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    2023年上海交通大学827材料科学基础试题.docx

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    2023年上海交通大学827材料科学基础试题.docx

    2023年上海交通大学材料科学根底考博试题回忆版材料科学根底:8选5。每题两问,每问10分,我当10个题说吧,好多我也记不清是那个题下的小问了。1o填空。你同学应当买那本材料科学根底习题了吧,看好那本此题就没多大问题,由于重 复性很强。2O论述刃位错和螺位错的异同点3o画晶面和晶向,立方密排六方肯定要会,不仅是低指数;三种晶型的一些参数象原子数 配位数之类的40计算螺位错的应力。那本习题也有类似的,此题连续考了两年,让你同学留意下此题5o置换固熔体、间隙固熔体的概念,并说明间隙固熔体、间隙相、间隙化合物的区分。那 本习题上有答案、6o集中系数定义,及对他的影响因素7o伪共晶定义,还有个相关的什么共晶吧,区分下。依据这概念似乎有个类似计算的题, 这我没做,不太记得了,总之就是共晶后面有点内容看下8O关于固熔的题,似乎是不同晶型影响固熔程度的题,我就记得当时我画了个铁碳相图举 例说明白下还有两个关于高分子的题,我没做也没看是啥题总之,我觉得复习材科把握课本及习题,习题很重要,有原题,而且我觉察交大考试重根底,根本 概念要搞清楚,就没问题。上海交通大学2023年材料科学根底考博试题回忆版5个大题,每个大题20分。下面列出的是材料科学根底的前五个大题,其中第一大题有几 个想不起来了,暂列9个。其实后边还有三道大题,一道是关于高分子的,一道是关于配位多面体的,还有最终一个是作 为一个材料工作者结合阅历谈谈对材料科学特别是对材料强韧化的看法和建议,我都没敢选。a)过冷度越大,临界晶核半径越小,形核功越小;b)过冷度越小,临界晶核半径越小。形核功越大;c)等等类似的。3、依据相图不能推断合金性能是a)工艺性b)使用性能d)机械性能4、铁碳相图在700摄氏度不行能消灭的组织a) a+P b) P+Fe3C d)Ld5、 Zr02中局部别子被Ca2+取代时会产生什么空位a)Zr离子空位b)0离子空位6、推断相界。A,B两相晶体构造一样,A相只有2、3个原子厚度,B相1cm,晶格常数相差 10%,会形成的相界a)共格b半共格c)非共格7、高分子熔点与晶片厚度的关系a)晶片厚度越小,熔点越高b)晶片厚度越大,熔点越高8、高分子支化、交联对高分子力学性能的影响a)这个看一下课本;9、乌尔夫网确定晶向晶面夹角的条件10、 以下物质CaF2、AI203,CsCI,NaCI点阵类型与其他不同的是a) CaF2 b) A120311、液晶态构造形成的构造条件12、固溶体中溶质原子的分布为偏聚态、无序分布状态、有序排列时的能量大小a)偏聚最大b)无序最大d)有序最大13、回复、再结晶阶段性能变化的特点如参与应力的释放、点缺陷下降哪个正确a)应力释放bj点缺陷下降C)oOO14、晶粒长大尺寸与其次相粒子尺寸和体积分数的关系a)其次相粒子尺寸越小,体积分数越大,晶粒尺寸越小b)其次相粒子尺寸越小,体积分数越小,晶粒尺寸越小c)其次相粒子尺寸越小,体积分数越大,晶粒尺寸越大15、 滑移时只有单一的滑移系开动的阶段是哪个阶段a)易滑移 阶段b)先行硬化阶段c)抛物线型硬化阶段二、计算题15x5这局部的题目往年根本上是晶体、位错、集中、相图、简述各一道题。今年与往年相比,减 去了简述题,增加了一道证明题。难度变化不是很大,证明题估量难倒了不少人,虽然大家 或 许记得那个结论,由于在上交版习题集里面有相应的选择题,但记证明过程的估量不是很 多,所 以大家复习的时候要面面俱到、1、1画晶向比较简洁,第三个貌似有一点问题,可能是题目出错了求分切应力onOOMPa.