基于低频部分元等效电路法的共地干扰-罗永斌.pdf
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1、第28卷第8期2016年8月强 激 光 与 粒 子 束HIGH POWER LASER AND PARTICLE BEAMSV0128,No8Aug,2016基于低频部分元等效电路法的共地干扰罗永斌1, 刘 强1, 郭 琦2, 周海京1(1北京应用物理与计算数学研究所,北京100094;2中航飞机股份有限公司,西安710089)摘要: 基于低频部分元等效电路(PEEC)模型计算接地回路电流和电势分布,研究分析了共地传导干扰机理。基于混合位积分方程建立了低频PEEC模型,并与边界元方法的结果对比验证其准确性。基于PEEC模型实现对导体中三维电流分布的计算,获得了典型大导体接地回路的电流分布,分析
2、了频率对电流分布的影响特性。结果表明,地导体中电流分布主要集中在接地极附近,两接地极间会由于电感感抗的影响而呈现出电势差,揭示了接地回路中的共地传导干扰机理,建立的PEEC模型能够有效应用于共地干扰分析与抑制。关键词:共地干扰;部分元等效电路法; 电流分布; 接地回路; 部分电感中图分类号:TN702 文献标志码:A doi:lO11884HPLPB201628160052随着现代电力电子技术的高速发展,电力电子装置逐渐趋向于高频化、高压大功率和模块化1。为了保证设备及系统的安全性,需要对电力电子装置进行接地处理2_3,然而由共地引起的传导干扰严重影响到设备的性能4。针对共地传导干扰问题,需要
3、建立典型接地导体回路模型,并通过研究地导体中的电流分布影响因素,进而揭示接地回路间的传导干扰机理;其中,基于部分元等效电路(PEEC)模型的数值模拟分析手段就是研究导体中电流分布的高效方法之一。PEEC51方法最初由IBM公司的Ruehli于1972年在计算复杂集成电路的电感时提出,在计算集成电路和PCB板的部分参数时已有很多报道6-8。在电磁兼容的研究分析中得到了广泛应用9。2|,但在电力电子装置接地回路的模型研究中,如何运用PEEC方法求出电路模型和参数进行共地干扰分析却鲜有研究。目前,咸哲龙等1朝建立了三种简化的接地回路物理模型,并采用PEEC对其部分参数进行了对比计算,分析了接地回路的
4、影响机制,但是并没有对大导体接地回路进行计算研究;钟玉林等14对大导体板接地回路模型进行了阻抗频率特性研究,得出导体板中的电流对共地阻抗的影响很大,但是并没有用PEEC方法对导体板中电流分布进行计算研究。针对共地传导干扰问题,本文建立低频的PEEC模型并验证其准确性,针对接地导体回路用PEEC三维模型计算该导体中的电流和电势分布,进而揭示接地回路间的共地传导干扰机理。1 PEEC理论基础PEEC方法最初由IBM公司的Ruehli于1972年在计算复杂集成电路的电感时提出,该方法根据混合位积分方程,对导体进行剖分,计算每一个网格及网格之间的部分参数(部分电感,部分电容和部分电阻),基于部分参数建
5、立等效电路模型,最后联立每个单元的等效电路方程求解,实现场路的协同计算口。在本文的共地干扰问题分析中,由于地导体是良导体(dI cUe I,其中d是导体电导率,e是导体磁导率,叫一2丌,f是频率),且本文的研究为低频时的传导干扰,在低频(,1 GHz)情况下,部分电感远大于部分电容,因此可将混合位积分方程改写为半+吼半彬+吼半一蹦,) (1)式中:J代表空间钞内的感应电流密度;J。是外部源导线z 7上的电流。图1中含有三个电势单元的模型,假设感应电流只沿工方向。电势9定义为电势单元的中心点(妒i,P,9。),相邻的两电势单元之间定义为电流单元(单元优和行),且假设每个单元中电流恒定。*收稿日期
