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光器件基础知识培训光器件基础知识3.1960年 世界上第一台激光器研制成功4.1970年 第一根低损耗光纤（20dB/Km）研制成功（美国康宁公司）；美国贝尔实验室成功研制能在室温条件下连续工作的半导体激光器5.1974年 美国贝尔实验室成功研制出损耗为1dB/Km的光纤（化学气相沉积法（MCVD）26.1976年日本电话电报公司研制出损耗更低的光纤（0.5dB/Km）7.20世纪70年代末期光纤通信系统实现第一次业务运营 8.20世纪80年代后期 光纤损耗已经降低到0.16dB/Km 9.1988年 第一条跨大西洋光缆投入运营 光器件基础知识3光器件基础知识1.2 光纤通信的主要优点 1.通信容量大 光纤的可用带宽较大，一般在10GHz以上；而金属电缆存在的分布电容和分布电感实际上起到了低通滤波器的作用，限制了电缆的传输频率、带宽以及信息承载能力。2.传输距离长 光缆的传输损耗比电缆低，因而可传输更长的距离。43.抗电磁干扰 光纤通信系统避免了电缆由于相互靠近而引起的电磁干扰。光纤的材料是玻璃或塑料，都不导电，因而不会产生磁场，也就不存在相互间的电磁干扰。4.抗噪声干扰光纤不导电的特性还避免了光缆受到闪电、电机、荧光灯及其他电器源的电磁干扰（EMI），外部的电噪声也不影响光频的传输能力。此外，光缆不辐射射频（RF）能量的特性也使它不会干扰其他通信系统。（所以现已广泛应用于军事上）5.适应环境光纤对恶劣环境有较强的抵抗能力。它比金属电缆更能适应温度的变化，腐蚀性的液体或气体对其影响也较小。6.重量轻、安全、易敷设 光器件基础知识5光器件基础知识7.保密光纤不向外辐射能量，很难用金属感应器对光缆进行窃听。8.寿命长 1.3 光纤通信系统的基本组成与发展概况 基本组成光发送机、光接收机、光纤（光缆）和各种耦合器件 6光器件基础知识以点到点的光纤通信系统为例 7发展概况 光器件基础知识 第1代光纤通信系统20世纪70年代末大量投入运营，由0.85m的光源和多模光纤构成。第2代光纤通信系统20世纪80年代初，采用1.3m的半导体发光二极管或激光二极管作为光源，再加上多模光纤。第3代光纤通信系统自20世纪80年代后期以来，采用1.55m作为工作波长，以色散位移光纤作为传输媒介。第4代光纤通信系统采用波分复用（WDM）技术，现已开始投入运营。8大家学习辛苦了，还是要坚持继续保持安静继续保持安静9光器件基础知识 第5代光纤通信系统基于光纤非线性压缩抵消光纤色散展宽的新概念产生的光孤子研究，经过20多年的研究发展，有了突破性进展。光纤通信系统虽然经历了5代的发展，但目前应用最为广泛的不外乎两种系统结构：1.点到点的直接强度调制/直接检测（IM/DD）系统（根据传输信号的性质不同，又可分为数字光纤通信系统和模拟光纤通信系统两种）；2.波分复用（WDM）光纤通信系统。10第二章 半导体物理基础知识简介 光器件基础知识2.1 原子的能级结构 原子由原子核和核外电子组成。原子核带正电，电子带负电。原子核所带的正电与核外电子所带的负电的总和相等。因此，整个原子呈电中性。电子在原子中的运动轨道是量子化的。（轨道的量子化是指原子中的电子以一定的几率出现在各处，即原子中的电子只能在各个特定轨道上运行，不能具有任意轨道；电子的能量不能取任意值，而是具有确定的量子化的某些离散值，是不连续的。这些分立的能量值叫做原子的能级）原子结构模型图 11粒子分立能级示意图 当原子中电子的能量最小时，整个原子的能量最低，这个原子处于稳态，称为“基态”；当原子处于比基态高的能级时，称为“激发态”。通常情况下，大部分原子处于基态，只有少数原子被激发到高能级，而且，能级越高，处于该能级上的原子数越少。光器件基础知识122.2 固体的能带结构 光器件基础知识1.电子的共有化：在正常状态下，原子中的电子并不能都处于最低能级上。因为泡利不相容原理指出，每一能级上至多只能有两个电子，而且它们的自旋方向还必须相反。能量愈高，相邻能级的间隔就越小，电子从下一能级过渡到上一能级也就越方便。当电子从原子中挣脱出来，而进入离子化状态后，这时能量已没有一级一级的差别，而在能量图上形成一个能量连续的区域，这时电子可以自由运动，所以称为自由电子。