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电子电路基础教程视频：逻辑电路的介绍篇一：电子电路基础 ¤/ 绝密启用前 2022年北京联合高校高职升本科基础课、专业基础课考试 / / /¤ / / 线 ¤订题答¤号要证考装不准¤内 线封封¤密 ： 名密 姓 / /¤ / / /¤ / / / / 考试科目 电子电路基础 （总分：101分 考试时间：120分钟） 留意事项： 1. 共 10 页，用钢笔或圆珠笔干脆答在试题卷上。 2. 答卷前将密封线内的项目填写清晰。 留意：本试卷共六道大题。 一、 填空题（每空格1分，共30分） 1N型半导体中多数载流子是，少数载流子是 。 2二极管具有导电性，其电流方程式为 。 3. 场效应管是载流子参加导电的限制器件。 4. 有CC、CB和CE放大器，试问： （1）要求有较高的电流增益和较高的电压增益，应采纳 组 态。 （2）要求有很强的负载实力，应采纳 组态。 （3）要求向信号源索取的电流小，应采纳 组态。 5. 要稳定静态工作电流ICQ,应采纳负反馈。 6. 要稳定电压增益，应采纳 负反馈。 第1页 共10页 7要提高放大器的带负载实力，应采纳 负反馈。 8. (11.125)10 等于二进制数的，等于8进制数的 ,等于16进制数的 。 9. (-15)10的二进制数的原码表示为 ，反码表示为，补码表示为 。 10. TTL与非门的扇出系数是指 ，它是衡量门输出端 的参数。 11. 组合逻辑电路中，任一时刻的输出信号仅取决于 ；时序逻辑电路中，任一时刻的输出状态不仅取决于 ，而且取决于 。 12. TTL与非门的一个输入端经10k?电阻接地，其余输入端悬空，输出电压 Uo= V。 13. 若D触发器的D端连在Q端上，经101个脉冲作用后，其次态为0，则现态应为 。 14. 时序电路中的存储电路由受时钟限制的 组成。 152022个1异或，其结果为。 16有一组8421BCD码表示的数字为（0101 0111 0101）8421BCD,它所表示的十进制数值为。 17十进制数127编成8421BCD码为 ，编成余3BCD码为。 二、单项选择题（在每小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其对应字母填在题干后的括号内。每小题1分，共10分） 1.测得工作在放大状态的晶体管三个管脚的电位分别为：1脚4V，2脚6.5V，3脚3.3V，由此可判定 脚是集电极。 （ ） A. 1B. 2C. 3 D.无法判定 2. 测得工作在放大状态的晶体管放射极为8V，基极为7.3V，集电极为4V，由此可判定三极管为。 /¤/¤/ （ ） A. NPN型锗管B. NPN型硅管 C. PNP型锗管D. PNP型硅管 3.假如测得晶体管的基极电位为4V,放射极电位为3.3V，集电极 电位为3.9V，则可以判定晶体管工作在 状态。 （ ） A. 放大状态 B. 截止状态 C. 饱和状态 D. 反向状态 线 ¤订题 答¤号要证考装不准¤内线封封¤密 ： 名密 姓 / /¤ / / /¤ / / / / 4.欲稳定放大电路的输出电压和向信号源索取较小的电流应采纳 负反馈。 （ ） A. 电流串联B. 电流并联 电压串联D. 电压并联 5.与甲类功率放大方式相比，乙类推挽功率放大方式的主要优点 是 。 （ ） A. 电路简洁 B.无饱和失真无交越失真D. 效率高 6.有一个与非门构成的基本R-S触发器，欲使触发器保持原态则 输入信号应为 。（） A. R=S=0B. R=S=1 C. S=1, R=0D. S=0, R=1 7.对图1所示波形，A、B为输入，F为输出，其反映的逻辑关系 是 。 （ ） A B A. 与非关系 B.或非关系 F B. 或关系C.无法推断 图1 8.