《稳压二极管系列》.docx

北京市半导体器件六厂稳压二极管系列稳压二极管系列符 号 说明VZ 工作电压IZ 测试电流IR 反向电流VR 反向电压VF 正向压降IF 正向电流RZ 动态电阻IZM 最大直流工作电流VZ 工作电压温度系数Ptot 最大耗散功率地址：北京市宣武区南菜园甲2号 ：100054 bjqjlc 10北京市半导体器件六厂1/2W 2CWZW、RLS稳压管系列1/2W 2CWZW、RLS5078系 列 稳 压 管用途：在电子设备中用于对电压进展调整及稳定电压的作用。构造：硅外延平面工艺机械性能：构造，引出端材料为杜美丝。LL-34外表贴装极性：色环表示阴极DO-35封装形式： DO-35型玻璃轴向外引线封装最大额定功率：500 mW当TA>25时，ZW5078按4mW/的速度线性地降额质量等级：贮存温度：-55150 环境温度：-55125 最高结温：+150军品：J、GS、G、G+、CASTC 民品：类工业级执行标准：军品：GJB33A-1997半导体分立器件总标准QZJ840611半导体二、三极管“七专”技术条件民品：GB4589.1-2023半导体器件分立器件和集成电路总标准地址：北京市宣武区南菜园甲2号 ：100054 bjqjlc 11北京市半导体器件六厂1/2W 2CWZW、RLS稳压管系列参数表TA25参 数VZ型 号V条件RZIZ条件IRIZµA条件条件VFVRIFVIzMmAmAmAVmA2CW50ZW50、RLS501.02.810501010 0.5 832CW51ZW51、RLS512.53.51060105 0.5 712CW52ZW52、RLS523.24.51070102 0.5 552CW53ZW53、RLS534.05.81057101 1 412CW54ZW54、RLS54 5.56.5 10 30 10 0.5 1 382CW55ZW55、RLS556.27.5 10 15 10 0.5 1 332CW56ZW56、RLS567.08.8 5 15 5 0.5 1 272CW57ZW57、RLS578.59.5 5 20 5 0.5 1 262CW58ZW58、RLS589.210.5 5 25 5 0.5 1 232CW59(ZW59、RLS59 1011.8 5 30 5 0.5 1 202CW60(ZW60、RLS60)11.512.5 5 40 5 0.5 1 192CW61(ZW61、RLS61) 12.214 3 50 3 0.5 1 162CW62(ZW62、RLS62)13.517 3 60 3 0.5 1 142CW63(ZW63、RLS63)1619 3 70 3 0.5 1 132CW64(ZW64、RLS64)1821 3 75 3 0.5 1 112CW65(ZW65、RLS65)2024 3 80 3 0.5 1 102CW66 (ZW66、RLS66)2326 3 85 3 0.5 1 92CW67(ZW67、RLS67)2528 3 90 3 0.5 1 92CW68 (ZW68、RLS68)2730 3 95 3 0.5 1 82CW69 (ZW69、RLS69)2933 3 95 3 0.5 1 72CW70 (ZW70、RLS70)3236 3 100 3 0.5 1 72CW71 (ZW71、RLS71)3540 3 100 3 0.5 1备注 可依据用户具体要求，选定稳压范围DO-35：LL-341 1006封装型式及规律图地址：北京市宣武区南菜园甲2号 ：100054 bjqjlc 12尺寸见附图北京市半导体器件六厂1/2W 2CWZW、RLS稳压管系列参数表地址：北京市宣武区南菜园甲2号 ：100054 bjqjlc 13TA25参 数条件条件条件条件IzMVZ型 号VIZmARZIZmAIRµAVFVRVVIFmAmA2CW72(ZW72、RLS72)78.8 56 5 0.1 1 292CW73(ZW73、RLS73)8.59.55 10 5 0.1 1 252CW74(ZW74、RLS74)9.210.55 12 5 0.1 1 232CW75(ZW75、RLS75)1011.8 515 5 0.1 1 212CW76(ZW76、RLS76)11.512.55 18 5 0.1 1 202CW77(ZW77、RLS77)12.214 518 5 0.1 1 182CW78(ZW78、RLS78)13.517 521 5 0.1 11 1014备注 可依据用户具体要求，选定稳压范围封装型式及规律图DO-35：LL-34尺寸见附图互 换 型 号本厂型号 