作用在001方向上,求作用在11110-1, ,两个滑移系上分切应力考点是课本171772页2、 计算面间距.a=3.6x10-8cm , GMOGPa , Esf=7x10-6J/CM2 a/210-1 T a/611-2+a/62-1-1+SF 求d3、在黄铜和铜组成集中偶中,在Matano面出的Zn的含量以及在另一处的含量,集中一小 时,求互集中系。不要求计算具体数值,列出结果并图示标记面移动的方向其次版P137- 141即柯肯达尔效应。具体数值不记得了,习题集上有类似的题目,几乎一样。4. (1)证明证明共晶成分合金棒状组织与层片转组织的两相题解分数的临界值是27. 6%;证 明过程P302-303解释常温冷却条件下珠光体为什么为层片状组织Q5、1包晶相图其次版269页Pt-Ag包晶图),画出公切线、给定成分的冷却曲线,相应 反响和平衡组织示意图。2画出不同温度下自由能成分曲线P256-2592023年上海交通大学博士争论生入学材料科学根底专业课今年材料科学根底共10道题每题10分;一、名称解释:克肯达尔效应、集中激活能、离异 共晶;二、从构造、能量角度分析晶界特点P128;三、比较分析四种强化方式及机理;四、 依据汤姆森四周体,解释分析面心立方晶体中的位;五、回复、再结晶、正常长大、二次长 大的驱动力和性;六、723方向受2Mpa力在111-;七、固溶体非平衡凝固特点; 八、层片状生长,怎么找今年材料科学根底共10道题每题10分。一、名称解释:克肯达尔效应、集中激活能、离异共晶、TTT曲线二、从构造、能量角度分析晶界特点P128三、比较分析四种强化方式及机理四、依据汤姆森四周体,解释分析面心立方晶体中的位错及位错反响P113五、回复、再结晶、正常长大、二次长大的驱动力和性能变化六、723方向受2Mpa力在111701滑移系上产生滑移,问:属于什么晶体构造; 临界分切应力为多少;标定滑移系七、固溶体非平衡凝固特点八、层片状生长,怎么找成球状之类的P308九、氢气瓶压力P0,厚度h,氢在钢瓶的浓度满足C=kP1/2瓶子外部为真空,问:稳态集中 条件下的集中通量表达式;怎么削减氢气集中逸出。十、给出Cu-Sb相图,问645 586 488三个条水平线,写出反响式;含Sb47%的冷却 过程曲线;画出Cu放在Sb中420时进展集中后的组织及成分范围。英语作文:有人摔倒了你是扶呢还是不扶呢?2023年上海交通大学博士争论生入学材料科学根底;今年的材料科学根底感觉比以前稍难, 主要题型不变:;名词解释就不多说了,都是根底的概念,应当没问题,;主要是几个大题,今 年计算证明题明显增多,考的范围;1、晶体构造结合汤姆森四周体综合题,写出晶面晶向;2、临界分切应力的推导,论证沿某一方向上的最小分;&二元相图计算,某一成分的 凝固组织,依据所需的;4、三元相2023年上海交通大学博士争论生入学材料科学根底 自己整理的回忆版供大家 学习今年的材料科学根底感觉比以前稍难,主要题型不变:名词解释、简答、问答,都是必做题 没有选择余地名词解释就不多说了,都是根底的概念,应当没问题,主要参考书,胡庚祥版的材料科学根底, 主要是金属局部。主要是几个大题,今年计算证明题明显增多,考的范围也更广:1、晶体构造结合汤姆森四周体综合题,写出晶面晶向指数位错矢量,推断位错反响是否能 进展,P113-114的例子2、临界分切应力的推导,论证沿某一方向上的最小分切应力等3、二元相图计算,某一成分的凝固组织,依据所需的性能给出相图上的成分范围P284-285:由 相图推断工艺性能4、三元相图的等边三角形重心定律等5、非平衡凝固的特点6、集中激活能阿累尼乌斯方程,做出lnD-1/T曲线,比较哪种条件下谁更易集中,另 一种集中方程似乎是已给出的。另外,集中局部还考了反响集中和上坡集中名词解释。7、固溶体和间隙相的区分,形成条件8、最终一道是证明题,关于马氏体晶体学转换:体心立方(正方)马氏体的K-S关系:111YT>y< T 11>M 和西山关系;111 丫<211>丫 <110>M。