(1.8)--1.3.3 半导体二极管的主要参数.ppt

半导体二极管的主要参数电工电子学教学中心电工电子学教学中心UPC-zhoulanjuan半导体二极管的主要参数u二极管的主要参数u二极管的型号u二极管的温度特性半导体二极管的参数包括最大整流电流IF、反向击穿电压UBR、最大反向工作电压URM、反向电流IR、最高工作频率fM、结电容Cj等。一、半导体二极管的参数电工电子学教学中心电工电子学教学中心UPC-zhoulanjuan最大整流电流 IF1二极管长期连续工作时，允许通过二极管的 最 大 整 流 电 流 的平均值。ui反向击穿电压UBR和最大反向工作电压URM2二极管反向电流急剧增加时对 应 的 反 向 电 压 值 称 为反向击穿电压UBR。最大反向工作电压URM一般只按反向击穿电压UBR的一半计算。ui电工电子学教学中心电工电子学教学中心UPC-zhoulanjuan反向电流IR3硅二极管:锗二极管:纳安(nA)级微安(A)级正向压降UF (UD)在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流二极管的正向压降在中等电流水平下，硅管约0.60.8V；锗管约0.20.3V。4uiQ为静态(Quiescent)工作点，即 在 直 流 偏 置 下 管 子 的电压与电流。ID越大，RD越小，RD为非线性电阻。直流电阻 RDiDuDIDUDQ5rd是二极管特性曲线工作点Q附 近 电 压 的 变 化 与电流的变化之比：显然，rd是Q附近的微小变化量的电阻。动态（交流）电阻 rdiDuDIDUDQ iD UD6动态（交流）电阻 rdiDuDIDUDQ iD UD6ID越大，rd越小，且rdRD 动态电阻表示导体（或半导体）电流随电压变化的快慢或趋势。国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：二、半导体二极管的型号三、半导体二极管的温度特性温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流将呈指数规律增加。硅管温度每增加8，反向电流约增加一倍；锗管温度每增加12，反向电流约增加一倍。温度升高时，二极管的正向压降减小，每 增 加 1，正 向 压 降 UF(UD)大 约减小2mV，即具有负的温度系数。三、半导体二极管的温度特性 温度对二极管伏安特性曲线的影响:要点01对于二极管的参数，了解即可，理解为主。02器件参数具有分散性，不同型号、不同批次的器件的参数都是有差异的。二极管电路计算中，一般用近似估算法。03半导体二极管的主要参数电工电子学教学中心电工电子学教学中心UPC-zhoulanjuan休息一会