13 电子的共有化是一种量子效应而非古典的性质由于原子离得很近，每个电子不仅受到本身原子核的作用，还受到相邻原子核的作用。这种作用对于内电子和价电子的影响是不一样的。内电子被本身原子核牢牢地束缚着，所以所受的影响并不显著。价电子却不然，它的轨道大小和相邻原子间的距离是相同数量级的，所以所受的影响很显著。按照古典物理，电子是不能从一个原子转入另一个原子里去的；而量子力学却容许电子通过隧道效应进入另一个原子。这样，价电子就不再分别属于各个原子，而被整个晶体中原子所共有，这就是电子的共有化。2.能带的形成：量子力学证明，晶体中电子共有化的结果，使原先每个原子中具有相同能量的电子能级，因各原子的相互影响而分裂为一系列和原来能级很接近的新能级，这些新能级基本上连成一片，而形成能带。能带中不允许存在能量状态的区域称为带隙（也叫禁带），带隙宽度用电子伏特（eV）表示。光器件基础知识14 带隙下方与价电子对应的低能量区称为价带，它是由价电子能级分裂形成的能带。价带上方高能量区称为导带（价带中的能级若没有被电子全部填满，电子可以进入未被填充的高能级，从而形成定向电流。这样的能带称为导带）。导带底的电子能量比价带顶的电子能量高，其值等于带隙宽度Eg（简称带隙的能量）。能带中的各个能级都被电子所填满的能带，称为满带。满带中的电子不能起导电作用。光器件基础知识空带价带满带E导带晶体的能带结构153.导体、半导体和绝缘体的能带结构：光器件基础知识 导体电阻率为10-8102欧姆米的物体；绝缘体电阻率为1081016欧姆米的物体；半导体电阻率则介于导体与绝缘体之间，如硅、硒、碲、锗、硼等元素以及硒、碲、硫的化合物，各种金属氧化物和其他许多无机物质。从本质上说，半导体和绝缘体在能带结构上没有什么差别。不过半导体的带隙较窄，约从十分之几eV到1.5eV，而绝缘体的带隙较宽，约从1.5eV到十个eV。在任何温度下，由于电子的热运动，将使一些电子从满带越过禁带，激发到导带里去。因为导带中的能级在被热激发电子占据之前是空着的，所以电子进入导带后，就有机会在电场作用下，沿着电场相反的方向运动，去占据新的能级。这种定向运动的结果就使晶体能够导电。绝缘体的禁带一般很宽，所以在一般温度下，从满带热激发到导带的电子数是微不足道的，这样，它的外在表现便是电阻率很大。半导体的禁带较窄，所以在一般温度下，热激发到导带去的电子数也较多，电阻率因而较小。16光器件基础知识 导体和半导体之间，不仅在电阻率的数量上有所不同，而且还存在着质的区别。有些导体，并没有价带存在，一些被电子占有的能级和空着的能级紧紧地挨在一起；另一些导体，虽然也有价带，但这些价带和导带交迭在一起形成一个统一的宽能带。在这些情形里，如有外电场作用，它们的电子很容易从一个能级跃迁到另一能级，而显示出很强的导电能力，因而电阻率也就很小。4.半导体的特性：半导体之所以能成为制作半导体元器件的材料，并不是因为它的导电能力介于导体和绝缘体之间，而是由于它具有一些独特的导电性能。如光电导效应、光生伏特效应和温差电效应等。本征半导体纯净的半导体单晶称为本征半导体。它的导电性取决于价带中电子向导带的跃迁。因此，在外电场作用下，既有发生在到导带中的电子的定向运动，又有发生在价带中的电子的定向运动，它兼具电子导电和空穴导电的两种机构，这类导电性称为本征导电。17 自由电子和空穴在绝对温度0K(即-273)，又无外部激发时，由于共价键中的价电子被束缚着，半导体中没有可以自由运动的带电粒子载流子。因此，即使有外电场的作用也不能产生电流。此时的半导体相当于绝缘体。但是当有外部激发，如温度升高或光照时，就会使一些价电子获得能量后，挣脱共价键的束缚，而成为自由电子，也叫电子载流子，电荷量为q。这种现象叫做本征激发。当价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，在共价键中就留下一个空位子，叫空穴。如下图所示。而邻近的共价键内的价电子就会跑过来填充，在原来的位置产生一新的空穴，这种情况相当于空穴在移动。空穴是由于失去价电子形成的，所以它是带正电的载流子。光器件基础知识硅或锗材料的共价键结构 18光器件基础知识 杂质半导体在本征半导体中，人为地掺入少量其他元素（称其为杂质），就可制成杂质半导体。