6、:2016-0203; 修订日期:2016一0329基金项目:国家重点基础研究发展计划项目(2013CB328904)作者简介:罗永斌(1992一),男,学士,从事系统级电磁兼容、PEEC算法研究;1145752177qqcom。通信作者:周海京(1970-),男,博士,从事复杂电磁环境理论、系统级电磁环境效应及数值模拟等方面的研究工作;zhouhaijingiapcmaCcn。刘 强(1987-),男,硕士,从事系统级电磁环境效应分析等方面的研究工作;q-1iul987126com。083203一】万方数据强 激 光 与 粒 子 柬Fig1 Schematic of a three cell
7、 conductor Fig2 Equivalent circuit for PEEC models in frequency domain图1三元胞导体 图2频域PEEC模型等效电路基于式(1)(从场的角度出发),将图1等效为如图2所示的一个电流单元的低频PEEC等效电路,同时揭示了z方向的基尔霍夫电压定理(KVL)。上述等效电路可以表示为N。V。一仍一似一一u:+R。J。+j叫L。I。 (2)m21式中:V。是单元咒的电压降,U:是激励源S在单元行产生的压降;L。是单元咒的部分自感;L。是单元m到7的部分互感。对于式(2)的等效电路方程,同样适用于Y,z方向,这样就可以得出良导体中的三维低
8、频PEEC模型。2 PEEC模型及验证图3所示为金属导体板结构,激励源为矩形线圈电流源。其中,板的电导率为d,磁导率为卢o,通过求解导体板上电流分布来对比验证PEEC模型的准确性。21 PEEC模型将导体板均匀剖分成N,N,N:个矩形元胞(及电势单元),由于板的厚度相对于长和宽小很多,且激励源平行于xy平面,因此导体板上感应电流近似只有z和Y分量,且随z方向均匀分布,z方向和Y方向上的电流单元分别有(N:一1)N,和(N,一1)N:个。基于式(2)的电路等效关系式,得出PEEC模型矩阵方程为障:+jL:0 c:p, p:0 R,+j叫|L,c;I lJ,Il【,; (3)L e C,0 j L
9、,J L 0 j力Fig3 Schematic of wire plate excitedby rectangular coil图3导线环激励的金属板结构式中:e,c。是电流关系矩阵;口,Cj是电势枝节关系矩阵且是C,Cy的转置;未知数9,J,J,分别有N。一N,N,N。一(N,一1)N,N。,一(N,一1)N:个。22 PEEC模型准确性验证将图3的线板结构剖分为40404的网格结构,其中模型结构参数为:板的边长2200 mm,板厚度d=2 mm,电导率仃一38 X i07 Sm,相对磁导率岸,一1。激励导线环携带f一1 A的电流,导线环距离导体板h一50 mm,导线环边长为D一100 mm
10、,且与导体板关于同一原点对称。(a)I厂=1 kHz-IO 妒嘲划吨每扫e畸N 孑)8母 0q 声)6 尸弋 尸)4 f ?f争PEECl 、 尸)2BEM yn 一O1 一O05 0 005 OFig4 Comparison of J,at line inside plate图4导体板中线处-,模值分布对比0832032万方数据罗永斌等:基于低频部分元等效电路法的共地干扰基于建立的PEEC模型,对图3所示结构进行模拟计算,得出导体板中的电流在厂一1 kHz与厂一50 Hz时的分布。其中,导体板上表面沿X方向中线处的Y方向电流分布如图4所示,其结果与基于边界元方法的软件IES_FARADAY计
11、算结果基本一致,从而验证了建立的PEEC模型的准确性,表明本文建立的PEEC模型能够准确表征电流、电势和电感等参数。3 大导体接地回路共地干扰研究图5(a)为一逆变器供电的交流电机驱动系统A,B两点接地的示意图,为了方便模拟计算,将其简化为如图5(b)所示的典型接地回路模型,两接地极A,B分别携带外电路的激励电流源(1 A与一1 A),地导体尺寸为200 mm200 mm10 mm。材料(铝板)的相对磁导率口,一1,电导率盯一38107 Sm。两极之间距离为100 mm,极的长度为40 mm,极的直径为226 mm。(a)inverter and motor ground loops (b)t
