RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash等常见存储器概念辨析.docx

RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash 等常见存储器概念辨析常见存储器概念辨析：RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash 存储器可以分为很多种类，其中依据掉电数据是否丧失可 以分为RAM随机存取存储器和 ROM只读存储器，其中 RAM 的访问速度比较快，但掉电后数据会丧失，而 ROM 掉电后数据不会丧失。ROM 和RAM 指的都是半导体存储器，ROM 是 Read Only Memory 的缩写，RAM 是Random Access Memory 的缩写。ROM 在系统停顿供电的时候仍旧可以保持数据，而RAM 通常都是在掉电之后就丧失数据，典型的RAM 就是计算机的内存。RAM 又可分为SRAMStatic RAM/静态存储器和DRAMDynamic RAM/动态存储器。SRAM 是利用双稳态触发器来保存信息的，只要不掉电，信息是不会丧失的。DRAM 是利用 MOS金属氧化物半导体电容存储电荷来储存信息，因此必需通过不停的 给电容充电来维持信息，所以DRAM 的本钱、集成度、功耗等明显优于SRAM。 SRAM 速度格外快， 是目前读写最快的存储设备了，但是它也格外昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU 的一级缓冲，二级缓冲。DRAM 保存数据 的时间很短，速度也比 SRAM 慢，不过它还是比任何的ROM 都要快，但从价格上来说DRAM 相比SRAM 要廉价很多，计算机内存就是DRAM 的。而通常人们所说的 SDRAM 是 DRAM 的一种，它是同步动态存储器，利用一个单一的系统时钟同步全部的地址数据和掌握信号。使用 SDRAM 不但能提高系统表现，还能简化设计、供给高速的数据传输。在嵌入式系统中常常使用。ROM 也有很多种，PROM 是可编程的ROM，PROM 和 EPROM可擦除可编程ROM两者区分是，PROM 是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修 改了，这种是早期的产品， 现在已经不行能使用了，而 EPROM 是通过紫外光的照耀擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM 是通过电子擦 出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。Flash 也是一种非易失性存储器掉电不会丧失，它擦写便利，访问速度快，已大大取代了传统的 EPROM 的地位。由于它具有和 ROM 一样掉电不会丧失 的特性，因此很多人称其为 Flash ROM。FLASH 存储器又称闪存，它结合了 ROM 和RAM 的特长，不仅具备电子可擦出可编程EEPROM的性能，还不会断电丧失数据同时可以快速读 取数据NVRAM 的优势，U 盘和MP3 里用的就是这种存储器。在过去的 20 年里，嵌入式系统始终使用 ROMEPROM作为它们的存储设备，然而近 年来Flash 全面代替了ROMEPROM在嵌入式系统中的地位，用作存储bootloader 以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用U 盘。目前 Flash 主要有两种NOR Flash 和 NADN Flash。NOR Flash 的读取和我们常见的SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH 里面的代码，这样可以削减 SRAM 的容量从而节约了本钱。NAND Flash 没有实行内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一快的形式来进展的，通常是一次读取512 个字节，承受这种技术的Flash 比较廉价。用户 不能直接运行 NAND Flash 上的代码，因此好多使用 NAND Flash 的开发板除了使用NAND Flah 以外，还作上了一块小的NOR Flash 来运行启动代码。一般小容量的用NOR Flash，由于其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH 应用是嵌入式系统承受的DOCDisk On Chip和我们通常用的“闪盘”，可以在线擦除。目前市面上的 FLASH 主要来自Intel，AMD， Fujitsu 和 Toshiba，而生产 NAND FlashROM 指的是“只读存储器”，即 Read-Only Memory。这是一种线路最简洁半导体电路，通过掩模工艺， 一次性制造，其中的代码与数据将永久保存(除非坏掉)，不能进展修改。这玩意一般在大批量生产时才会被用的，优点是本钱低、 格外低，但是其风险比较大，在产品设计时，假设调试不彻底，很简洁造成几千片的费片，行内话叫“掩砸了”！PROM 指的是“可编程只读存储器”既 Programmable Red-Only Memory。