杂质半导体的导电性能与本征半导体相比有了非常显著的改变。杂质既可以提高半导体的导电能力，还能够改变半导体的导电机构。根据掺入杂质性质的不同，可分为电子型半导体和空穴型半导体两种。因为电子带负电，取英文单词“Negative”的第一个字母，所以电子型半导体又称为N型半导体；空穴带正电，取英文单词“Positive”的第一个字母，所以空穴型半导体又称为P型半导体。5.PN结：在一块半导体的一端掺入受主杂质，形成P型半导体；另一端掺入施主杂质，形成N型半导体，于是在它们的交界处，就形成了一个PN结。PN结是许多半导体器件的重要组成部分。19光器件基础知识 PN结的形成在室温下，P型半导体内每一个受主杂质将产生一个空穴，同时形成一个负离子；N型半导体内每一个施主杂质将产生一个自由电子，同时形成一个正离子。于是，在两种杂质半导体的交界处，由于P型半导体（又称P区）内空穴为多子，N型半导体（又称N区）内电子为多子，存在很大的浓度差，所以，空穴将越过交界面由P区向N区运动。同理，电子也会由N区向P区运动，通常把这种现象称为扩散，如图所示。载流子分布浓度差引起扩散运动 20光器件基础知识扩散运动的结果，一是进入对方区域后，多子身份变成为少子，很快就被复合掉了；另一个是在交界面两侧留下了不能移动的正负离子区，亦称空间电荷区，如下图所示。平衡状态下的PN结 21光器件基础知识这个区域的载流子因扩散和复合而消耗掉了，所以又称为耗尽区。在交界面两边的正负电荷间必然有电场存在，这个电场称为内建电场，电场方向由N区指向P区，它所产生的电位差UD（又叫接触电位差）使N区的电位高于P区的电位。由图可见，这个电场具有阻止多数载流子扩散的作用。所以，人们又把耗尽区称为势垒区或位垒区。与此同时，内电场将使N区的少子空穴向P区运动，使P区的少子电子向N区运动，通常把这种现象称为漂移。漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。由扩散运动形成的电流，称为扩散电流；由漂移运动形成的电流，称为漂移电流。这两种电流方向相反。当这两种电流相等时，达到了动态平衡，此时势垒区的宽度也就确定下来了。PN结就是指的势垒区，通常很薄，约为数十微米，其接触电位差的大小与半导体材料、掺杂浓度和环境温度有关。在室温下，硅材料PN结的接触电位差UD0.60.8V，锗材料PN结的UD0.10.3V，温度每升高1，电位差降低约2mV。PN结的单向导电性 1)PN结外加正向电压（PN结导通）22光器件基础知识电源电压通过限流电阻加在半导体的两端，其正极接P，负极接N。电源的这种接法称为外加正向电压，也叫正向偏置，简称“正偏”，如右图所示。由图可知，外加电压的极性与势垒的极性相反。P区的多子（空穴）在正极性电压的驱使下进入势垒区；N区的多子（电子）在负极性电压的驱动下也进入势垒区，这将使势垒区的部分正、负离子被中和，导致势垒区变窄，势垒降低，有利于多数载流子的扩散运动，形成较大的扩散电流。但势垒区的变窄，内电场的减弱，却不利于少子的漂移运动，致使漂移运动电流可以忽略。正向电压下的电流称为正向电流，因此正向电流主要由扩散电流构成，它随着正向电压的增加而增大。PN结外加正向电压 23光器件基础知识它的关系是指数关系：其中：ID为流过PN结电流，U为PN结两端的电压，UT=kT/q称为温度电压当量，其中，k为波尔兹曼常数，T为绝对温度，q为电子电量，在室温下（300K）时UT=26mV，IS为反向饱和电流。所以，PN结加正向偏压时是导电的,它所呈现的电阻为正向电阻。2）PN结外加反向电压（PN结截止）如果将外部电压的负端接P区，正端接N区，称为外加反向电压，或称反向偏置（反偏），如右图所示。PN结外加反向电压 24由于外加电压的极性与势垒极性相同，P区的空穴将离开势垒区向电源负极运动；N区电子也将离开势垒区向电源正极运动，于是在势垒区就出现了更多的正、负离子，使势垒区展宽，势垒增高，必然对多子的扩散产生影响，使扩散电流减少，随着外加电压的增加，扩散电流很快减到零。剩下的漂移电流，则基本上不随外加电压而改变。这是因为漂移电流是由本征激发产生的少子形成的，当温度一定时，便是一个定值。反向电压作用下的漂移电流，称为反向电流，由于它不随反向电压而改变，故称为反向饱和电流。