12、ypical ground loop modelFig5 Equivalent ground loops图5等效接地回路上述接地回路中,接地极导体的长度与直径之比大于10,所以近似等效为线电流源。方向,因此地导体中除了z,Y方向的电流外,还有z方向上的电流,则Jezj:+气】。+e 2】z矩阵方程式(3)改写为:+j叫L:O0C:0Ry+j60Ly0C,J。3,】2900【,:3惦由于激励电流是z(4)(5)式中:JAB是激励电流源矩阵。求解方程可以得出9,J。,J,和J:。31导体板电流分布分析研究接地回路在地电流的影响下,不同接地回路的接地点之间存在电势差,造成回路间传导干扰。因此,通过建
13、立接地回路模型,获得地导体中的电流分布将有助于研究共地干扰问题。311上表面电流分布基于建立的PEEC模型对图5中接地模型进行计算,计算频率为厂一100 Hz(电阻和电感数量级相同),得出上表面的电流-,。,J,-厂:的模值分布如图6所示。图6(a)表示中心线AB上不同电流分量的模值分布;图6(b)(d)表示上表面电流模值分布。312下表面的电流分布图7显示导体板下表面的电流分布,图中电流分布同上表面,主要集中在A,B两电流注入点附近,同时可以看出,在频率为100 Hz时下表面电流模值较上表面小很多。32导体板电流分布频变特性在接地回路中,外电路的频率变化会对地导体中电流分布产生影响,为了研究
14、其影响规律,本文进行了三种典型频率的电流分布计算研究,其中,一0001 Hz时,电流分布如图8所示。图8(a)和图8(b)分别表示上下表面中心线处的电流分布;图6(a)和图7(a)分别表示频率,一100 Hz时,上下表面中心线处的电流分布;图9(a)和图9(b)分别表示频率厂一100 kHz时,上下表面中心线处的电流分布。口口口oLooeR限一万方数据强 激 光 与 粒 子 束-E二¥、5O5O2xlma、current distribution of center 1ineC)J0rEiZ鼍b)JFig6 Current distribution of upper surface且h尸1 、
15、 弋 , , 、 t、f , , 口 一口。,、 ,| , 一矗,。 、 d | i L000晕要500i020xm(c)JO60(400200; 100= 5002(d)(b)Fig7 Current distribution of lower surface图7下表面电流分布0832034(d)以0觑。一万方数据罗永斌等:基于低频部分元等效电路法的共地干扰对于z,Y方向的电流密度,可以得出随着电流频率的升高,电流分布更加集中,导体板上表面电流密度逐渐增大,是由于频率的增加导致趋肤效应的增强而引起的;随着频率的增大,上下表面单元的互感逐渐增大,因此主要由上表面电流感应产生的下表面电流的密度也
16、会增大。然而对于z方向电流,随着频率增大,在上表面除了会受到趋肤效应影响增大外,还会由于激励导线与2方向单元间的互感增强而增大;而对于下表面电流密度,由于上下表面的互感增强,因此下表面电流密度会随着上表面电流增强而增大。Pa-B口日。 口-日仅 J牙暑 B唇唇号1 尸l IZk丑- Z!AA矗 五五一。 厶_ -厶厶厶且_ 1茁FZl-日IJI一也r|,Jr。-。t,唔咀、l 卜日牙号寻 哥哥岳-B。14甚-A“ 。04 A-At-J 、A童2(a)current distribution ofupper surface (b)current distribution oflower surf
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- 基于 低频 部分 等效电路 干扰 罗永斌
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