这样的产品只允许写入一次，所以也被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM 在出厂时，存储的内容全为 1，用户可以依据需要将其中的某些单元写入数据 0(局部的 PROM 在出厂时数据全为 0，则用户可以将其中的局部单元写入 1)， 以实现对其“编程”的目的。PROM 的典型产 品是“双极性熔丝构造”，假设我们想改写某些单元，则可以给这些单元通以足够大的电流，并维持肯定的时间，原先的熔丝即可熔断，这样就到达了改写某些位的效果。另外一类经典的 PROM 为使用“肖特基二极管”的 PROM，出厂时，其中的二极管处于反向截止状态，还是用大电流的方法将反相电压加在“肖特基二极管”，造成其永久性击穿即可。EPROM 指的是“可擦写可编程只读存储器”，即 Erasable Programmable Read-Only Memory。 它的特点是具有可擦除功能，擦除后即可进展再编程，但是缺点是擦除需要使用紫外线照耀肯定的时间。这一类芯片特别简洁识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的 EPROM 芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住， 以防止遭到阳光直射。EEPROM 指的是“电可擦除可编程只读存储器”，即 Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。它的最大优点是可直接用电信号擦除，也可用电信号写入。EEPROM 不能取代 RAM 的原应是其工艺简单， 消耗的门电路过多， 且重编程时间比较长，同时其有效重编程次数也比较低。Flash memory 指的是“闪存”，所谓“闪存”，它也是一种非易失性的内存，属于EEPROM 的改进产品。它的最大特点是必需按块(Block)擦除(每个区块的大小不定，不同厂家的产品有不同的规格)， 而 EEPROM 则可以一次只擦除一个字节(Byte)。目前“闪存”被广泛用在 PC 机的主板上，用来保存 BIOS 程序， 便于进展程序的升级。其另外一大应用领域是用来作为硬盘的替代品，具有抗 震、速度快、无噪声、耗电低的优点，但是将其用来取代 RAM 就显得不适宜， 由于 RAM 需要能够按字节改写，而 Flash ROM 做不到。一、闪存简介Flash-ROM闪存已经成为了目前最成功、流行的一种固态内存，与 EEPROM 相比具有读写速度快，而与 SRAM 相比具有非易失、以及价廉等优势。而基于 NOR 和 NAND 构造的闪存是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。 Intel 于1988 年首先开发出 NOR flash 技术，彻底转变了原先由 EPROM 和 EEPROM 一统天下的局面。紧接着，1989 年东芝公司发表了 NAND flash 技术后将该技术无偿转让给韩国 Samsung 公司，强调降低每比特的本钱，更高的性能， 并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍旧有相当多的工程师分不清 NOR 和 NAND 闪存，也搞不清楚 NAND 闪存技术相对于 NOR 技术的优越之处，由于大多数状况下闪存只是用来存储少量的代码，这时 NOR 闪存更适合一些。而 NAND 则是高资料存储密度的抱负解决方案。NOR 的特点是芯片内执行XIP，eXecute In Place，这样应用程序可以直接在闪存内运行，不必再把代码读到系统 RAM 中。NOR 的传输效率很高，在 1 4MB 的小容量时具有很高的本钱效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NAND 构造能供给极高的单元密度，可以到达高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快，这也是为何全部的 U 盘都使用 NAND 闪存做为存储介质的缘由。应用 NAND 的困难在于闪存和需要特别的系统接口。二、性能比较闪存是非易失内存，可以对称为块的内存单元块进展擦写和再编程。任何闪存 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进展，所以大多数状况下，在进展 写入操作之前必需先执行擦除。NAND 器件执行擦除操作是格外简洁的，而NOR 则要求在进展擦除前先要将目标块内全部的位都写为 0。由于擦除 NOR 器件时是以 64128KB 的块进展的，执行一个写入/擦除操作的时间为 5s，与此相反，擦除 NAND 器件是以 832KB 的块进展的，执行一样的操作最多只需要 4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了 NOR 和 NAND 之间的性能差距，统计说明，对于给定的一套写入操作尤其是更小文件时，更多的擦除操作必需在基于 NOR 的单元中进展。这样，中选择存储解决方案时，设计师必需权衡以下的各项因素。1) NOR 的读速度比 NAND 稍快一些。2) NAND 的写入速度比 NOR 快很多。3) NAND 的 4ms 擦除速度远比 NOR 的 5s 快。大多数写入操作需要先进展擦除操作。4) AND 的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。