因此，当PN结反向偏置时，基本上是不导电的。这时我们称“PN结处于截止状态”，其呈现的电阻为反向电阻，而且阻值很高。但当温度升高时，由于本征激发而产生的少数载流子增多，反向电流也就增大。温度每升高1时，反向电流增加约7。因为（1.07）102，故可认为，温度每升高10时，反向电流增加一倍。由以上我们可以看出：PN结在正向电压作用下，处于导通状态，在反向电压的作用下，处于截止状态，因此PN结具有单向导电性。光器件基础知识253）PN结的伏安特性 光器件基础知识单向导电是PN结的重要特性。这一特性可以用以下方程描述：式中：U为PN结两端外加电压，I为流过PN结的电流，IS为反向饱和电流，UTKT/q为温度的电压当量，其中k1.3810-23J/K为玻耳兹曼常数，q1.610-19库仑为电荷量，T为绝对温度。在常温（300K）下，UT26mV。根据方程绘出的伏安特性曲线如下图所示。26光器件基础知识 PN结的反向击穿 在测量PN结的伏安特性时，如果外加的反向电压增加到一定数值时，反向电流会突然增加，如下图所示。我们把这种现象称为PN结的反向击穿，发生击穿所需要的电压称为击穿电压UB。PN结被击穿后，如果对其电流不加限制，PN结有可能由于过热而造成永久性损坏。276.激光产生的基本原理：光器件基础知识1.光的辐射和吸收 光的吸收 假设某原子最初处于基态能级Em，用一束能量为hmn的光子流照射它，则原子就有可能吸收光子的能量，从基态跃迁到激发态能级En，这种过程称为光的吸收。（发生吸收过程的必要条件是：入射光子的能量必须等于原子的两个能级的能量差，即hmnEnEm。原子吸收一个光子而从低能态跃迁到高能态的过程也称为原子的激发。但是满足上述hmnEnEm的光子不一定都能使原子跃迁到高能级的受激态中去。因为这里还有个跃迁的几率问题。各个能级的跃迁几率有的很大，有的很小，而有些能级的激发甚至是被“禁止”的。所有这些都决定于原子本身的运动规律。）28 光的自发辐射 光器件基础知识原子吸收了外界能量而跃迁到激发态，这个激发态是不稳定的，原子在激发态停留的时间非常短，通常约为10-8秒的数量级。在这期间内，它们很快地在没有外界作用情况下，自发地辐射出光子来，从激发态返回到基态。这种现象就称为自发辐射。自发辐射的特点在于：这种过程与外界作用无关，各个原子的辐射都是自发地、独立地进行的，因而各个光子的发射方向和初相位都不相同。此外，由于大量原子所处的激发态不尽相同，可以发射出不同频率的光，所以自发辐射的频率范围很广。这就是普通光源的发光机理。由此可见普通光源发出的光，光子的简并度是很低的，具有一系列不同的频率和不同的初相位，其单色性极差，而且彼此不能相干。29 光的受激辐射光器件基础知识处于激发态能级上的原子，如果在它发生自发辐射以前，收到外来的、能量为hmnEnEm的光子的刺激作用，就有可能从En跃迁到Em，同时辐射出一个与外来光子同频率、同相位、同方向、同偏振态的光子，这一过程称为受激辐射。受激辐射必须要在一定频率（mn）的外来入射光子的作用下才会发生，而受激辐射过程中所发出的光子的性质、状态等都与外来光子完全相同。经过受激辐射，辐射光与入射光同相位、同频率、同方向、同偏振态，相互叠加而使强度变强，即入射光得到了放大。受激辐射引起光放大正是激光产生机构中的一个重要基本概念。302.产生激光的基本条件 1)粒子数反转 光器件基础知识从以上关于自发辐射和受激辐射的讨论中，我们可以看到，普通光源的发光机构是自发辐射占统治地位。然而，激光器的发光却主要是受激辐射。那么我们怎样才能在一个发光系统中，造成受激辐射的主导地位，而使其发出激光来呢？实现粒子数反转的条件有：a)要有可用来进行粒子数反转的工作物质（激活介质）；b)具有适当的能级结构（存在亚稳态能级，寿命10-3S）；c)能够从外界输入能量使工作物质激活（称为“激励”、也叫“抽运”或“光泵”），使物质中尽可能多的粒子吸收能量后跃迁到高能级上去。31以三能级系统为例，具体介绍实现粒子数反转的方法：光器件基础知识激励能源将基态E1上的原子激励到激发态能级E3。原子通过碰撞把能量转移给晶格而无辐射地跃迁到亚稳态E2（原子的寿命约为10-3S）。随着亚稳态E2上的原子数不断增加，而基态E1上的原子数不断减少，于是在亚稳态E2和基态E1两能级之间实现了粒子数反转。