组合逻辑电路一般由组合而成。 （ ） A. 门电路B. 触发器 C. 计数器D. 寄存器 第3页 共10页 C. C. 9.在下列逻辑电路中，不是组合逻辑电路的为。 （ ） A. 译码器B. 编码器 C. 全加器D. 寄存器 10.五个D触发器构成环形计数器，其计数长度为 。 （ ） A. 5 B. 10C. 25D. 32 6分，共24分） 1.三态门组成的电路如图2所示。 （1）写出函数F的逻辑表达式； （2）对应A、B、C的波形画出F的波形。 图2 A B F C /¤/¤/ 2. 假如有一个时序电路，在时钟作用下，状态的改变是 000?101?111?001?101?110?010?011?001?101?110 ?010?011?001? 试问： （1）它由几级触发器构成？ （2）假如可以作计数器，其模值为多少？ （3）哪几个状态是有效状态？哪几个状态是无效状态？线 ¤订题答¤号要证考装不准¤内线封封¤密 ： 名密 姓 / /¤ / / /¤ / / / / 3放大电路如图3所示。 （1）画出电路的直流通路； （2）画出电路的沟通通路； （3）写出在温度T上升状况下，直流工作点电流ICQ的稳定过程。 CC RL u图3 第5页 共10页 篇二：逻辑门电路完整教程 逻辑门电路完整教程 其次章 逻辑门电路 引 言 通过上一章的学习，我们已经对数字电路及其分析方法、数制和码有了基本的概念。并且学习了从与、或、非三种基本逻辑运算引出逻辑变量与逻辑函数的关系。第一章中逻辑符号是以黑匣的方式来表示相应的逻辑门，这种黑匣法帮助我们建立初步的概念。为了正确而有效地运用集成逻辑门电路，还必需对组件内部电路特殊是对它的外部特性有所了解。本章将揭开黑匣的奇妙，讲解并描述几种通用的集成逻辑门电路，如BJT-BJT逻辑门电路（TTL）、射极耦合逻辑门电路（ECL）和金属-氧化物-半导体互补对称逻辑门电路（CMOS）。 在学习上述各种电路的逻辑功能和特性前首先必需熟识开关器件的开关特性，这是门电路的工作基础。但在分析门电路时，将着重它们的逻辑功能和外特性，对其内部电路，只作一般介绍。 第一节 二极管的开关特性 一般而言，开关器件具有两种工作状态：第一种状态被称为接通 ，此时器件的阻抗很小，相当于短路；其次种状态是断开，此时器件的阻抗很大，相当于开路。 在数字系统中，晶体管基本上工作于开关状态。对开关特性的探讨，就是详细分析晶体管在导通和截止之间的转换问题。晶体管的开关速度可以很快，可达每秒一百零一万次数量级，即开关转换在微秒甚至纳秒级的时间内完成。 二极管的开关特性表现在正向导通与反向截止这样两种不同状态之间的转换过程。二极管从反向截止到正向导通与从正向导通到反向截止相比所需的时间很短，一般可以忽视不计，因此下面着重探讨二极管从正向导通到反向截止的转换过程。 一、二极管从正向导通到截止有一个反向复原过程 在上图所示的硅二极管电路中加入一个如下图所示的输入电压。在0t1时间内，输入为+VF，二极管导通，电路中有电流流通。 设VD为二极管正向压降（硅管为0.7V左右），当VF远大于VD时，VD可略去不计，则 在t1时，V1突然从+VF变为-VR。在志向状况下 ，二极管将立即转为截止，电路中应只有很小的反向电流。但实际状况是，二极管并不立即截止，而是先由正向的IF变到一个很大的反向电流IR=VRRL，这个电流维持一段时间tS后才起先渐渐下降，再经过tt后 ，下降到一个很小的数值0.1IR，这时二极管才进人反向截止状态，如下图所示。 通常把二极管从正向导通转为反向截止所经过的转换过程称为反向复原过程。其中tS称为存储时间，tt称为渡越时间，tre=ts+tt称为反向复原时间。由于反向复原时间的存在，使二极管的开关速度受到限制。 二、产生反向复原过程的缘由电荷存储效应 产生上述现象的缘由是由于二极管外加正向电压VF时，载流子不断扩散而存储的结果。