三、接口差异NOR 闪存带有 SRAM 接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很简洁地存取其内部的每一个字节。NAND 闪存使用简单的 I/O 口来串行地存取资料，各个产品或厂商的方法可能各不一样。8 个引脚用来传送掌握、地址和资料信息。NAND 读和写操作承受 512 字节的块，这一点有点像硬盘治理此类操作，很自然地，基于 NAND 的闪存就可以取代硬盘或其它块设备。四、容量和本钱NAND 闪存的单元尺寸几乎是 NOR 闪存的一半，由于生产过程更为简洁，NAND 构造可以在给定的模具尺寸内供给更高的容量，也就相应地降低了价格。NOR 闪存容量为 11116MB 闪存市场的大局部，而 NAND 闪存只是用在8MB 以上的产品当中，这也说明 NOR 主要应用在代码存储介质中，NAND 适合于资料存储，NAND 在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards 和 MMC 存储卡市场上所占份额最大。五、牢靠性和耐用性承受闪存介质时一个需要重点考虑的问题是牢靠性。对于需要扩展 MTBF 的系统来说，闪存是格外适宜的存储方案。可以从寿命耐用性、位交换和坏 块处理三个方面来比较 NOR 和 NAND 的牢靠性。寿命耐用性在 NAND 闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而 NOR 的擦写次数是十万次。NAND 内存除了具有 10：1 的块擦除周期优势，典型的NAND 块尺寸要比 NOR 器件小 8 倍，每个 NAND 内存块在给定的时间内的删除次数要少一些。位交换全部闪存器件都受位交换现象的困扰。在某些状况下很少见， NAND 发生的次数要比 NOR 多，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是假设发生在一个关键文件上，这个小小的故障 可能导致系统停机。假设只是报告有问题，多读几次就可能解决了。固然，假设这个位真的转变了，就必需承受错误探测/错误订正EDC/ECC算法。位反转的问题更多见于 NAND 闪存，NAND 的供货商建议使用 NAND 闪存的时候，同时使用 EDC/ECC 算法。这个问题对于用 NAND 存储多媒体信息时倒不是致命的。固然，假设用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其它敏感信息时，必需使用 EDC/ECC 系统以确保牢靠性。坏块处理NAND 器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消退坏块的努力，但觉察成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND 器件需要对介质进展初始化扫描以觉察坏块，并将坏块标记为不行用。在已制成的器件中，假设通过牢靠的方法不能进展这项处理，将导致高故障率。六、易于使用可以格外直接地使用基于 NOR 的闪存，可以像其它内存那样连接，并可以在上面直接运行代码。由于需要 I/O 接口，NAND 要简单得多。各种 NAND 器件的存取方法因厂家而异。在使用 NAND 器件时，必需先写入驱动程序，才能连续执行其它操作。向NAND 器件写入信息需要相当的技巧，由于设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在 NAND 器件上自始至终都必需进展虚拟映像。七、软件支持当争论软件支持的时候，应当区分根本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿 真和闪存治理算法的软件，包括性能优化。在 NOR 器件上运行代码不需要任何的软件支持，在 NAND 器件上进展同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序MTD，NAND 和 NOR 器件在进展写入和擦除操作时都需要 MTD。八、典型的 NOR 闪存Strata FlashStrata Flash 是 Intel 公司产的典型 Nor Flash，本机使用的Strata Flash是该系列中的 28F320J3，该闪存的内部规律框图如图 10-1：它的特性如下：1) 问速度有 110ns/120ns 和 150ns 共 3 檔2) 具备 128bit 加密存放器3) 块尺寸：128KB九、典型的 NAND 闪存K9S5608K9S5608 是韩国 Samsung 公司所产的 256MBit32MByte SMC 卡外形封装成卡片形式的 NAND 闪存。以下图是 K9S5608 的内部规律框图。图 10-2K9S5608 具有以下特性：（1） 32MByte 存储空间的构造为：32M1024Kbit×8bit见图 10-3（2） 支持自动编程和擦除模式（3） 10uS 随即页面读写（4） 200uS 快速页面擦除周期（5） 具备硬件写保护功能（6） 擦/写寿命：10 万次（7） 资料保存寿命：10 年RAM 有两大类：1) 静态 RAMStatic RAM / SRAM，SRAM 速度格外快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也格外昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如 CPU 的一级缓冲，二级缓冲。