由面心立方母相P变为六方马氏体£时,则有:111p#001,<110>p/7<110> e o 一个晶系沿着一个晶轴旋转一个角度到另外一种晶型,记不清了 最终,原子构造、晶体点缺陷局部、材料变形和热加工今年没怎么涉及,明年就不好说了看完后 请下载哦2023年上海交通大学博士招生统考材料科学根底真题回忆版2023. 03.12试题分A、B卷,A卷为材料科学根底,B卷为材料加工原理,考生任选其中一套作答, 以下为材料科学根底真题回忆版一. 简答题每题6分,共60分1 .晶体材料中典型缺陷有哪些,并分别简述其产生缘由。2 .简述加工硬化、细晶强化、弥散强化、其次相强化和固溶强化的特点, 并分别说明其机理。3 .什么是全位错和不全位错?写出FCC、BCC、HCP中的最短单位为错的柏 氏矢量。4 .简述回复、再结晶、正常长大、特别长大的驱动力,并说明在这些过程 中力学性能的变化。5 .简述线型高分子、体型高分子、结晶态高分子的力学性能随温度的变化。6 .简述非平衡凝固的特点。7 .简述影响溶质原子在固溶体中集中的因素。8 .简述热塑性变形对材料组织和性能的影响。9 .三元相图中的连接线用于什么区域?并说明两相平衡和三相平衡时如何 确定各平衡相的相对量。10 .简述固态相变的一般性特点。二. 2MPa的正应力作用于立方晶体的723晶向,求开动该晶体(111) 701滑移系所需的切应力。三. 在外力引起的切应力T 作用下,在晶界产生的位错塞积数目如下式,试推导Hal l-Petch公 0式。四. 由Cu和AI组成的集中偶在肯定温度下保温,肯定时间后标记面移动, 试借用达肯公式和图示说明其产生缘由和移动方向。五. 在平衡凝固条件下,某成分碳钢的显微组织为50%铁素体和 50%珠光体。(1) 计算该碳钢中碳的质量分数,并绘出平衡凝固时的冷却曲线。(2) 当加热到730时,其组织为什么?(3) 当加热到900时,其组织为什么?一填空20分,每空1分1密排六方晶体有个八面体间隙,个四周体间隙2晶体可能存在的空间群有230种,可能存在的点群有32种。3离子晶体中,正负离子间的平衡距离取决于,而正离子的配位数则取决于鲍林 第一规章4共价晶体的配位数听从法则。5固溶体按溶解度分为有限固溶体和无限固溶体,那么固溶体永久属于有限固溶体。6 空位浓度的计算公式:。7菲克第肯定律描述的是集中过程,菲克其次定律描述的是集中过程。8原子集中的动力是,物质由低浓度区域向高浓度区域的集中过程称为9 一次再 结晶的动力是,而二次再结晶的动力是。二 在立方晶体和密排六方晶体中画出以下米勒指数的晶面和晶向。20分,每个2分各 有三个晶面、两个晶向,别的不记得了,就记得一个在密排六方中画2 2 -4 3晶向。三简答1写出霍尔佩奇公式,并指出各参数的意义。8分2说明什么是屈服和应变失效,解释其机理。12分四简答1 忘了。8 分2刃型位错和螺型位错的异同点12分五 相图题20分这个就是个送分题,Pb-Sn相图,分析wSn=50%的平衡凝固过程, 并用杠杆定律计算室温下a相的含量。见交大第三版材科第268、270页感言:可以看出,上交今年的材科题目比较简洁,偏重于根底学问。这次考材科感觉像是上当 了,复习的方向完全不对,那么多计算公式一个也没用到,像是一拳打出去扑了个空,而空间 群有多少种、共价晶体配位数听从的8N法则这种根底学问却没看到!所以以后要考的同 学们肯定要留意,课本要细细看一遍那,太难的题目根本不用做的。英语局部:没有听力最终,附上今年的英语作文题目:Some people argue that one can succeed by taking r i sks or chances, however, some other peopIe advocate that carefuI pIanning is the key to success. To what extent do you agree with the two op i n i ons? Use specific examp I es to support your view. (300 words)感言: 今年的英 语题目类型跟2023年的题型一样,第一大题40个选择题20分,其次大题6篇阅读30 个题30分,第三大题完形填空25分,分两篇,第一篇是选择,其次篇是填词,一个 一分,最终是写作。