当外加正向电压时区空穴向区扩散，区电子向区扩散， 这样，不仅使势垒区（耗尽区）变窄，而且使载流子有相当数量的存储，在区内存储了电子，而在区内存储了空穴 ，它们都是非平衡少数载流于，如下图所示。 空穴由区扩散到区后，并不是马上与区中的电子复合而消逝，而是在肯定的路程LP（扩散长度）内，一方面接着扩散，一方面与电子复合消逝，这样就会在LP范围内存储肯定数量的空穴，并建立起肯定空穴浓度分布，靠近结边缘的浓度最大，离结越远，浓度越小 。正向电流越大，存储的空穴数目越多，浓度分布的梯度也越大。电子扩散到区的状况也类似，下图为二极管中存储电荷的分布。 我们把正向导通时，非平衡少数载流子积累的现象叫做电荷存储效应。当输入电压突然由+VF变为-VR时区存储的电子和区存储的空穴不会立刻消逝，但它们将通过下列两个途径渐渐削减： 在反向电场作用下，区电子被拉回区，区空穴被拉回区，形成反向漂移电流IR，如下图所示； 与多数载流子复合。 在这些存储电荷消逝之前，结仍处于正向偏置，即势垒区仍旧很窄，结的电阻仍很小，与RL相比可以忽视，所以此时反向电流IR=（VRVD）/RL。VD表示结两端的正向压降，一般 VR>>VD，即 IRVRRL。在这段期间，IR基本上保持不变，主要由VR和RL所确定。 经过时间ts后区和区所存储的电荷已显著减小，势垒区渐渐变宽，反向电流IR渐渐减小到正常反向饱和电流的数值，经过时间tt ，二极管转为截止。 由上可知，二极管在开关转换过程中出现的反向复原过程，实质上由于电荷存储效应引起的，反向复原时间就是存储电荷消逝所须要的时间。 三、二极管的开通时间 二极管从截止转为正向导通所需的时间称为开通时间。 这个时间同反向复原时间相比是很短的。这是由于结在正向偏压作用下，势垒区快速变窄，有利于少数载流子的扩散，正向电阻很小，因而它在导通过程中及导通以后，其正向压降都很小，比输入电压VF小得多，故电路中的正向电流 IF=VRRL ，它由外电路的参数确定，而几乎与二极管无关。因此，只要电路在t=0时加入+VF的电压 ，回路的电流几乎是马上达到 VFRL。这就是说 ，二极管的开通时间是很短的，它对开关速度的影响很小，可以忽视不计。 其次节 BJT的开关特性 型BJT的结构如下图所示。 从图中可见型BJT由两个型区和一个型区构成了两个结，并从三个区分别引出了集电极、基极和放射极。在电路图中的符号如下图所示。 型BJT的结构如下图中的上半部所示，下边为电路图中的符号。 这里的BJT英文原文是：Bipolar Junction Transistor，意为“双极结晶体管”。也就是通常所说的三极管。 一、BJT的开关作用 BJT的开关作用对应于有触点开关的“断开”和“闭合”。 篇三：锐志电子【零基础讲起单片机视频教程】各讲内容简介 锐志电子【零基础学起单片机视频教程】各讲内容简介 第一讲 锐志电子 RZ-51V2.0开发板的具体介绍 其次讲 锐志开发板 所用驱动及软件的安装介绍 第三讲 单片机C语言开发的预备学问 第四讲 用keilC起先编写单片机程序 第五讲 继电器 蜂鸣器 数码管 编程的编程 第六讲 独立键盘和矩阵键盘的编程 第七讲 中断和定时器系统 第八讲 串口通讯 第九讲 1602液晶 DS1302时钟 24C08I2C存储器的编程 第十讲 数字测温传感器18B20和红外接收器件TL1838的编程 第十一讲 8X8点阵-步进电机-直流电机 3合一扩展板的运用 第十二讲AD、DA-数字编码开-PS2-超声波测距-无线遥控多功能6合一扩展板的运用 第11页 共11页第 11 页 共 11 页第 11 页 共 11 页第 11 页 共 11 页第 11 页 共 11 页第 11 页 共 11 页第 11 页 共 11 页第 11 页 共 11 页第 11 页 共 11 页第 11 页 共 11 页第 11 页 共 11 页