TCEC 20191128 光伏发电站背接触单晶硅片技术要求.docx

ICS27.160F1220XX-XX-XX 实施T/CEC中国电力企业联合会标准T/CEC 20191128光伏发电系统背接触单晶硅片技术要求Technical requirement of interdigitated back contact monocrystallinesilicon wafer for photovoltaic system（征求意见稿）20XX-XX-XX 发布中国电力企业联合会发布附录B（规范性附录）B. 1单晶硅片性能检验记录如表B. 1。表B. 1单晶硅片性能检验记录表测 试 时 间晶 体 编 号电 阻 率厚 度TTV边 缘 厚 度少 子 寿 命线 痕翘曲边 长1边 长 2表 面 积标 称 直 径1标 称 直 径 2弧 长 投 影X1弧 长 投 影 X 2弧 长 投 影 X3弧 长 投 影 X 4弧 长 投 影 Y1弧 长 投 影 Y2弧 长 投 影Y3弧 长 投 影Y4垂 直 度1垂 直 度 2垂 直 度 3垂 直 度4沾 污附录c（规范性附录）c.i单晶硅片抽样检验见表C.1。表c. 1单晶硅片抽样检验表生产指令单号项目名称规格/型号抽检数量备货号抽检日期检验依据检验项目质量标准抽样方案检验 合格数单项判定样本量合格判定数正常检验包 装外观二次检验包 装外 观备注不合格说明最终判定合格不合格检验员：审核：in前言II1范围12规范性引用文件13术语和定义14性能要求25检验规则36标志、包装、运输和贮存5附录A （资料性附录）单晶硅片尺寸规格6附录B （规范性附录）单晶硅片性能检验记录表7附录C （规范性附录）单晶硅片抽样检验表8T/CEC 20191128刖B本标准按照GB/T 1.1-2009标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写给出的规则起草。 请注意本标准的某些内容可能涉及专利，本标准的发布机构不应承担识别这些专利的货任。 本标准由提出。本标准由中国电力企业联合会归口。本标准起草单位：本标准主要起草人：本标准首次发布。本标准在执行过程中的意见或建议反馈至中国电力企业联合会标准化管理中心（北京市白广路二条 一号，100761）o目 次前言II1范围12规范性引用文件13术语和定义14性能要求25检验规则36标志、包装、运输和贮存5附录A （资料性附录）单晶硅片尺寸规格6附录B （规范性附录）单晶硅片性能检验记录表7附录C （规范性附录）单晶硅片抽样检验表8T/CEC 20191128刖百本标准按照GB/T 1.1-2009标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写给出的规则起草。 请注意本标准的某些内容可能涉及专利，本标准的发布机构不应承担识别这些专利的责任。提出。本标准由本标准由中国电力企业联合会归口。本标准起草单位：本标准主要起草人：本标准首次发布。本标准在执行过程中的意见或建议反馈至中国电力企业联合会标准化管理中心（北京市白广路二条 一号，100761 )(>II光伏发电系统背接触单晶硅片技术要求1 .范围本标准规定了光伏发电系统背接触单晶硅片外观与性能要求、检验规则、标志、包装、运输和储存 等技术要求。本标准适用于光伏发电系统背结背接触晶体硅电池用单晶硅片。2 .规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本标准。GB/T 1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法检测。GB/T1555半导体单晶晶向测定方法GB/T 1556硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T 1557硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法GB/T 6618硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 6619硅片方曲度测量方法GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法GB/T 13384机电产品包装通用技术条件GB/T 14264半导体材料术语GB/T26068硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法GB/T 30860太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法3 .