互换型号 本厂型号 互换型号ZW50 1N4370 ZW64 1N968ZW51 1N4371、1N4372、1N746、 ZW65 1N969 ZW52 1N747、1N748、1N749 ZW66 1N970 ZW531N750、1N751 ZW67 1N971ZW541N752、1N753 ZW68 1N972 ZW551N754 ZW69 1N973ZW561N755、1N756 ZW70 1N974ZW57 1N757 ZW71 1N975 ZW58 1N758ZW59 1N962 ZW60 1N963 ZW61 1N964ZW62 1N965、1N966ZW63 1N967北京市半导体器件六厂1W 2CWZW、RLS稳压管系列1W 2CWZW、RLS100121系 列 稳 压 管用途：在电子设备中用于对电压进展调整及稳定电压的作用。封装形式： DO-41型玻璃轴向外引线封装构造，引出端材料为杜美丝。LL-41外表贴装。DO-41构造：硅外延平面工艺机械性能：极性：色环表示阴极最大额定功率：1000 mW当TA>25时，ZW100121按8mW/的速度线性地降额。质量等级：军品：J、GS、G、G+、CASTC贮存温度：-55150 环境温度：-55125民品：类工业级执行标准：军品：GJB33A-1997半导体分立器件总标准 QZJ840611半导体二、三极管“七专”技术条件民品：GB4589.1-2023半导体器件分立器件和集成电路总标准地址：北京市宣武区南菜园甲2号 ：100054 bjqjlc 14参 数 表TA25VZ型 号V参 数条件IZmARZ条件IZmAIRµA条件VRVVFV条件IFmAIzMmA2CW100(ZW100、RLS100)1.02.850155010 0.53302CW101(ZW101、RLS101)2.53.550255010 0.52802CW102(ZW102、RLS102) 3.24.5 50 30 50 5 0.5 2202CW103(ZW103、RLS103) 4.05.8 50 20 50 1 1 1652CW104(ZW104、RLS104) 5.56.5 30 15 30 0.5 1 1502CW105(ZW105、RLS105) 6.27.5 30 7 30 0.5 1 1302CW106(ZW106、RLS106) 7.08.8 30 5 30 0.5 1 1102CW107(ZW107、RLS107) 8.59.5 20 10 20 0.5 1 1002CW108(ZW108、RLS108) 9.210.5 20 12 20 0.5 1 952CW109(ZW109、RLS109) 1011.8 20 15 20 0.5 1 832CW110(ZW110、RLS110) 11.512.5 20 20 20 0.5 1 762CW111(ZW111、RLS111)12.21420 20 20 0.51662CW112(ZW112、RLS112)13.51710 35 10 0.51582CW113(ZW113、RLS113)16191040100.51522CW114(ZW114、RLS114)18211045100.51472CW115(ZW115、RLS115)20241050100.51412CW116(ZW116、RLS116)23261055100.51382CW117(ZW117、RLS117)25281060100.51352CW118(ZW118、RLS118)2730580 5 0.5 1332CW119(ZW119、RLS119)2933590 5 0.5 1302CW120(ZW120、RLS120)32365110 5 0.5 1272CW121(ZW121、RLS121)35405130 5 0.5 11 20025备注 可依据用户具体要求，选定稳压范围封装型式及规律图尺寸见附图DO-41：2CWLL-41：RLS互 换 型 号本厂型号 互换型号 本厂型号 互换型号ZW101 1N4728 ZW112 1N4744、1N4745ZW102 1N4729、1N4730、1N4731 ZW113 1N4746 ZW103 1N4732、1N4733 ZW114 1N4747ZW104 1N4734 、1N4735 ZW115 1N4748 ZW105 1N4736 ZW116 1N4749ZW106 1N4737、1N4738 ZW117 1N47450 ZW107 1N4739 ZW118 1N47451ZW108 1N4740 ZW119 1N47452 ZW109 1N4741 ZW120 1N47453 ZW110 1N4742 ZW121 1N47454 ZW111 1N4743北京市半导体器件六厂1/2W 1N系列稳压二极管1/2W 1N系 列 稳 压 管用途：在电子设备中用于对电压进展调整及稳定电压的作用。