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    (1.2)--1.1.2 杂质半导体模拟电子技术.ppt

    • 资源ID:96638355       资源大小:4.80MB        全文页数:11页
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    (1.2)--1.1.2 杂质半导体模拟电子技术.ppt

    电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuan杂质半导体完全纯净的、结构完整的半导体晶体,称为本征半导体。本征半导体本征半导体中存在数量相等的两种载流子,即自由电子和空穴。它们都是受热激发而产生的,数量很少,所以本征半导体的导电能力很弱。电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuan往纯净的半导体中掺入某些杂质,使某种载流子浓度增加,会使它的导电能力明显改变。杂质半导体电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuan使自由电子浓度大大增加的杂质半导体称为N型半导体(电子半导体);使空穴浓度大大增加的杂质半导体称为P型半导体(空穴半导体)。NegativePositive杂质半导体电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuanN型半导体(Negative)+4+4+5+4多余电子磷原子(施主原子)1电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuanN型半导体中的载流子123由杂质原子(施主原子)提供的电子,浓度与杂质原子相同。本征半导体中成对产生的电子和空穴。掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度,所以,自由电子浓度远大于空穴浓度。多数载流子(多子):自由电子少数载流子(少子):空穴电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuan+4+4+3+4空穴硼原子(受主原子)P型半导体(Positive)2电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuanP型半导体中的载流子123由杂质原子(受主原子)提供的空穴,浓度与杂质原子相同。本征半导体中成对产生的电子和空穴。多数载流子(多子):空穴少数载流子(少子):自由电子电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuanP型半导体+N型半导体3杂质半导体的示意表示法电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuan要点0102P(Positive)型半导体中,空穴是多子,电子是少子。N(Negative)型半导体中,电子是多数载流子(多子),空穴是少子。杂质半导体电工电子学教学中心电工电子学教学中心UPC-zhoulanjuan休息一会

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