322）光学谐振腔 光器件基础知识为使受激辐射持续下去，持续地获得激光输出，必须采用光学谐振腔。初始诱发原子发生受激辐射的光子来源于自发辐射，因而此时的受激辐射是随机的，所辐射光的相位、偏振态、频率和传播方向都是互不相关的。光学谐振腔的作用就是可以使某一方向和频率的光子享有最优越的条件进行放大。常用的光学谐振腔是在工作物质的两端放置两块互相平行的反射镜。参看下图，（a）表示处于粒子数反转的工作物质在自发辐射，向各个方向发射光子。其中，凡偏离谐振腔轴线方向运动的光子最终均会溢出腔外，只有沿轴线方向运动的光子，在腔内来回反射，产生连锁式的光放大。（b）表示光遇到谐振腔的反射镜之后，一部分输出，一部分又反射回去，又得到放大。（c）则表示光在谐振腔内来回反射，每来回一次都得到一定的放大，而使光的强度越来越强，光束越强，则处于激发态的原子受激辐射就越多。由于谐振腔的这种作用，最终将从部分反射镜射出一束极强的光束“激光”（Laser，Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation）。33光器件基础知识3）阈值条件 如右图所示：设增益介质单位长度的小信号增益系数为g0，损耗系数为i，两个反射镜的反射率为r1和r2，为光学谐振腔的平均损耗系数，它包括增益物质的本身损耗和通过两个反射镜的传输损耗，其中包括了有用光的输出。激光器起振条件：34阈值条件：光器件基础知识4）相位条件 要产生激光振荡，除了要满足阈值条件以外，还要满足相位平衡条件，即激光器必须工作在谐振腔的工作模式上。当平行平面谐振腔体内的光沿着腔轴的方向在腔内的两个反射面之间来回传播时，从反射镜1射向反射镜2的光波，和从反射镜2射向反射镜1的光波，正好是沿着相反方向传播的，因此，光在腔内部 沿着腔的轴向将形成干涉，多次往复反射时，就会发生多光束干涉。为了能在腔内形成稳定振荡，就要求光波能因干涉而得到加强以形成正反馈。发生加强干涉以形成正反馈的条件是：波从某一点出发，经腔内往返一周再回到原来位置时，应与初始出发波同相，即相差为2的整数倍。35光器件基础知识激光器的相位平衡条件：（又称为光腔的驻波条件）其中，q=1,2,3,；q为q值对应的波长；L为腔的光学长度。当整个光腔内充满折射率为n的均匀工作物质时：式中，L为腔的几何长度。通常由不同的q值代表不同的纵向模式，称为激光器的纵模。36光器件基础知识纵模间隔（相邻两个纵模的频率之差f）：f与q无关，对于一定得光腔为常数，因而纵模在频率尺度上是等距离排列的。（激光振荡也可以出现在垂直于腔轴的方向，这是平面波偏离轴向传播时产生的横向电磁场模式，简称横模，以TEMmn命名，m，n为横模指数。下图示出了三种TEMmn模的电场分布和光斑。由于光学谐振腔中的光线基本上是平行于腔轴面传播的，腔中各模式的纵向场分量比横向场分量小的多，因此激光器中的场近似地为横电磁波，记为TEMmnq，q为纵模指数。其中TEM00q为基横模，它具有最大的相干性和最高的频谱纯度，光束的发散角也最小，光能集中于中心，易于与光纤耦合，耦合效率高，损耗小。）37光器件基础知识第三章 光发射器件和组件 3.1 半导体激光器（LD）和激光器组件 半导体激光器的分类 a.法布里帕罗（FabryPerot，F-P）型激光器b.分布反馈（Distributed Feedback，DFB）型激光器 c.分布布拉格（DBR）型激光器 d.量子阱（QW）型激光器 e.垂直腔面发射激光器（VCSEL）等 38光器件基础知识半导体激光器组件上节我们介绍的几种半导体激光器，实际上只是我们通常所说的激光器组件的一个重要元件，如果没有组件中其他元件，单一的激光器芯片是没有任何实用性的。所谓激光器组件，是指在一个密闭结构中（如管壳内），除激光器（LD）芯片外，还配置其他元件以及一些为实现LD工作所必要的电路结构的集成器件。其他元件和必要电路可能包括：1)光隔离器：其作用是防止LD输出的激光反射影响，实现激光的单向传输，它位于LD的激光输出边。有自由空间型隔离器和尾纤型隔离器等，根据偏振形式又可分为偏振相关和偏振无关两种类型。2)背光监视光电二极管：其作用是监视LD的输出功率变化，是APC（自动功率控制）电路中需要用到的必不可少的元件之一。