构造：硅外延平面工艺机械性能：构造，引出端材料为杜美丝。极性：色环表示阴极DO-35封装形式： DO-35型玻璃轴向外引线封装贮存温度：-55150环境温度：-55125 最大额定功率：500 mW质量等级：军品：J、GS、G、G+、CASTC民品：类工业级执行标准：军品：GJB33A-1997半导体分立器件总标准 QZJ840611半导体二、三极管“七专”技术条件民品：GB4589.1-2023半导体器件分立器件和集成电路总标准地址：北京市宣武区南菜园甲2号 ：100054 bjqjlc 17北京市半导体器件六厂1/2W 1N系列稳压二极管参数表TA25参 数VZV型 号IZmARZIRµAVRV1N4370 2.282.7 20.0 30.0 100.0 1.01N4371 2.53.1 20.0 30.0 75.0 1.01N4372 2.83.4 20.0 29.0 50.0 1.01N7463.03.620.028.010.0 1.01N7473.24.020.024.010.0 1.01N7483.54.320.023.010.0 1.01N7493.94.720.022.02.0 1.01N7504.25.220.019.02.0 1.01N7514.65.620.017.01.0 1.01N7525.06.220.011.01.0 1.01N7535.66.820.07.00.1 1.01N7546.17.520.05.00.1 1.01N7556.88.320.06.00.1 1.01N7567.49.020.08.00.1 1.01N7578.910.020.010.0 0.1 1.01N7589.011.020.017.0 0.1 1.01N9629.912.110.09.5 5.0 8.41N96310.813.210.0 11.5 5.0 9.11N96411.714.310.0 13.0 5.0 9.91N96513.516.58.516.05.011.41N96614.417.67.517.05.012.21N96716.219.87.021.05.013.71N96818.022.06.025.05.015.21N96919.824.25.529.05.016.71N97021.626.45.533.05.018.21N97124.329.75.041.05.020.61N97227.033.05.049.05.022.8备 注： 产品按参数精度值分档：A档误差范围： ±10%B档误差范围：±5% 且可依据用户具体要求，选定稳压范围地址：北京市宣武区南菜园甲2号 ：100054 bjqjlc 18封装型式及规律图尺寸见附图DO-35：北京市半导体器件六厂1/2W 1N系列稳压二极管参数表地址：北京市宣武区南菜园甲2号 ：100054 bjqjlc 19TA25参 数VZV型 号IZmARZIRµAVRV1N97329.736.33.558.05.025.11N97432.439.63.570.05.027.41N97535.142.93.080.05.029.71N97638.747.33.093.05.032.71N97742.351.72.5105.05.035.81N97845.956.12.5125.05.038.81N97950.461.62.0150.05.042.61N98055.868.22.0185.05.047.11N98161.274.81.5230.05.056.01N98267.582.51.5270.05.062.21N98373.890.21.5320.05.069.2备 注： 产品按参数精度值分档：A档误差范围： ±10%B档误差范围：±5% ，且可依据用户具体要求，选定稳压范围封装型式及规律图尺寸见附图DO-35：北京市半导体器件六厂1W 1N系列稳压二极管用途：在电子设备中用于对电压进展调整及稳1W 1N系 列 稳 压 管定电压的作用。构造：硅外延平面工艺机械性能：构造，引出端材料为杜美丝。