，本讲稿共28 页 老化时间编号Ith（mA）Po(mW)编号Ith（mA）Po(mW)Po(mW)Ith+20 mA Ith+20 mA 25mA0h14.8 5.7425 5.54 5.542h5 5.94 5.2 5.82 5.7718h5.2 5.77 5.4 5.47 5.3884h5.2 5.74 5.4 5.47 5.37108h5.4 5.81 5.4 5.45 5.36132h5.2 5.78 5.4 5.5 5.41174h5.2 5.82 5.4 5.55 5.45240h5.2 5.8 5.4 5.52 5.42288h5.2 5.85 5.4 5.55 5.46332h5.2 5.76 5.4 5.48 5.39421h5.2 5.93 5.4 5.61 5.51器件性能(老化特性）第14 页，本讲稿共28 页探测器的种类PD可见光长波长平面台面InGaAs/InPPIN光电二极管第15 页，本讲稿共28 页PD的内部结构OE第16 页，本讲稿共28 页PD的主要光电参数1.响应度:R/h对于设计良好的光电二极管效率可达100%。响应度与波长成正比。第17 页，本讲稿共28 页PD的主要光电参数2.响应时间：光电二极管的响应时间与载流子渡越速度和扩散速度有关。由于带宽参数要求很薄的耗尽区，同时响应度又意味着耗尽区要足够宽以便吸收最多的光能，因此同时优化响应度和响应速度时，会经常出现冲突。第18 页，本讲稿共28 页PD的主要光电参数3.线性度在宽功率和频率范围，保持良好的线性，是模拟通信：CATV和CDMA对探测器的基本要求。4.灵敏度信噪比灵敏度用来衡量探测器检测小功率信号能力的参数。灵敏度与信噪比有关，而信噪比又受响应度和电路噪声的影响。第19 页，本讲稿共28 页半导体器件加工设备MOCVD第20 页，本讲稿共28 页半导体器件加工设备光刻机第21 页，本讲稿共28 页半导体器件加工设备RIE/PECVD第22 页，本讲稿共28 页半导体器件加工设备溅射机第23 页，本讲稿共28 页半导体器件加工设备封帽机第24 页，本讲稿共28 页LD TO 的内部结构第25 页，本讲稿共28 页LD工艺流程（BH-DFB）1MOCVD光栅 2MOCVD 1光刻3MOCVD1RIEPECVD2腐蚀4MOCVD 2光刻 3腐蚀 PECVD 3光刻4腐蚀 4光刻 1溅射LIFT/OFF 减薄2溅射1检测划片镀膜 2检测划片贴片 金丝焊3检测4老化封帽5检测LD-TO-CAN检测第26 页，本讲稿共28 页半导体器件的安全使用常识1.关于正向浪涌2.静电对半导体器件的影响3.半导体激光对人身安全的影响第27 页，本讲稿共28 页产品编码产品编码规则第28 页，本讲稿共28 页