作文300字可不少,要在一个小时之内写完也不是特简洁的事情,最好 预备模板。我参考的是雅思写作的书,模板不错,而且有大量的题目和答案以及全文翻译和 点评。 其实作文我只预备了三天左右的时间,最终考试的时候用了 45分钟写了或许400字, 感觉效果还是很明显的,由于我没看之前直接写08年的作文写了一百多字就写不下去了。 但是根底好的童鞋最好别用太多的模板,模板看上去根本属于没有养分的句子。最终,多背单字,词汇量是王道啊,我全部的复习打算里单词占了一半以上的时间,一个 月的时间里背了一本7500精选词汇根本一天35页,只做了半套英语题,也就是08年的 真题阅读和完形填空,但是我感觉还是比纯做题要强得多,特别是对单项选择很有帮助! 八十多分不是梦哦2023上海交大材料科学根底回忆版考试完毕了,给大家共享一下今年的专业课试卷,期望我在这里走的弯路以后的师弟师妹们 不要再走错了.今年专业课考试很不好,复习得完全偏离了考试,现在把今年的考试题或许范围做以总结。今年选择题跟其他年份一样,也是很简洁。大题总共出了四个。第一题:A画出立方晶胞中的1, 1, 7晶面和1, 0, 1晶向。(B)假设一个晶体中由1, 1, 7晶面和1, 0, 1晶向组成一个滑移系,求该晶胞为何种晶体。(C)画出在1,1, 7晶面上的螺型位错,其伯氏矢量方向为1, 0, 1,画出其在该面上发生交滑移的晶面。其次题:求解蒸汽压.(A)Si在2023K的温度下发生蒸发,然后在300K时在晶面上分散,试求其蒸发和分散的蒸汽压。(B)分析要让上述两个过程同时存在时,真空装置中的真空状态应当在什么范围之内,并 简述起缘由.第三题:铁碳相图(A)求解含碳量为2. 11 %的铁碳合金冷却凝固后二次渗碳体的含量(B)画出含碳量为2. 11%的铁碳合金冷却曲线第四题:计算带隙能计算可见光被吸取对应的最大和最小带隙能(此题在第十章上有明确的解答)关于选择题,有几点想说1.题目很简洁,但是面很宽,所以课本要认真看,不要遗漏学问点.2.今年选择题中有几个 题目偏离了我复习的范围(1) 能带题目是:由(N)个原子组成的固体有(2N)个能带(2) 回转反演轴中有哪个可以看作独立的宏观元素(-4),认真分析课本上关于这一段的 内容可以看到,7 -2 -3 -6这几个回转反演轴都可以与对称中心.对称面等对应,只有 -4没有可对应的,所以此题答案为-4(3)关于第六章第一节中关于二氧化硅转变的问题,哪一个为位移型转变.2023上海交大材料科学根底回忆版下面是今年材料科学根底四道大题题目:1,求im处渗碳浓度为_的时间(一为具体数字),其中误差函数对应的值给出,集中系数需要通过题目中给的温度和集中常数计算.(20分)2.标注晶面及晶向,写出位错反响(大体内容,原题还有条件).(20分)3.合金和纯金属凝 固过程G疑固条件,凝固组织)的异同.(15分)4.5%的过共晶白口铸铁室温平衡凝固组织中各种类型渗碳体的含量.(20分)小题共25题, 每题3分我参与了 2023年的考研,报考的是上海交通大学材料学,很圆满,数学没考好,调剂去了 上海大学,把10年交大的专业课题或许整理了一下.交大专业课不是很难,但肯定要复习的认真。把前几年的真题好好做做。期望对大家会有帮助。