它位于LD的背面出光面。3)尾纤和连接器：根据不同的需要，选择不同的尾纤和连接器。394）LD的驱动电路（包括电源和LD芯片之间的阻抗匹配电路）。5）热敏电阻：其作用是根据热敏电阻的阻值随温度变化的规律，通过监测其阻值的变化来监测组件内部的温度变化。在有致冷的组件中，它是ATC（自动温度控制）电路的重要元件之一。6）热电致冷器（TEC）：一种半导体热电元件，通过改变热电元件的极性可以达到加热和致冷的目的。根据具体需要，激光器组件内部元件会有很大差别，同时所采取的封装形式也会有所不同。所谓封装，是指将形成一个激光器组件所必须的元件和电路部分结合在一起组成最终的可直接使用的产品的工艺过程。不同的封装形式（比如同轴封装和蝶型封装），其产品生产工艺过程是不一样的；即使同一种同轴封装，尾纤型和插拔型的生产工艺过程也是迥然不同的。在此，我们不就各种封装工艺做具体介绍，因为这涉及到很多其他方面内容。我们只就公司现有产品简要介绍一些主要的封装形式，让大家能有一个了解。光器件基础知识40光器件基础知识Butterfly 蝶型封装激光器组件Pigtailed Coaxial 同轴尾纤型封装激光器组件 41光器件基础知识同轴插拔型封装（TOSA Package）42光器件基础知识3.2 半导体激光器组件的常用参数和测试方法1.半导体激光器组件的绝对最大额定值 绝对最大额定值是指：在任何情况下都不能超过的极限值，超过这些极限值可能导致器件的立即破坏或永久损坏。所有光电参数最大的额定值都是在25大气环境下确定的。它包括下面几项：1)存贮温度（Tstg）：指当器件存贮在一个非工作条件中时，绝对不能超过的温度（大气环境）范围。2)工作的管壳温度（TOP）：指当器件在处于工作状态时，绝对不能超过的管壳温度范围 3)光输出功率（P0或Pf）：指从一个未损伤器件可辐射出的最大连续光输出功率。尾纤型组件既是指尾纤输出功率；插拔型组件既是指插拔端口输出功率。43光器件基础知识4)正向电流（IF）：指可以施加到器件上且不产生器件损伤的最大连续正向电流。5)反向电压（VR）：指可以施加到器件上且不产生器件损伤的最大反向电压。6)背光监测光电二极管反向电压（VD）：指可以施加到背光监测的光电二极管上且不产生器件损伤的最大反向电压。7)激光器组件的绝对最大额定值虽然不是我们需要测试的项目，但是我们必须对其要有充分的了解，因为我们测试时直接接触的就是各种组件，我们的每一步操作都必须严格限制在各种组件的绝对最大额定值范围以内，否则，就有可能对器件造成永久性损或损坏。442.半导体激光器组件的光电特性参数及其测试方法 光器件基础知识激光器组件的光电特性参数一般都是在25管壳温度下（或在有致冷器组件的激光器芯片上）确定的，除非另做详细说明。其主要光电特性参数有以下几项：1)P-I-V特性：激光器组件的P-I-V特性指的是：其输出光功率和正向输入电流以及正向电压之间的关系。是激光器组件的重要特性之一，它反映出激光器组件的多项性能指标。我们现在所使用的测试系统如ILX、KEITHLEY、武汉理工大学等都具备测试P-I-V特性的功能。P-I-V特性的基本测试方法和原理：45如图所示，其中，D为被测激光器；ATC为自动温度控制装置；G为直流电流源；V为电压表；mA为电流计；P为光功率计；Rc为保护电阻。测试时，开启ATC自动温度控制电路（对于无致冷器件，规定测试时管壳温度为25），设置直流电源输入电流按适当步长增加。通过计算机扫描其各个电流值时的输出光功率和正向电压值并绘制出PIV曲线。然后通过一定的计算方法，对曲线及数值进行计算，从而得出各项指标参数。我们现在所使用的测试系统就是按照该测试原理将各个设备集成化的产品。光器件基础知识PIV特性测试原理框图 46光器件基础知识 测试项目：正向电压（VF）：指当正向驱动电流为一确定值时（如对于某些LD，IFIth20mA），对应的激光器的正向压降。也可以认为是指激光器组件在额定输出光功率P0处的正向压降。伏安（VI）特性：激光器是半导体二极管，它具有半导体二极管的特性。通过测试激光器的VI特性，可以反映出其结特性的优劣，同时通过大电流下的正向VI特性，我们还可以估算出其串联电阻值。下图示出了一般激光器的VI曲线。