术语和定义下列术语和定义适用于本标准。3. 1.GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本标准。3. 2.背结背接触晶体硅电池rear junct沁n interdigitated back contact crystalline silicon cell电池受光面（正表面）无栅线、所有正负栅线及PN结位于背面的晶体硅太阳能电池。3. 3.隐裂crack延伸到单晶硅片表面的解理或断裂，其可能或许没有穿过单晶硅片的整个厚度。3. 4.划痕 scratch由于外力接触单晶硅片而造成单晶硅片表面肉眼可见的条型痕迹，或经其他检测技术显现出的条型 状发暗、发黑的现象。3. 5.沾污 contamination在单晶硅片表面上，非有意地附加到单晶硅片表面上的物质，它的线度远大于局部光散射体。区域 沾污可以是由吸盘印，手指或手套卬记、污迹、蜡或溶剂残留物等形成的晶片表面上的外来物质。3. 6.崩边(缺口)chip (indents)单晶硅片表面或边缘非有意的造成脱落材料的区域。某此崩边是在单晶硅片加工、测量或检测时， 因传送或放置样品等操作引起的。崩边的尺寸由样品外形的正投影图上所测量的最大径向深度和圆周弦 长确定。3. 7.线痕 saw mark单晶硅锭切割时，在单晶硅片表面留下的一系列弧状凸纹和凹纹交替形状的不规则痕迹。使用内圆 切割时，其弧状的半径与切割刀具的半径是相同的；而钢线切割产生的刀痕特点取决于切割过程。4.外观和性能要求4. 1.外观要求4.1.1.几何参数硅片的几何参数应符合表1的规定:表1单晶硅片几何参数单位为微米硅片厚度允许偏差TV总厚度变化TTV弯曲度bow翘曲度Warp+ 20/ - 1025W40W404. 1. 2.外形尺寸硅片的外形尺寸参见附录A. 1。4. 1. 3.外观质量要求单晶硅片的外观要求见表2：表2单晶硅片外观要求序号项目要求检验方式1颜色单晶硅片的颜色应均匀一致，无肉眼可见色 差、水痕、手指印等外观缺陷肉眼/每片2裂纹及孔洞单晶硅片不应有肉眼可见的孔洞、裂纹肉眼/每片表2单晶硅片外观要求(续)序号项目要求检验方式3崩边及缺口不允许“V”型崩边及类"V”形缺口；同一片单 晶硅片上出现的崩边、钝形缺口不应超过两 处，且外形缺陷的长度由边缘向中 心的深度40.3mm肉眼/每片4沾污单晶硅片表面、棱边允许有轻微沾污，单个 面积应425mm2,个数应41个;且距离硅片 60cm处目测不可见肉眼/每片5划痕划痕宽度应Slmm,长度410mm，个数S1个，不 允许有划伤肉眼/每片6线痕单晶硅片的线痕深度应412国】，方向一致肉眼/每片4. 2.电学性能4. 2. 1.电阻率单晶硅片电阻率应为(0. 525)0cm。4. 2. 2.少数载流子寿命少数我流子寿命应260心。4. 2. 3.径向电阻率不均径向电阻率不均应4. 3.理化性能4.3. 1.间隙氧含量单晶硅片间隙氧含量应WO. 8xl018atoms/cni3o4. 3. 2.代位碳含量单晶硅片代位碳含量应W5. 0xl0h,atoms/cm4. 3. 3.晶体完整性单晶硅片位错密度应W500个/cm14. 3. 4.晶向及晶向偏离度单晶硅片的晶向应为<100>,晶向偏离度应不大于3。，单晶硅片四个边缘晶向应为<100>±2。°5.检测规则5. 1.检验分类检验分为型式检验、出厂检验，具体检验项目见表3。5. 2.检验方法5. 2. 1.外观检验5. 2. 1. 1.几何参数检验(a)总厚度变化按GB/T 6618硅片厚度和总厚度变化测试方法的规定进行测试。(b)弯曲度按GB/T 6619硅片弯曲度测量方法的规定进行测试。(c)翘曲度按GB/T 6620硅片翘曲度非接触式测试方法的规定进行测试。5. 2. 1.2.外形尺寸检验单晶硅片外形尺寸(边长、标称直径、弧长投影)检验采用分辨率优于0.02mm的游标卡尺或相应精 度的量具进行。5. 2. 1.3.外观检验在光照度不低于100()Lx的白色光源下，对硅片表面进行目检，产品与双眼距离约30cm-5()cm。线痕 深度的测量按GB/T 30860的规定进行检验。