2) 动态 RAMDynamic RAM / DRAM，DRAM 保存数据的时间很短，速度也比 SRAM 慢，不过它还是比任何的 ROM 都要快，但从价格上来说 DRAM 相比 SRAM 要廉价很多，计算机内存就是 DRAM 的。DRAM 分为很多种，常见的主要有 FPRAM / Fast、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM 以及 WRAM 等，这里介绍其中的一种 DDR RAM。DDR RAMDouble-Date-Rate RAM也称作 DDR SDRAM，这种改进型的 RAM 和 SDRAM 是根本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着本钱优势，事实上击败了Intel 的另外一种内存标准Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM 来提高带宽，这可以大幅度提高 3D 加速卡的像素渲染力量。ROM 也有很多种：1) PROM(可编程 ROM)，是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了， 这种是早期的产品，现在已经不行能使用了；2) EPROM (可擦除可编程 ROM)，是通过紫外光的照耀擦出原先的程序，是一种通用的存储器。3) EEPROM，是通过电子擦除，价格很高，写入时间很长，写入很慢。举个例子，手机软件一般放在 EEPROM 中，我们打 ，有些最终拨打的号码，临时是存在 SRAM 中的，不是马上写入通话记录通话记录保存在 EEPROM 中，由于当时有很重要工作通话要做，假设写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。内存工作原理内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序，我们寻常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即 DRAM)。动态内存中所谓的“动态”，指的是当我们将数据写入 DRAM 后，经过一段时间，数据会丧失，因此需要一个额外设电路进展内存刷操作。具体的工作过程是这样的：一个 DRAM 的存储单元存储的是 0 还是 1 取决于电容是否有电荷，有电荷代表 1，无电荷代表 0。但时间一长，代表 1 的电容会放电，代表 0 的电容会吸取电荷，这就是数据丧失的缘由。刷操作定期对电容进展检查，假设电量大于满电量的 12，则认为其代表 1，并把电容布满电；假设电量小于 12，则认为其代表 0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。Flash 存储器FLASH 存储器又称闪存，它结合了 ROM 和 RAM 的特长，不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能，还不会断电丧失数据同时可以快速读取数据(NVRAM 的优势)，U 盘和 MP3 里用的就是这种存储器。在过去的 20 年里，嵌入式系统始终使用 ROM (EPROM)作为它们的存储设备， 然而近年来 Flash 全面代替了 ROM (EPROM)在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader 以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用U 盘。目前 Flash 主要有两种 NOR Flash 和 NAND Flash。NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码，这样可以削减 SRAM 的容量从而节约了本钱。NAND Flash 没有实行内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进展的，通常是一次读取 512 个字节，承受这种技术的 Flash 比较廉价。用户不能直接运行 NAND Flash 上的代码，因此好多使用 NAND Flash 的开发板除了使用 NAND Flash 以外，还用一块小的 NOR Flash 来运行启动代码。一般小容量的用 NOR Flash，由于其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息。而大容量的用 NAND FLASH，最常见的 NAND FLASH 应用是嵌入式系统承受的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的“闪盘“，可以在线擦除。目前市面上的 FLASH 主要来自 Intel，AMD，Fujitsu 和 Toshiba，而生产NAND Flash 的主要厂家有 Samsung 和 Toshiba。NOR 和 NAND 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel 于 1988 年首先开发出 NOR flash 技术，彻底转变了原先由 EPROM 和EEPROM 一统天下的局面。