(2.4)--2.2.1 MSC-51单片机的结构与原理-存储器组织结构及RO.ppt

MCS-51MCS-51单片机的结构单片机的结构与原理与原理第二章第二章第第 节节 2.2.1 2.2.1 MSC-51MSC-51单片机单片机的存储器结构及的存储器结构及ROMROM使用使用2 2计算机存储器地址空间的两种结构形式，普林斯顿结构和哈佛结构:普林斯顿结构：RAM和ROM统一编址的存储器结构。每个存储单元对应于唯一的地址 CUP使用相同指令问题RAM和ROM。RAM和ROM统一编址、相同指令访问2.2.1MCS-51单片机的存储器结构及ROM使用哈佛结构:ROM和RAM位于不同的存储空间，ROM和RAM可以有相同的地址;CPU采用不同的访问指令访问优点：减轻程序运行时的访问瓶颈2.2.1MCS-51单片机的存储器结构及ROM使用51系列单片机采用哈佛结构，共有4个物理存储空间：片内RAM、片内ROM，片外RAM、片外ROM，2.2.1MCS-51单片机的存储器结构及ROM使用mcs51系列单片机只有三个逻辑存储空间，即：片内RAM、片外RAM和ROM：RAM地址空间:片内0-FFH 256B 片外0ffffH 64K ROM地址空间:片内0-fffH 4KB、片外0ffff 64KB，访问这三种存储器空间的指令 汇编语言：不同指令操作码 C51语言：利用变量的存储类型属性进行区别。2.2.1MCS-51单片机的存储器结构及ROM使用2.程序存储器程序存储器(ROM)作用作用：存放程序、表格或常数，具有非易失性特点特点：片内ROM与片外ROM可有2种组合方案2.2.1MCS-51单片机的存储器结构及ROM使用方案方案1：4 KB以内的地址在片内ROM，大于4KB的地址在片外ROM中（图中折线），两者共同构成64KB空间；方案方案2：片内ROM被禁用，全部64KB地址都在片外ROM中（图中直线）。2种组合方案由EA引脚的电平状态决定：EA=1时为方案1，EA=0时为方案2EA引脚接低电平引脚接低电平时，仅使用片外ROM（片外ROM不可缺省)。由于片内、外ROM是统一编址的，故只能算作1个逻辑存储空间。EA引脚接高电平引脚接高电平时，可同时使用2种ROM(片外ROM可以缺省)；2.2.1MCS-51单片机的存储器结构及ROM使用51单片机的4个物理存储空间物理存储空间仅相当于3个逻辑存储空间逻辑存储空间片内RAM片内ROM片外RAM片外ROM 00H 000H0000H0000H FFH FFFHFFFFHFFFFH物理存储空间逻辑存储空间 2.2.1MCS-51单片机的存储器结构及ROM使用 80C51单片机ROM中有6个特殊地址单元-专为复位和中断功能而设计。0000H：程序首地址。单片机复位后，程序从该单元开始运行。在该单元中存跳转指令转到主程序。其余5个特殊单元：5个中断源中断服务程序的入口地址，即中断向量地址：2.2.1MCS-51单片机的存储器结构及ROM使用中断程序执行过程中断程序执行过程：某一突发事件相应中断入口地址自动装入PC引导两次跳转执行相应中断服务程序主程序一般应安排在0030H地址以后（有中断需要时）ROM有6个特殊存储器单元用于程序引导主程序主程序跳转指令INT0中断中断跳转指令T0中断中断跳转指令INT1中断中断跳转指令T1中断中断跳转指令主程序主程序首指令0000H0003H000BH0013H001BH0030H0023H RI/TI中断中断跳转指令 ROM 0000H：主程序入口地址 0003H：INT0中断程序入口地址 000BH：T0中断程序入口地址 0013H：INT1中断程序入口地址 001BH：T1中断程序入口地址 0023H：RI/TI中断程序入口地址 2.2.1MCS-51单片机的存储器结构及ROM使用 总结 MSC-51单片机采用哈弗结构，有4个物理空间，3个逻辑空间，片内ROM与片外ROM可有2种组合方案，由EA引脚的电平状态决定。2.2.1MCS-51单片机的存储器结构及ROM使用再见再见