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    《钽酸锂和铌酸锂还原单晶晶片 明度和色差技术要求及测量方法》.docx

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    《钽酸锂和铌酸锂还原单晶晶片 明度和色差技术要求及测量方法》.docx

    ICS 31. 140CCS L21团 体准T/CECA XXX-2022锂酸锂和锯酸锂还原单晶晶片明度和色差技术要求及测量方法Lithium tantalate and lithium niobate single crystal reduction wafers technicalrequirements and measurement methods for lightness and color difference在提交反馈意见时,请将您知道的相关专利连同制成行文件一并附上(征求意见稿)20XXXXXX 实施2022XXXX 发布中国电子元件行业协会锂酸锂和锯酸锂还原单晶晶片明度和色差技术要求及测量方法1范围本文件规定了声表面器件用铝酸锂(LT)和锯酸锂(LN)还原单晶晶片明度和色差的术语和定义、 技术要求和测量方法。本文件适用于声表面波器件用LT和LN单面抛光还原单晶晶片的设计、制造与验收。本文件不适用于声表面波器件用LT和LN双面抛光还原单晶晶片。2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件, 仅该日期对应的版本适用于本文件,其随后所有的修改单(不包含勘误的内容)或修订版本均不适用于 本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T 5698颜色术语GB/T 30118声表面波(SAW)器件用单晶晶片规范与测量方法IEC 62276 Single crystal wafers for surface acoustic wave (SAW) device applications -Specifications and measuring methods3术语和定义GB/T5698、GB/T 30118、IEC 62276界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3. 1明度 lightness物体表面相对明暗程度。3.2色差 color difference E荒错误!未找到引用源。物体表面不同部位颜色差异。4技术要求4. 1平均明度除非另有规定,还原单晶晶片的平均明度要求见表1。表1平均明度要求ABCDEFGHI平均明度38,40)40,42)42,44)44,46)46,48)48,50)50,52)52,54)54,564.2 色差色差:E:S3.5;或由使用方和供应方协商确定。4.3 晶片要求要求晶片为经过还原处理的单面抛光片,待测晶片表面加工的具体要求参照GB/T 30118的4.2.6 背面粗糙度规定(2. OunTO. 5um、>2. 0um> <0. 5um),或由使用方和供应方之间的协议执行。5测量方法5. 1测量原理晶片颜色采用分光光度测色法测量。通过测量晶片表面反射光光谱,然后将光信号转换成电信号, 最终输出成数字信号 、Q*、力*),透过CIELAB提供的计算公式,计算出平均明度与色差。分光测色仪主要由光源、积分球、光栅与光学透镜等元件组成,入射光源通过积分球内壁进行漫反 射后照射到晶片上,其中光阱内的吸光材料会对与法线呈8。的光线吸收(去除镜面反射光,使测出的 值与观测者看上去的晶片颜色相当),晶片经过吸收和反射到光栅分光,最终由接收模块进行转换输出 成数字信号,如图2所示。接收模块 光栅图2测量原理示意图5.2 测量条件测量装置应满足以下条件:a)测量光源:D65国际标准人工日光 色温6500K;b)波长范围:400-700nm;c)波长间隔:10nm;d)测试口径:10mm;e)测量重复性精度:W0.01;f)积分球:Avian-D全漫反射表面涂层,反射率98%;g)测量环境:测量环境应具备消除环境光干扰的措施。5.3 测量步骤5. 3.1机台校正设备开机后,首先取黑白校正块完成黑白校正后,进行标片L*、a*、b*值的检测(检测结果需符 合标片标定值,测量偏差W±0.01),确认设备开机状态正常。测量固定点位按图3所示测量晶片规定位置的5点广、a*、b*值。边弊无双带3mm图3测量点位示意图5. 3.3数据输出设备输出数据包括:L大、Q*和匕*值。5.4 数据计算5.5 . 1平均明度测量晶片内5点产值后,通过公式(1)计算,得出晶片面内的平均明度以国(1)* * * * *+L2 +L3 +L4 +L5式中:avg晶片面内的平均明度,为5个测量点明度的平均值;r* 'k 'k -k“1、“3、乙4、分别为5个测量点位的明度。T/CECA XXX-2022色差分别测量晶片的五个点位,得到五组L*、Q*、b*值,如表2所示。表2测量点位数值表测量点位12345L'xL* l-iL;L;L:L;a* ai火 a2* a3* a4*a5b大b:b;选定晶片内任意一点作为基准点,按照公式(2)公式(11)分别与其他四点进行两点相互比较, 根据组合规律得出晶片面内的10个色差值取最大的作为晶片的片内色差。其中:公式(2)公式(5)以点位1为基准点,分别与点位2点位5进行比较:222 E h=、( L7 )+ (& - ci7 ) + (b1 b7 ) (2)Cv LzVJL乙工乙JL乙I222 E , =、(L1 _ L2 )+ (q _) + (b _ b2 ) (3)Cv LzvJLOJLOJLOI222I/.*、/*、/,*,*、/,、 Eab = 1(4 _ 4)+(4 。4)+(4 _ 4 ) (4)I222I/*.*、/*、/,*,*、/一、 E h =、(L1乙口)+ (ci1 0口 )+ (b-) (5)C-v Lzyjsx工kx,kx公式(6)公式(8)以点位2为基准点,分别与点位3点位5进行比较:222J/TT*.*、/*、/,*,*、/、 E h=、( L2 ) + (% _ 4) +)(6)Cv L/V乙。乙D乙DI222I/*、/*、/,*,*、八七砧=d(4-L4 )+(4 04)+"2 b4) °)I222L.*,*、/*、/,*.*、/C、 E h=J(_Lr )+( Q?_ CLr )+(一 bj. ) (8)ab y1 252525公式(9)公式(10)以点位3为基准点,分别与点位4点位5进行比较:222 =1("3 一 ”4)+( ”3 。4)+(瓦)(9)I222 'kI/.*、/*、,*、/.八、 E h =、(- L二)+ ( q&- q二)+ (b2 - b二)(10)ab 353535公式(11)以点位4为基准点,与点位5进行比较: *Eab(L: Y)+ (-屋)+ (bj-b;)(11)参考文献1 CIE 15:2004 3rd Edition COLORIMETRY

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