一,选择题3*251,固溶强化可以提高:a,屈服强度b,抗拉强度c,断裂强度2,两个韧型位错相交 形成割接&nbsp; &nbsp;a,肯定能 b,不肯定能 c,肯定不能3,以下是热塑型材料的是4,以下是外延生长的是a,二维b,三维这个选项记不清了,是气象沉积那一节的5, 以下致密度最高的是a, Al&nbsp; &nbsp;b, Zn&nbsp;&nbsp;c, 一个体心的,忘了具体是 什么了6,再结晶后长大过程中D与t的关系7,三元相图中平衡反响有几相8,金属材料的颜色与 有关abc,反射,投射,吸取什么的9,回复阶段主要影响&nbsp; &nbsp;答案是电导率,选项记不清了,有一个干 扰项二,大题:1 晶体构造的,就是最一殳的那种,画体心和面心的图和它要求的晶面,晶向2画铁碳相图,写出平衡反响时的反响式3集中题,最根底那种,2023-2023真题中的几乎一样,其中涉及集中距离与时间的关系 了4 位错只是加晶体学学问考核,可以画图也可以纯计算,个人感觉画图简洁些,就是告 知你位错类型和位错线方向然后求这个位错的各种参数和半原子面什么的,最终是写出分解 成肖克利位错的反响式5说明金属,半导体,绝缘体的导电性差异的缘由十章内容,用价带理论解释那种题2023上海交大材料科学根底回忆版今年的真题仍旧是上海交大材料科学根底的一贯风格,题目量不多,重根底,选择题多 考大家不简洁留意到的地方,大题也很简洁,但每题分值大,不敢疏忽。今年共25道选择题, 每题三分,共5道大题,每题15分。选择题很多不记得了,我尽量回忆。题号不分先后1、宏观对称元素3次回转反演轴的等效对称元素是 应中选3+i2、细化可以提高拉伸材料的a、屈服强度b、抗拉强度c、断裂强度3、以下哪种材料最致密a、Al b、Mg c、-Fe这个题我也不确定到底是a还是b4、钢铁材料从高温淬火,内有高的过饱和空位浓度,请问最宜用哪种方法对空位浓度进展 测量,应中选电阻法5、以下属于热塑性高分子的是 聚乙烯6、某固溶体合金随着溶解度增大,溶解度范围增大。问随着固溶度增大,更简洁形成a、平面状 b、胞状晶胞c、树枝状晶胞7、以下属于面心立方点阵的是CaF?和Y-Fe8、以下是外延生长的是a,二维b,三维9、再结晶后长大过程中D与t的关系10、三元相图中平衡反响有几相11、金属材料的颜色与 有关反射,投射,吸取大题:1、 马氏体相变体心立方的马氏体和面心立方的奥氏体之间存在取向关系: 011/111 <111>/<101>分别在体心立方晶胞和面心立方晶胞中画出两个晶面 和两个晶向考完也有一个星期了,具体的晶面晶向指数不记得了2、画出铁碳相图,标出各相区,并写出全部的三项平衡反响式。3、C在1400K时和900K时在纯铁中的集中常数D和集中激活能Q分别已给出,1 分别求1400K和900K时的集中系数;2问在1400K和900K下对铁进展渗碳, 哪个更节约时间?4、某位错伯氏矢量为a/2110,位错线方向为1证明该位错为刃型位 错,并写出刃型位错的半原子面指数和滑移面指数;2该为错分解为扩展位错, 写出可能的位错反响。5、金属有高的电导率,绝缘体具有较小的电导率,而半导体材料的电导率介于两者之间, 试简述其缘由。1、六方晶向指数转换。指出所给选项中所给物质的均为面心立方点阵每一选项有三种物 质,这些物质都是书上其次章中介绍的物质包括金属和离子晶体。CaF2, Mg, NaCI,石墨, Cu, Fe的两种同素异构2、金属的颜色是由什么打算的透射光,吸取光,反射光3、抱负有序合金的组态嫡大于零,等于零,小于零4、选出所给的高分子材料为热塑性材料5、临界分切应力于什么有关6、热力学平衡条件下什么缺陷能够存在晶界,空位,位错7、两个相互垂直的刃型位错形成割阶肯定会,可能会,不会8、细化晶粒能够提高屈服强度,抗拉强度,断裂强度9、对于一面心立方的晶体中一螺型位错发生了交滑移选择适宜的滑移面10、多晶体再结晶晶粒长大过程中晶粒尺寸与时间的关系Doct, Doct 2), Doct1/211、集中过程中无规行走R与时间和集中系数的关系R8Dt, RocDt1/2,RocDt2二、应用题1 分别画出体心二方晶胞和面心工方晶胞内的两个指定晶面和晶向。2、画出FeFe3C相图。标明各个相区。写出恒温反响的式。3、题目中给出面心立方晶胞刃型位错线的晶向,同时给出柏氏矢量,证明这一位错是刃型 的。并且写出其分解为扩展位错的反响式。4、在Fe中渗碳。ciTe集中系数D0为0.2X10-5,集中激活能为84X 10(3)。丫 Te 的DO为2X10一5,集中激活能为120X103。计算aFe在900K%i 丫 一Fe在1200K 时的集中系数。