(4)--M1-1_1.1.3 PN结(1)-PN结的形成模拟电子技术.pdf

1.1 半导体基础知识 1.1.3 PN结（1）第第1 1章章 常常用用半半导导体体器器件件【新问题】把一【新问题】把一块块P P型半导体和型半导体和一块一块NN型半导体型半导体接触在一起，会接触在一起，会发生什么？发生什么？【回顾】【回顾】P型半导体？型半导体？N型半导体？型半导体？1.1.3 PN结1.1 半导体基础知识半导体基础知识 P型半导体N型半导体1.1.3 PN结1.1 半导体基础知识半导体基础知识 l P区的多子空穴向区的多子空穴向N区扩散，区扩散，N区的多子电子向区的多子电子向P区扩散，区扩散，形成多子的形成多子的扩散运动扩散运动.l 扩散运动使靠近接触面扩散运动使靠近接触面P区的区的空穴浓度降低（空间呈负电空穴浓度降低（空间呈负电荷）、靠近接触面荷）、靠近接触面N区的自由区的自由电子浓度降低电子浓度降低（空间呈正电（空间呈正电荷）荷），产生，产生内电场内电场.当把一块当把一块P型半导体和一块型半导体和一块N型型半导体接触在一起时半导体接触在一起时.1.1.3 PN结1.1 半导体基础知识半导体基础知识 l 当参与扩散运动和漂移运动的载流当参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同时，达到动态平衡，形子数目相同时，达到动态平衡，形成了一个稳定的空间区域：成了一个稳定的空间区域：P区呈区呈负电荷、负电荷、N区呈正电荷，称为区呈正电荷，称为空间空间电荷区电荷区，或者，或者PN结结。l 内电场一方面抑制扩散运动的进行，内电场一方面抑制扩散运动的进行，另一方面使另一方面使P区的少子电子从区的少子电子从P区向区向N 区运动、使区运动、使N区的少子空穴区的少子空穴从从N区向区向P区运动，称为区运动，称为漂移运动漂移运动。1.1.3 PN结1.1 半导体基础知识半导体基础知识 l 耗尽层近似耗尽层近似：在空间电荷区在空间电荷区内，忽略载流子的电荷作用，内，忽略载流子的电荷作用，只考虑固定离子的电荷。只考虑固定离子的电荷。PN结结或者或者空间电荷区又称空间电荷区又称为为耗尽层耗尽层。l 势垒势垒：从：从P区到区到N区，跨过空区，跨过空间电荷区时，间电荷区时，由于内电场的存由于内电场的存在，会升高一个电位差在，会升高一个电位差Uho（势势垒电压垒电压、或、或势垒电位差势垒电位差）。1.1.3 PN结1.1 半导体基础知识半导体基础知识 可否将可否将PNPN结当电池使结当电池使用，对外提用，对外提供电能？供电能？1.1.3 PN结1.1 半导体基础知识半导体基础知识 本讲小结