紧接着，1989 年，东芝公司发表了 NAND flash 构造，强调降低每比特的本钱，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍旧有相当多的硬件工程师分不清 NOR 和 NAND 闪存。“flash 存储器“常常可以与相“NOR 存储器“互换使用。很多业内人士也搞不清楚 NAND 闪存技术相对于 NOR 技术的优越之处，由于大多数状况下闪存只是用来存储少量的代码，这时 NOR 闪存更适合一些。而 NAND 则是高数据存储密度的抱负解决方案。NOR 是现在市场上主要的非易失闪存技术。NOR 一般只用来存储少量的代码，NOR 主要应用在代码存储介质中。NOR 的特点是应用简洁、无需特地的接口电路、传输效率高，它是属于芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在(NOR 型) flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统 RAM 中。在 14MB 的小容量时具有很高的本钱效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NOR flash 带有 SRAM 接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很简洁地存取其内部的每一个字节。NOR flash 占据了容量为 116MB 闪存市场的大局部。NAND 构造能供给极高的单元密度，可以到达高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用 NAND 的困难在于 flash 的治理和需要特别的系统接口。1) 性能比较flash 闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进展擦写和再编程。任何 flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进展，所以大多数状况下，在进展写入操作之前必需先执行擦除。NAND 器件执行擦除操作是格外简洁的，而 NOR 则要求在进展擦除前先要将目标块内全部的位都写为 1。由于擦除 NOR 器件时是以 64128KB 的块进展的，执行一个写入/擦除操作的时间为 5s，与此相反，擦除NAND 器件是以 832KB 的块进展的，执行一样的操作最多只需要 4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了 NOR 和 NADN 之间的性能差距，统计说明，对于给定的一套写入操作(尤其是更小文件时)，更多的擦除操作必需在基于 NOR 的单元中进展。这样，中选择存储解决方案时，设计师必需权衡以下的各项因素：a、 NOR 的读速度比 NAND 稍快一些； b、 NAND 的写入速度比 NOR 快很多；c、 NAND 的 4ms 擦除速度远比 NOR 的 5s 快； d、 大多数写入操作需要先进展擦除操作；e、 NAND 的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。2) 接口差异NOR flash 带有 SRAM 接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很简洁地存取其内部的每一个字节。NAND 器件使用简单的 I/O 口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不一样，8 个引脚用来传送掌握、地址和数据信息。NAND 读和写操作承受 512 字节的块，这一点有点像硬盘治理此类操作，很自然地，基于 NAND 的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。3) 容量和本钱NAND flash 的单元尺寸几乎是 NOR 器件的一半，由于生产过程更为简洁， NAND 构造可以在给定的模具尺寸内供给更高的容量，也就相应地降低了价格。NOR flash 占据了容量为 116MB 闪存市场的大局部，而 NAND flash 只是用在 8128MB 的产品当中，这也说明NOR 主要应用在代码存储介质中，NAND 适合于数据存储，NAND 在 CompactFlash、Secure Digital、PC Cards 和 MMC 存储卡市场上所占份额最大。4) 牢靠性和耐用性承受 flahs 介质时一个需要重点考虑的问题是牢靠性，对于需要扩展 MTBF 的系统来说，Flash 是格外适宜的存储方案，可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较 NOR 和 NAND 的牢靠性。a、 寿命(耐用性)在 NAND 闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而 NOR 的擦写次数是十万次，NAND 存储器除了具有 10 比 1 的块擦除周期优势。典型的 NAND 块尺寸要比 NOR 器件小 8 倍，每个 NAND 存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。b、 位交换全部 flash 器件都受位交换现象的困扰。