为了到达一样的渗碳层厚度。那种渗碳方式最节约时间。5、金属具有高的导电率,绝缘体导电率很低,而半导体却适中。请解释一下具体缘由2023年上海交通大学827材料科学根底试题真题选择题有30道题,每题3分;NacI和金刚石的晶体构造为;a面心b体心c正交;spinodel 分解时,浓度较高区域的化学势;a较高b较低c不确定;面心立方构造晶体(100)面上原 子的配位数是;a12b8c4;晶体构造中旋转对称轴不包含几次对阵轴;a4b5c6;晶带定律适 用的晶系类型是;a正交b立方c六方;金属2023年上海交通大学827材料科学根底试题真题回忆版选择题有30道题,每题3分。都是根底题,需要对教材比较熟。Nac I和金刚石的晶体构造为a面心b体心c正交spinodel分解时,浓度较高区域的化学势a较高b较低c不确定面心立方构造晶体(100)面上原子的配位数是a12 b8 c4晶体构造中旋转对称轴不包含几次对阵轴a4 b5 c6晶带定律适用的晶系类型是a正交b立方c六方金属单质的外表能和晶界能相比a大b小c不确定由二氧化钛制备三氧化二钛易消灭a间隙钛离子b钛离子空位c氧离子空位玻璃生产工序中的退火的目的是a增加透光度b消退内应力c转变折射率双交滑移和F-R源,更有效的增殖机制为a 前者b后者c不确定热力学平衡状态下的金属单晶中a空位比间隙原子多b c以下具有更高自由能的是a晶体b准晶c非晶合金中的其次相粒子对晶粒长大的影响是a和二相粒子半径成正比,和体积数成反比b c此外,选择题还涉及冷变形金属回复阶段的主要变化,不能攀移的位错类型,非等量集中中空 位的移动方向,屈服现象的两种理论,离异共晶的问题,包晶时组元的集中路径,多晶体变形 需要的独立的滑移系个数,皮革态介于哪两个力学状态之间,非晶的形成难易与玻璃化温度 和平衡凝固温度之比的关系,薄膜生长类型的区分,三元共晶相图垂直截面图的用途 等。大题共6题,前三题分别为8分、14分、8分,后三题各10分。第一题1画出立方晶胞中的1,1, 7晶面和2, 2, 3晶向;2画出六方晶胞中的1,1, -2, 3晶面和7, -1, 2,3晶向。其次题(1)面心立方晶体111面上单位位错a/2-1, 1, 0分解为2个不全位错,以下哪一个 正确,并说明理由1 a/2-1, 1, 0 >a/6-1, 2, -1 +a/6-2, 1, 1 2a/2-1, 1, 0 ->a/6-1, 2, 1 +a/6-2, 1, -1(2)从能量角度说明其可行。(3)证明面心立方拓展位错的宽度公式。要求严格证明题目给出了刃、螺型位错应力 场公式。第三题 求再结晶时间,最简洁的那种,利用t2/t1=exp -Q/R (1/T1-1/T2)o第四题用菲克第肯定律求集中量的一个题。涉及用跃迁频率算集中系数。第五题二元共晶相图题,画出过共晶的室温组织示意图;求正常凝固和平衡凝固共晶组织的相对量。第六题说明热塑性塑料和热固性塑料的区分。2023年上海交通大学827材料科学根底;真题回忆版by欧阳雪峰;一、选择题25x3;这局部的题目与往年相比更加留意对课本根底的理 解,;1、三元相图中水平截面投影图和垂直截面投影图的作;b)垂直截面图可以表示相变温 度;c)投影图可以表示相变浓度随温度变化的关系;2、过冷度与临界晶核半径、形核功 的关系;a)过冷度越大,临界晶核半径越小,形核功越小2023年上海交通大学827材料科学根底真题回忆版by欧阳雪峰一 选择题25x3这局部的题目与往年相比更加留意对课本根底的理解,没有与往年考试的重题,出题风格略有 变化。因此大家看课本的同时要加强理解,不能停留在记忆学问点的层面。1、三元相图中水平截面投影图和垂直截面投影图的作用正确的选项是a)垂直截面图可以 表示浓度随温度变化的关系;b)垂直截面图可以表示相变温度;c)投影图可以表示相变浓度随温度变化的关系; 2、过冷度与临界晶核半径、形核功的关系

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