极性：色环表示阴极DO-41封装形式： DO-41型玻璃轴向外引线封装贮存温度：-55150环境温度：-55125 最大额定功率：1000 mW质量等级：军品：J、GS、G、G+、CASTC民品：类工业级执行标准：军品：GJB33A-1997半导体分立器件总标准 QZJ840611半导体二、三极管“七专”技术条件民品：GB4589.1-2023半导体器件分立器件和集成电路总标准地址：北京市宣武区南菜园甲2号 ：100054 bjqjlc 20北京市半导体器件六厂1W 1N系列稳压二极管参数表TA25VZIZRZIRVRVmAµAV参 数型 号1N47283.03.67510.0100.0 1.01N47293.24.07010.0100.0 1.01N47303.54.3659.050.01.01N47313.94.7609.010.01.01N47324.25.2558.010.01.01N47334.65.6507.010.01.01N47345.06.2505.010.02.01N47355.66.8352.010.02.01N47366.17.5353.510.04.01N47376.88.3354.010.05.01N47387.49.0304.510.06.01N47398.210.0305.010.0 7.01N47409.011.0257.010.0 7.61N47419.912.1258.05.0 8.41N4742 10.813.2 20 9.0 5.0 9.11N474311.714.32010.05.09.91N474413.516.51714.05.011.41N474514.417.61516.05.012.21N474616.219.81520.05.013.71N474718.022.01022.05.015.21N474819.824.21023.05.016.21N474921.626.41025.05.018.21N475024.329.71035.05.020.51N475127.033.08.540.05.022.81N475229.736.37.545.05.025.11N475332.439.67.050.05.027.4备 注： 产品按参数精度值分档：A档误差范围： ±10%B档误差范围：±5% ，且可依据用户具体要求，选定稳压范围地址：北京市宣武区南菜园甲2号 ：100054 bjqjlc 21封装型式及规律图尺寸见附图DO-41：TA25参 数VZV型 号IZmARZIRµAVRV1N475435.142.96.560.05.029.71N475538.747.36.070.05.032.71N475642.351.75.580.05.035.81N475745.956.15.095.05.038.81N475850.461.65.01105.042.61N475955.868.23.51255.047.11N476061.274.83.51505.051.71N476167.582.53.51755.056.01N476273.890.23.02005.062.21N4763 81.9100.1 2.5 250 5.0 69.21N4764 90.0110.0 2.5 350 5.0 76.0备 注： 产品按参数精度值分档：A档误差范围： ±10%B档误差范围：±5% ，且可依据用户具体要求，选定稳压范围封装型式及规律图尺寸见附图DO-41：北京市半导体器件六厂1W 1N系列稳压二极管2DW2302DW236型硅平面温度补偿稳压二极管用途：具有温度补偿作用，可用于电子设备、仪器仪表中周密稳压源或基准电压源机械性能：封装形式：金属封装A3-O1B、A3-O2B贮存温度：-55175环境温度：-55125最大额定功率：200 mW构造：硅外延平面工艺质量等级：军品：J、G民品：类工业级执行标准：军品：GJB33A-1997半导体分立器件总标准QZJ840611半导体二、三极管“七专”技术条件民品：GB4589.1-2023半导体器件分立器件和集成电路总标准地址：北京市宣武区南菜园甲2号 ：100054 bjqjlc 23TA=25参 数 表参数测Vz试条件IRrzvz注：素材和资料局部及数(V)值最最(A)10-6/Izmax (mA)Ptot (mW)来自网络，供参考IzrVR小大IzIzr型号值值(mA) 最大值(V) 最大值(mA) 最大值(mA)封装型式及规律图尺寸见附图A3-O1BA3-O2B管脚1和2中有色点为负极，3为备用脚2DW2305.8 6.610252DW2315.8 6.610152DW2322DW2336 6.5 5 10 56 6.5 7.5 10 7.51 110。请预览后才下载，期盼你的好评与关注！50 1030 2002DW23466.510101052DW23566.51310132DW23666.5151015