在某些状况下(很少见，NAND 发生的次数要比 NOR 多)，一个比特(bit)位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是假设发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。假设只是报告有问题，多读几次就可能解决了。固然，假设这个位真的转变了，就必需承受错误探测/错误更正(EDC/ECC) 算法。位反转的问题更多见于 NAND 闪存，NAND 的供给商建议使用 NAND 闪存的时候，同时使用 EDC/ECC 算法。这个问题对于用 NAND 存储多媒体信息时倒不是致命的。固然，假设用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必需使用 EDC/ECC 系统以确保牢靠性。c、坏块处理NAND 器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消退坏块的努力，但觉察成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND 器件需要对介质进展初始化扫描以觉察坏块，并将坏块标记为不行用。在已制成的器件中，假设通过牢靠的方法不能进展这项处理，将导致高故障率。5) 易于使用可以格外直接地使用基于 NOR 的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。由于需要 I/O 接口，NAND 要简单得多。各种NAND 器件的存取方法因厂家而异。在使用 NAND 器件时，必需先写入驱动程序，才能连续执行其他操作。向 NAND 器件写入信息需要相当的技巧，由于设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND 器件上自始至终都必需进展虚拟映射。6) 软件支持当争论软件支持的时候，应当区分根本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存治理算法的软件，包括性能优化。在 NOR 器件上运行代码不需要任何的软件支持，在 NAND 器件上进展同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND 和 NOR 器件在进展写入和擦除操作时都需要 MTD。使用 NOR 器件时所需要的 MTD 要相对少一些，很多厂商都供给用于 NOR 器件的更高级软件，这其中包括 M-System 的 TrueFFS 驱动，该驱动被 Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian 和 Intel 等厂商所承受。驱动还用于对 DiskOnChip 产品进展仿真和 NAND 闪存的治理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。NOR FLASH 的主要供给商是 INTEL、MICRO 等厂商，曾经是 FLASH 的主流产品，但现在被 NAND FLASH 挤的比较难过。它的优点是可以直接从 FLASH 中运行程序，但是工艺简单，价格比较贵。NAND FLASH 的主要供给商是 SAMSUNG 和东芝，在 U 盘、各种存储卡、MP3 播放器里面的都是这种 FLASH，由于工艺上的不同，它比 NOR FLASH 拥有更大存储容量，而且廉价。但也有缺点，就是无法寻址直接运行程序，只能存储数据。另外 NAND FLASH 格外简洁消灭坏区，所以需要有校验的算法。在掌上电脑里要使用 NAND FLASH 存储数据和程序，但是必需有 NOR FLASH 来启动。除了 SAMSUNG 处理器，其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND FLASH 启动程序。因此，必需先用一片小的 NOR FLASH 启动机器，在把 OS 等软件从 NAND FLASH 载入 SDRAM 中运行才行，挺麻烦的。总结DRAM 利用 MOS 管的栅电容上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会全部的丧失，由于栅极会漏电，所以每隔肯定的时间就需要一个刷机构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一次数据之后也需要补充电荷，这个就叫动态刷，所以称其为动态随机存储器。由于它只使用一个 MOS 管来存信息，所以集成度可以很高，容量能够做的很大。SDRAM 比它多了一个与 CPU 时钟同步。SRAM 利用存放器来存储信息，所以一旦掉电，资料就会全部丧失，只要供电，它的资料就会始终存在，不需要动态刷，所以叫静态随机存储器。以上主要用于系统内存储器，容量大，不需要断电后仍保存数据的。Flash ROM 是利用浮置栅上的电容存储电荷来保存信息，由于浮置栅不会漏电，所以断电后信息仍旧可以保存。也由于其机构简洁所以集成度可以做的很高，容量可以很大。Flash rom 写入前需要用电进展擦除，而且擦除不同，EEPROM 可以以 byte(字节)为单位进展，flash rom 只能以 sector(扇区)为单位进展。不过其写入时可以 byte 为单位。flash rom 主要用于 bios，U 盘，Mp3 等需要大容量且断电不丢数据的设备。