47光器件基础知识PI曲线、阈值电流：PI曲线指的是激光器组件输出光功率与注入正向电流的关系曲线。如右图所示。随着正向电流的增加，激光器首先是渐渐地增加自发辐射，直至它开始发射受激辐射，产生激光。我们把激光器开始产生激光发射时的正向驱动电流称之为阈值电流。用符号Ith表示。注：阈值电流的测试方法是依据PI曲线的测试数据，通过一定的计算方法得出的。主要计算方法有下面两种：a.PI曲线上分别作出荧光辐射段与激光辐射段的切线，其交点所对应的电流值即为被测激光器的阈值电流值。b.在PI曲线上作出输出辐射光功率对正向电流的二阶导数曲线，该曲线上出现第一个极大值点所对应的正向电流值即为被测激光器的Ith。48光器件基础知识激光器组件输出光功率的线性度（）：输出光功率的线性度是衡量实际输出光功率偏离理论输出光功率的一个量。用百分数表示。目前可接受的计算方法有三种：a.一次微分法：通过对PI曲线微分并规定限制微分变化测量所有线性。测量过程可与拐点（Kink点）测试一起完成。如左图所示。b.谐波法：通过把光电曲线变换为频谱曲线，能够识别其非线性特征。通过把激光器偏置设置在50最大额定光功率输出，并在整个运行范围内用正弦调制信号来扫描可以完成这种变换。此方法必须使用线性的探测器来探测光输出。探测器的电输出被送到频谱分析仪。其反应出来的二阶（三阶或更高阶）谐波就是其非线性的证据。（此方法一般在测量模拟传输用的高线性器件时才用到。）49光器件基础知识c.图形分析法：标出PI曲线上对应的10及额定光功率点，通过两点画一直线并测量实际PI曲线偏离这条线的最大变化。如左图所示。功率线性度可表示为 拐点（Kink点）：指的是PI曲线上光功率出现非线性变化的点。其测试方法如前介绍光功率线性度时所述，通过一阶微分法。通过选取足够小的电流步长（0.25mA），对PI曲线进行一阶微分。其导数曲线图可以说明其拐点位置和线性度范围。50光器件基础知识光输出饱和度：光输出饱和度是指理想的线性响应光输出的跌落。如果PI曲线上有过多的弯曲（也称“翻转”），则认为该激光器的光输出是饱和的。同样，我们可以通过一阶微分法，计算曲线上的最大的跌落即可测量出饱和度。PI曲线的斜率（）：我们使用半导体激光器，除了希望低的阈值电流（Ith）外，还希望使用最小的电流就能得到越来越大的光输出功率。也就是说，在慢慢地注入电流后，能够获得快速增加的光功率。这就是我们通常所说的斜向效率。即是指在Ith以上的PI曲线的斜率，用P/I表示。其单位是W/A或mW/mA。其测试方法如右图所示。51光器件基础知识特征温度（T0）：在大多数应用中，总是希望激光器能在温度升高时继续正常工作，尤其是大功率激光器更是如此。表征这种性能的参数就是特征温度，用T0表示。它是衡量激光器对温度敏感度的一个参数。较高的意味着当温度快速升高时，激光器的Ith和P/I变化不大。也可将T0理解为激光器的热稳定性。其测试方法是在各种温度下测量激光器的PI曲线，然后将结果列表，然后计算出T0的值。如左图所示，首先我们在不同温度下测出相应的PI曲线。然后，通过下式求出T0值。52光器件基础知识右图是通过图解法来求T0的方法：通过拟合直线，计算其斜率即可得出T0值。53光器件基础知识2）背光探测器监测光电流Im：激光器组件内部通常都带有背光探测器，其作用就是通过监测激光器背光变化来反馈给APC电路以达到控制激光器正向光稳定输出的目的。这项指标的测试现在也已经集成到了我们所使用的PIV测试系统中。其测试原理如下图所示。543）光谱特性：光谱其实就是一种电磁波谱，电磁波谱分为长波区、光学区、射线区。光电技术只涉及光学谱区。在光学谱区内，具有相同的辐射与吸收机理，许多辐射源的光谱分布和接收器的灵敏阈都同时覆盖此区域。光器件基础知识55光器件基础知识测试原理如右图所示。其中M为光谱仪。测试项目：a)峰值波长（P）在规定输出光功率时，光谱内若干发射模式中最大强度的光谱波长被称为峰值波长（P）。b)中心波长（c）在激光器光谱中，连接50最大幅度值线段的中点所对应的波长称为中心波长（c）。c)平均波长（mean）所有光谱模式的加权平均值，把幅度大于峰值2的模式均计。56d）光谱宽度（）在规定输出光功率时，光谱内若干发射模式中最大强度的光谱波长被称为峰值波长（P）。对于不同类型的激光器产品，我们采用不同的计算方法。