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    实验直流激励时霍尔式传感器位移特性实验.pdf

    • 资源ID:96524257       资源大小:210.37KB        全文页数:5页
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    实验直流激励时霍尔式传感器位移特性实验.pdf

    实验项目:直流激励时霍尔传感器位移特性实验一、实验目的:了解霍尔式传感器原理与应用。二、基本原理:金属或半导体薄片置于磁场中,当有电流流过时,在垂直于磁场和电流的方向上将产生电动势,这种物理现象称为霍尔效应。具有这种效应的元件成为霍尔元件,根据霍尔效应,霍尔电势 UHKHIB,当保持霍尔元件的控制电流恒定,而使霍尔元件在一个均匀梯度的磁场中沿水平方向移动,则输出的霍尔电动势为UH kx,式中 k位移传感器的灵敏度。这样它就可以用来测量位移。霍尔电动势的极性表示了元件的方向。磁场梯度越大,灵敏度越高;磁场梯度越均匀,输出线性度就越好。三、需用器件与单元:霍尔传感器实验模板、霍尔传感器、15V 直流电源、测微头、数显单元。四、实验步骤:1、将霍尔传感器安装在霍尔传感器实验模块上,将传感器引线插头插入实验模板的插座中,实验板的连接线按图 9-1 进行。1、3 为电源5V,2、4 为输出。2、开启电源,调节测微头使霍尔片大致在磁铁中间位置,再调节 Rw1 使数显表指示为零。图 9-1 直流激励时霍尔传感器位移实验接线图3、测微头往轴向方向推进,每转动 0.2mm 记下一个读数,直到读数近似不变,将读数填入表 9-1。表 91 X(mm)V(mv)作出 V-X 曲线,计算不同线性范围时的灵敏度和非线性误差。五、实验注意事项:1、对传感器要轻拿轻放,绝不可掉到地上。2、不要将霍尔传感器的激励电压错接成15V,否则将可能烧毁霍尔元件。六、思考题:本实验中霍尔元件位移的线性度实际上反映的是什么量的变化?答:本人认为应该是实际的输入、输出与拟合的理想的直线的偏离程度的变化,当 X 不同的时候,实际的输出值与根据拟合直线得到的数值的偏离值是不相同的。七、实验报告要求:1、整理实验数据,根据所得得实验数据做出传感器的特性曲线。实验数据如下:表 92 X(mm)V(mv)729 523 V-X 曲线如下:0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4-235 1.6 1.8 2.0 347 177 85-80-354-465-575 V-X曲线8006004002000-200-400-600-800V(mv)X(mm)17290.225230.433470.641770.85851X根 据 上 图 和 实 验 数 据,在X 0.2,0.8区 间,霍 尔 传 感 器 的 灵 敏 度 为:V(mv)X(mm)V678910-80-235-354-465-5751.21.41.61.82k 729177 920;在X 1.2,2.0区 间,霍 尔 传 感 器 的 灵 敏 度 为:0.80.2 235575k 567。1.42.0以上曲线本着出于方便,利用 Excel 软件直接生成的,下面将利用最小二乘法拟合更加符合实验数据处理的 V-X 曲线。在这里,直接利用最小二乘法的结论:V a bX,其中a xixiyiyixii1KKKK2(xi)Kxi2i1i1i1Ki1Ki12KKKb xyii1i1Ki1i Kxiyii1K2(xi)2 Kxii1计算a、b(利用表 2 数据)Xi110Ki0.2+0.4+0.6+0.8+1.0+1.2+1.4+1.6+1.8+2.0=11 X Vii1i0.2*729+0.4*523+0.6*347+0.8*177+1.0*85+1.2*(-80.)+1.4*(-235)+1.6*(-354)+1.8*(-465)+2.0*(-575)=-2188.6 Vi110i729+523+347+177+85-80-235-354-465-575=152 Xi0.22 0.42 0.62 0.821.021.221.421.621.82 2.0215.4 2i11011*(2188.6)152*15.4 800.47211 10*15.411*15210*(2188.6)-713.88 b 211 11*15.4即得 V-X 拟合曲线,V 713.88*X 800.47误差分析:把 X 的值分别代入式V 713.88*X 800.47,可得:可得,a V171.306;V28.082;V3-25.142;V4-52.366;V5-1.59;V6-23.814;V7-36.038;V8-12.262;V919.514;V1052.29。可得,线性度为LVmaxV171.306100%100%100%5.55%VFSV1V10657.694(627.29)2、归纳总结霍尔元件的误差主要有哪几种,各自的产生原因是什么,应怎样进行补偿。答:(1)零位误差。零位误差由不等位电势所造成,产生不等位电势的主要原因是:两个霍尔电极没有安装在同一等位面上;材料不均匀造成电阻分布不均匀;控制电极接触不良,造成电流分布不均匀。补偿方法是加一不等位电势补偿电路。(2)温度误差。因为半导体对温度很敏感,因而其霍尔系数、电阻率、霍尔电势的输入、输出电阻等均随温度有明显的变化,导致了霍尔元件产生温度误差。补偿方法是采用恒流源供电和输入回路并联电阻。

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