电子元器件工艺信息调查表.docx
重子元器件工艺信息调查表迪普申请人填写元器件厂家器件名称POE变压器器件型号供应商填与如下所有内容填表人 职务审核人 职务批准人 职务填表人电话邮箱其他厂家填写内容填写要求用于 焊接/ 压接 的引 脚或 者端SMD、THT、压接 器件引脚引脚/端子基材磷青纲参考附表2 '基体材料要求'表面镀层材料成分SnAgCu参考附表3 '外镀层材料要求1 .表面镀层不允许选用银（Ag）和凫锡（bright Tin）2 .如果外镀层不满足上述要求，根据J-STD-002C提供可焊接性测试报告，根据JESD22Al21提供锡须测试报告平均厚度6.2 （微米）制作工艺熟短阻挡层/ 中间层材料成分Ni参考附表4 '中间镀层材料要求工平均厚度2.1 （微米）封装尺寸封装尺寸，公差满足JEDEC 95 Design Guide设计要求封装信息焊球排数子材 料焊球间距BGA封装焊球成份无铅参考附表1 'BGA焊球成份和表面镀层要求如果焊球成 份不满足要求,参考IPC-9701和IPC-9702提供相应的可靠 性测试报告有铅BGA侧焊 盘信息焊盘直径表面处理连接接触点基体材料连接器类填写该项；BGA形式的连接器需要填写该项和 BGA封装项。材料成分表面镀层平均厚度（微米）制作工艺器非塑胶壳体基体材料引脚颜色部分材料成分材料表面镀层平均厚度（微米）金属壳体制作工艺阻挡层/ 中间层材料成分平均厚度（微米）元器表贴器件Reel优选卷带包装和盘式包装插装器件优选卷带包装和管式包装压接器件不可选用散装件包 装及存储周期出厂到可焊接的正常存储期限（12 ）月一般器件通常2年，至少1年；压敏和热敏电阻通常1年， 最少半年。存储潮敏等级3不推荐4、5级，不允许6级静电等级门限电压门限电压100V及以下不允许；参考MIL-STD-883 Method3015.7静电包材静电敏感器件的包材必须是防静电材料防潮包装潮敏大于2级必须使用防潮包装组装工艺焊接方式流焊回流焊，波峰焊，压接，手工补焊，中的一种或多种器件重量3.20g(±5%)正常焊接 受热次数4表贴器件需要承受双面回流+1次手工返修，4次受热插件能承受1次波峰焊焊+1次手工返修，3次受热。回流焊器 件参数本体承温最高温度245参见J-STD-020D的表4-1和表4-2停留时间2040能否无铅回流加工可以能否机器贴装可以异形器件已设计吸嘴位置，包装满足机贴要求波峰焊器插件引脚在260+/-5C的焊锡槽中至少停留10秒,封装本 体在190的环境下至少停留10秒。能否无铅波峰焊加工插件能否通孔回流焊插件可否耐回流焊的高温，无铅回流焊260, 10秒可靠性测试报告/锡须测试报告列出报告附件的名称即可以下表格适用于含有硅芯片的器件，不相关器件免填器件识别器件标识器件上的标识，包括描述和使用的代码Die标识Die上用于识别器件的标记版本器件的版本信息Die片工生产地Die片的生产国家或者地区艺信息Die片基材基材材料，（如SOI,Si, GaAs, epi 等)Die片尺寸格式X*Y*Z封装地芯片封装的国家或者地区弓1线键键合材料键合线的材料键合方式键合线和键合点的加工方式封装工艺1Die-to-package 的1同尺寸键合点的尺寸，也是键合线的直径信自连接信息1 口足、倒装芯焊凸材料倒装芯片焊凸的材质|焊凸尺寸焊凸的直径热阻（ja）结到环境之间的热阻电性能测试地进行电性能测试的国家或者地区电性能测电性能测试报告试缺陷覆盖率测试方法和测试覆盖百分比可靠性测试报告参见正SD47D （包括HTOL, LTOL等）附表-引脚/端子材料要求BGA类要求表1 BGA焊球成份和焊盘表面处理要求引脚/端子类型优选可选不推荐面阵列器件焊球有铅材料Sn63Pb37Snl0Pb90, Sn62Pb36Ag2无铅材料SAC305xSAC405SnAgCu (Ag 含量 34%, Cu 含 量 0.5l%)其他无铅成份暂不 推荐BGA焊盘表面处理方式OSP电镀Ni/AuENIG非BGA类要求表2基体材料要求引脚/端子类型优选可选不推荐表贴器件引脚纯铜铜合金（铜锡，铜锌，铜银，磷青铜， 钺铜等）42号合金，Kovar插装器件引脚纯铜铜合金（铜锡，铜锌，铜锲，磷青铜， 镀铜等）铁及42号合金等Kovar片式电阻电容内电级AgPb, AgPt纯铜,银压接器件引脚钺铜磷青铜表3外镀层材料要求优选级别镀层种类镀层成份厚度要求优选镀层SnPb合金Sn260%； Pb3%电镀工艺：最薄25. lum,平均27.6um电镀+热熔：最薄22. 5um,平均27.6um 热浸工艺：平均25.lum金（Au）Au99.8%,底层为Ni闪金：0080.2um；化学银金0.050.2um;其他工艺：0250.8um锡(Sn)纯锡（暗锡），底层为Ni电镀工艺：最薄25. lum,平均N7. 6um电镀+热熔：最薄22. 5uni,平均N7.6uni 热浸工艺：平均25. lum；化学镀层20. 5umSnAgCu最薄25. lumPd底层为NiPd厚度20.075umPdAu底层为NiPd 厚度N0. 075um； 0. lumSiAu 厚度厚0. 02um可选镀层SnCuCu含量小于1%热浸工艺23um禁选镀层纯银（Ag）、亮锡（BrightTin）中间层材料要求基体材料可焊性镀层中间层要求材料厚度纯铜，铜合金(铜锡，同 银等)SnPb合金Ni或者不要中间层1.5um7.6um金(Au)Ni1.5um7.6umPdPdAuSnCuSnAgCu铜合金(铜锌,磷青铜， 镀铜等)，铁，2号合金等PdNi2.5um7.6umPdAuSnCuSnAgCu金(Au)纯锡(Sn)纯铜，铜合金(铜锡，同镇等)纯锡(Sn)Ni2.5um7.6um片式电阻、电容的内电极SnPb合金Ni2.5um7.6um纯锡(Sn)SnAgCu附图，镀层结构示意图中间层/阻挡层基材I器件载体外镀层I图1有引脚器件引脚镀层结构示意图保护涂层图2无引脚器件端子镀层结构示意图图3 BGA焊球和焊盘结构示意图