如FP型（多纵模）激光器组件，采用ITU-TG.957建议的最大均方根（RMS）宽度定义。在规定的光输出功率下测量光谱宽度。其值由下式确定：光器件基础知识如DFB型（单纵模）激光器组件，采用ITU-TG.957建议的最大20dB宽度来定义。即在规定光输出功率下主模中心波长的最大峰值功率跌落20dB时的最大全宽定义为。57e）边模抑制比（SMSR）在发射光谱中，在规定的输出光功率和规定的调制（或CW）时最高光谱峰强度与次高光谱峰强度之比。该参数仅用于单频（单纵模）激光器，如DFB激光器的光谱测试中。f）中心波长的温度依赖性激光器的中心波长比例于它的工作温度，随温度升高，激光器的中心波长会随之增加。下图示出了DFB激光器的中心波长随温度漂移的示意图。光器件基础知识584）激光器组件的调制特性：光器件基础知识测试项目：a)调制电流（Imod）调制电流等于达到额定输出光功率时所需的总电流值（I）减去阈值电流（Ith），即：ImodIIth。b)上升（tr）、下降（tf）时间上升、下降时间是指激光器输出光功率的脉冲响应时间。把光脉冲的上升时间定义为从额定光功率的10上升到90所需的时间；把光脉冲下降时间定义为从额定光功率的90下降到10所需的时间，如左图所示。通常把偏置电平设在Ith或稍高于Ith。对激光器来说，总是希望由小的上升、下降时间。59光器件基础知识其测试原理图如下：（其中G1为脉冲发生器；G2为直流电流偏置电源；G3为直流电压偏置电源；C1、C2为耦合电容；M为测量仪表（例如示波器、频谱分析仪）；R为匹配电阻；SYN为同步信号；L为电感。）60光器件基础知识c）开通延时（ton）开通延时是调制的光脉冲上升沿在电信号为“开”后到达全幅度10所对应的时间。d）存贮时间（tS）：存贮时间是调制的光脉冲下降沿在电信号为“闭”后到达全幅度90所对应的时间。5）激光器组件的小信号频率特性（截止频率fc）：其测试原理如右图所示。其中G1为频率可调正弦交流发生器；G2为直流电流偏置电源；G3为直流电压偏置电源；R为匹配电阻；C1、C2为耦合电容；M为测量仪器；L为电感。61光器件基础知识测试时，给被测激光器组件施加直流偏置电流，并迭加交变正弦调制电流。保持交变调制电流恒定，增加调制频率，直到光电二极管探测器的交流输出信号下降3dB，此时所对应的频率为截止频率fc。如下图所示。（注意，测试所用的光电二极管探测器的频率响应应大于激光器截止频率；同时为防止交流输出信号失真，交变调制正弦信号应足够小。）62光器件基础知识6）激光器组件的相对强度噪声（RIN）：由于激光器谐振腔内载流子和光子密度的量子起伏，造成输出光波中存在着固定的量子噪声，这种量子噪声一般用相对强度噪声来度量，即光强度脉动的均方根与平均光强度平方之比，公式如下：由于RIN的存在，会影响光纤传输系数的信号质量。对光CATV系统而言，要求RIN小于150dB/Hz。在确定RIN时，应画出RIN与频率或工作电流的关系曲线，如右图所示。用下面公式可计算RIN：63其中Pn是有光时的噪声功率；Pno是无光时的噪声功率；G是放大器增益；Bn是光谱分析仪的噪声带宽；Z0是光电二极管探测器的负载电阻；是平均的光电流（有光时）；e是电子电荷（1.610-19库仑）。光器件基础知识该指标的测试原理如下图所示。其中M为频谱分析仪。647）组合二阶失真和组合三阶差拍（CSO和CTB）：当把多个RF信号（载波）应用到器件时，会出现叠加失真，在光纤CATV中，这个问题特别突出。所以对光纤CATV的激光器组件提出了关于叠加失真的重要要求。组合二阶失真（CSO）落在一个频道中的其他频道载波所产生的二阶互调产物的总功率与该频道载波功率之比。其表达式为：光器件基础知识组合三阶差拍（CTB）落在一个频道中的其他频道载波所产生的三阶互调产物和三阶差拍产物的总功率与该频道载波功率之比。其表达式为：65光器件基础知识8）跟踪误差（TE）：跟踪误差指的是在两个不同管壳温度条件下的光纤输出功率的比值，用以衡量器件耦合效率的稳定性。其测试方法为在保持恒定的背面光电流（典型值为200A）的条件下，先测量25时的光功率，再测量预期的工作温度的两个极值（典型值为0和65）时的光功率。其计算方法如下：式中Pi为两个温度极值下的光功率。i1或2。66