(30)--1.1.2 杂质半导体模拟电子技术.pdf
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(30)--1.1.2 杂质半导体模拟电子技术.pdf
常用半导体器件模拟电子技术基础半导体基础知识半导体二极管晶体三极管123目 录4场效应管342半导体二极管晶体三极管场效应管半导体基础知识u 本征半导体u 杂质半导体u PN结及特性u 杂质半导体N型P型1.1.2 杂质半导体+5一、N型半导体+5自由电子1、形成：在本征半导体内掺入少量的五价元素。2、掺杂的结果：每掺入一个五价元素，产生一个自由电子和一个不导电的杂质正离子。+3、载流子数量关系：自由电子=空穴+杂质正离子施主原子自由电子为多数载流子(简称多子)，空穴为少数载流子(简称少子)。注意：杂质正离子只参与晶体结构，不能移动，故不是载流子。杂质正离子N型P型1.1.2 杂质半导体4、N型半导体结构模型空穴(少子)杂质正离子自由电子（多子）结论：N型半导体主要靠自由电子导电，掺杂浓度越高，导电能力就越强。P型N型1.1.2 杂质半导体+3二、P型半导体1、形成：在本征半导体内掺入少量的三价元素。2、掺杂的结果：每掺入一个三价元素，产生一个空穴和一个不导电的杂质负离子。3、载流子数量关系：空穴=自由电子+杂质负离子受主原子空穴为多数载流子(简称多子)，自由电子为少数载流子(简称少子)。注意：杂质负离子只参与晶体结构，不能移动，故不是载流子。杂质负离子空穴空穴P型N型1.1.2 杂质半导体空穴（多子）杂质负离子自由电子（少子）4、P型半导体结构模型结论：P型半导体主要靠空穴导电，掺杂浓度越高，导电能力就越强。半导体导电特性半导体类型载流子种类载流子来源载流子数量关系本征半导体自由电子和空穴本征激发空穴=自由电子P型半导体自由电子和空穴本征激发和掺杂空穴=自由电子+杂质负离子N型半导体自由电子和空穴本征激发和掺杂自由电子=空穴+杂质正离子三种半导体中的载流子比较注意：杂质正离子和杂质负离子只参与晶体框架结构，并不能导电，故不是载流子 小 结
