(36)--1.3.2 晶体管电流放大作用.pdf
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(36)--1.3.2 晶体管电流放大作用.pdf
常用半导体器件模拟电子技术基础半导体基础半导体二极管晶体三极管123目 录4场效应管u 晶体管的结构和符号u 晶体管的电流放大作用u 晶体管的伏安特性及参数u 晶体管的等效电路u 晶体管的电流放大作用晶体管结构及放大作用常见外形结构和符号电流放大作用一、放大的外部条件：发射结正偏、集电结反偏PNPVBVEVCVE集电结反偏:VC VB BECNNPEBRBECRC 无论NPN、PNP型，B极电位都居中；UBE=0.7V(Si)或0.3V(Ge)；NPN管，C极电位最高；PNP管，C极电位最低。晶体管结构及放大作用常见外形结构和符号电流放大作用二、三极管内部载流子的运动过程(1)“多子”在发射区与基区之间的扩散与复合(2)“少子”在基区与集电区之间的漂移与复合BRcVCCRbVBBECCEBVBBRbICIB形成基极电流和不平衡载流子。形成集电极电流。晶体管结构及放大作用常见外形结构和符号电流放大作用三、三极管的电流分配关系CBOCNCIII 1CBCBOIII 32CBBIIII 321CNEIIIII BCB1CNIIII ECBIIII3I1VBB三极管的电流分配关系ICBOIEICIBICBI2RbVCCRcICN证明：BCII 集电结反向饱和电流BCBOCNIII 晶体管结构及放大作用常见外形结构和符号电流放大作用四、晶体管的共射电流放大系数1、共射直流电流放大系数：CBOBCBOCIIII-CBOBC)(III1，ICEO 称穿透电流。CBOCEO)(II 1整理可得：消耗多子的电流消耗多子的电流剩余多子的电流剩余多子的电流 _则：CEOBCIII令：BC II BE)(II 1一般情况下，IBICBO，则:1I3I1VBBICBOIEICIBICBI2RbVCCRcICN321CNIIII 晶体管结构及放大作用常见外形结构和符号电流放大作用2、共射交流电流放大系数：BCii BCEOBCCCiIIiI i若忽略ICEO，则：BBBC)(iiIi 在 不太大的情况下，可以认为：Bi因为：四、晶体管的共射电流放大系数BCii 所以：BBCiIiBBBiI i 晶体管结构及放大作用 掌握晶体管放大条件；掌握晶体管的电流分配关系；了解共射电流放大系数的定义。晶体管放大的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。学习要求：小 结在放大状态下，晶体管的电流分配关系是：ECBIIIBCEOBCIIII BE)(1II BCii