检验方法见表3。表3硅片外观检验方法序号项目试验方法1颜色目测2裂纹及孔洞目测3崩边及缺口目测，使用菲林卡尺测量4沾污目测，使用游标卡尺5划痕目测，使用游标卡尺测量6线痕按GB/T 30860规定5. 2. 2.电性能检验(a)电阻率按GB/T 6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法的规定进行测试。(b)少数载流子寿命按GB/T 26068硅片载流子及合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法的规定进行测试。 (c)径向电阻率不均匀按GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法的规定进行测试。5. 2. 3.理化性能检验(a)间隙氧含量按GB/T 1556硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法的规定进行测试。 (b)代位碳含量按GB/T 1557硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法的规定进行测试。(c)晶体完整性按GB/T 1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法的规定进行测试。(d)晶向及晶向偏离度按GB/T 1555半导体单晶晶向测定方法的规定进行测试。5. 3.出厂检验单晶硅片进行100%出厂检验，出厂检验项目包括本标准规定的全部检验项目，见表4。产品应经生 产企业质检部门检验合格，并签发合格证后方可出厂。6. 4.型式检验型式检验项目包括本标准规定的全部检验项目(见表4),型式检验项目包括本标准规定的全部检 验项目，见表4。型式检验每年应进行1次。有下列情况之一时，宜应进行型式试验；a)新产品投产鉴定或鉴定新产品转厂生产时；b)正式生产后，如结构、材料、工艺及关键设备有较大改变，可能影响产品性能时；c)停产半年以上恢复生产时；d)供需双方发生产品质量争议需要仲裁时；e)国家质量监督部门或主管部门提出型式检验要求时。表4检验项目、技术要求和试验方法序号检验项目型式检验出厂检验技术要求试验方法1总厚度变化本标准4. 1. 1本标准5. 2. 1. 12弯曲度J本标准4. 1. 1本标准5. 2. 1. 13翘曲度V本标准4. 1. 1本标准5.2. 1. 14外形尺寸V本标准4. 1.2本标准5. 2. 1.25外观要求JV本标准4. 1.3本标准5. 2. 1.36电阻率J本标准4. 2. i本标准5. 2. 27少数载流子寿命本标准4. 2. 2本标准5. 2. 28径向电阻率变化本标准4. 2. 3本标准5. 2. 29间隙氧含量J本标准4. 3. 1本标准5. 2. 310代位碳含量本标准4. 3. 2本标准5. 2. 311晶体完整性V本标准4. 3. 3本标准5. 2. 312晶向及晶向偏离度V本标准4. 1. 1本标准5. 2. 36.标志、包装' 运输和储存7. 1.标志1.1.1. 单晶硅片包装盒（或箱）上至少印有如下产品标志：制造厂名、产品名称、产品型号、制造日 期、单晶编号、包装数量、切割刀纹方向、合格标识。1.1.2. 外包装箱印有正放置、防潮、防晒、易碎、堆码极限等标志。6.2. 包装6.2.1. 硅片内包装应做好防护防撞措施并密封，避免摩擦、晃动、挤压。6. 2. 2.对于批量出售和长途运输的单晶硅片，应防潮、防晒、防震动，箱内有产品清单和检验合格证 书，包装储运标志应符合GB/T 13384的规定。6.3. 运输产品应使用有缓冲材料的包装进行运输，运输过程中做好防护措施。6.4. 储存产品应在有包装的条件下储存在通风、干燥（相对湿度W60%,温度小于42）、无腐蚀性气体的 环境下。附录A（资料性附录）单晶硅片尺寸规格A.1单晶硅片直径及允许偏差单晶硅片的端面如图A. 1所示，端面尺寸应符合表A. 1的规定。图A.1单晶硅片尺寸示意图表A.1单晶硅片尺寸要求单位为毫米规格尺寸A （边长）B （标称直径）E （垂直度）156.75±0.25210±0.2590±0.25°158.75±0.25223±0.2590±0.25°166.00±0.25213±0.2590±0.25°223±0.2590±0.25°233±0.2590±0.25°